4.3A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	39,427 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07983 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Infineon Technologies	36,696 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09217 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	50mOhm a 4.3A, 4.5V	950mV a 250µA	15 nC @ 5 V	±8V	830 pF @ 10 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3407A MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	640,191 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10063 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	48mOhm a 4.3A, 10V	3V a 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	830 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
DMP3056L-7 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	41,269 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11939 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	50mOhm a 6A, 10V	2.1V a 250µA	11.8 nC @ 10 V	±25V	642 pF @ 25 V	-	1.38W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC5661N-F085 MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 onsemi	15,336 En stock	1 : $0.93000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.22474 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	47mOhm a 4.3A, 10V	3V a 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	763 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
FDC5612 MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 onsemi	21,350 En stock	1 : $0.95000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.23210 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.3A (Ta)	6V, 10V	55mOhm a 4.3A, 10V	4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
PJA3440_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	8,530 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07291 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	42mOhm a 4.3A, 10V	2.5V a 250µA	4.8 nC @ 4.5 V	±20V	410 pF @ 20 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2100U-7 MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	43,180 En stock 156,000 Fábrica	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07556 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 10V	38mOhm a 3.5A, 10V	1.4V a 250µA	9.1 nC @ 4.5 V	±10V	216 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2244TRPBF MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Infineon Technologies	8,738 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09110 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	2.5V, 4.5V	54mOhm a 4.3A, 4.5V	1.1V a 10µA	6.9 nC @ 4.5 V	±12V	570 pF @ 16 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3440-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	5,592 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10063 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	42mOhm a 4.3A, 10V	2.5V a 250µA	4.8 nC @ 4.5 V	±20V	410 pF @ 20 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3415AE_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	24,018 En stock	1 : $0.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10866 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	50mOhm a 4.3A, 4.5V	1V a 250µA	24 nC @ 4.5 V	±8V	907 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045UQ-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	5,370 En stock	1 : $0.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10540 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045UQ-13 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1 Diodes Incorporated	3,254 En stock	1 : $0.51000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.09363 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD13385F5 MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	23,323 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12913 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	19mOhm a 900mA, 4.5V	1.2V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	8V	674 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
DMP3056LDM-7 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Diodes Incorporated	93,587 En stock	1 : $0.68000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15373 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	45mOhm a 5A, 10V	2.1V a 250µA	21.1 nC @ 10 V	±20V	948 pF @ 25 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-26	SOT-23-6
CSD13385F5T MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	26,509 En stock	1 : $1.50000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.54460 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	19mOhm a 900mA, 4.5V	1.2V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	8V	674 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
DMP2045U-13 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	12,331 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06730 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN2B03E6TA MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 Diodes Incorporated	1,316 En stock 6,000 Fábrica	1 : $1.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.29227 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	40mOhm a 4.3A, 4.5V	1V a 250µA	14.5 nC @ 4.5 V	±8V	1160 pF @ 10 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6	SOT-23-6
DMT12H065LFDF-7 MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN Diodes Incorporated	449 En stock 249,000 Fábrica	1 : $1.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.34405 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	115 V	4.3A (Ta)	3V, 10V	65mOhm a 3A, 10V	2.2V a 250µA	5.5 nC @ 10 V	±12V	252 pF @ 50 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMP2100UQ-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	3,000 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09323 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 10V	38mOhm a 3.5A, 10V	1.4V a 250µA	9.1 nC @ 4.5 V	±10V	216 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3056LDMQ-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R Diodes Incorporated	2,905 En stock 42,000 Fábrica	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16814 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	45mOhm a 5A, 10V	2.1V a 250µA	21.1 nC @ 10 V	±20V	948 pF @ 25 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-26	SOT-23-6
PJA3415AE-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	18,914 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11744 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.3A, 4.5V	1V a 250µA	24 nC @ 10 V	±8V	907 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3056L-13 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	10,000 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.10192 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	50mOhm a 6A, 10V	2.1V a 250µA	11.8 nC @ 10 V	±25V	642 pF @ 25 V	-	1.38W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC5661N FET 60V 50.0 MOHM SSOT6 onsemi	2,835 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	47mOhm a 4.3A, 10V	3V a 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	763 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSOT-23-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
UMWIRLML2244TR MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 UMW	2,960 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT)	-	*	Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	2.5V, 4.5V	54mOhm a 4.3A, 4.5V	1.1V a 10µA	-	±12V	-	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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