4.3A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	22,217 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07983 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3407A MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	602,764 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10063 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	48mOhm a 4.3A, 10V	3V a 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	830 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
FDC5661N-F085 MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 onsemi	29,992 En stock	1 : $0.93000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.22474 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	47mOhm a 4.3A, 10V	3V a 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	763 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
FDC5612 MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 onsemi	45,613 En stock	1 : $0.95000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.23210 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.3A (Ta)	6V, 10V	55mOhm a 4.3A, 10V	4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
PJA3415AE_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	16,963 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05902 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	50mOhm a 4.3A, 4.5V	1V a 250µA	24 nC @ 4.5 V	±8V	907 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3440_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	18,842 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07217 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	42mOhm a 4.3A, 10V	2.5V a 250µA	4.8 nC @ 4.5 V	±20V	410 pF @ 20 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2100U-7 MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	41,011 En stock 117,000 Fábrica	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07556 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 10V	38mOhm a 3.5A, 10V	1.4V a 250µA	9.1 nC @ 4.5 V	±10V	216 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2244TRPBF MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Infineon Technologies	47,783 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09110 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	2.5V, 4.5V	54mOhm a 4.3A, 4.5V	1.1V a 10µA	6.9 nC @ 4.5 V	±12V	570 pF @ 16 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045UQ-13 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1 Diodes Incorporated	3,130 En stock	1 : $0.51000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.09363 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD13385F5 MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	19,761 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12913 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	19mOhm a 900mA, 4.5V	1.2V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	8V	674 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
DMP3056LDM-7 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Diodes Incorporated	88,416 En stock	1 : $0.68000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15373 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	45mOhm a 5A, 10V	2.1V a 250µA	21.1 nC @ 10 V	±20V	948 pF @ 25 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-26	SOT-23-6
CSD13385F5T MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	23,479 En stock	1 : $1.50000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.54460 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	19mOhm a 900mA, 4.5V	1.2V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	8V	674 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
DMP2045U-13 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	11,806 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06730 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN2B03E6TA MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 Diodes Incorporated	4,206 En stock 3,000 Fábrica	1 : $1.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.29227 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	40mOhm a 4.3A, 4.5V	1V a 250µA	14.5 nC @ 4.5 V	±8V	1160 pF @ 10 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6	SOT-23-6
DMT12H065LFDF-7 MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN Diodes Incorporated	400 En stock 213,000 Fábrica	1 : $1.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.34405 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	115 V	4.3A (Ta)	3V, 10V	65mOhm a 3A, 10V	2.2V a 250µA	5.5 nC @ 10 V	±12V	252 pF @ 50 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMP2100UQ-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	3,000 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09323 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 10V	38mOhm a 3.5A, 10V	1.4V a 250µA	9.1 nC @ 4.5 V	±10V	216 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3056LDMQ-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R Diodes Incorporated	2,904 En stock 42,000 Fábrica	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16814 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	45mOhm a 5A, 10V	2.1V a 250µA	21.1 nC @ 10 V	±20V	948 pF @ 25 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-26	SOT-23-6
PJA3415AE-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	18,820 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06484 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.3A, 4.5V	1V a 250µA	24 nC @ 10 V	±8V	907 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3056L-13 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	9,975 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.10192 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	50mOhm a 6A, 10V	2.1V a 250µA	11.8 nC @ 10 V	±25V	642 pF @ 25 V	-	1.38W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RM3407 MOSFET P-CHANNEL 30V 4.3A SOT23 Rectron USA	6,000 Mercado	6,000 : $0.12000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	52mOhm a 4A, 10V	3V a 250µA	-	±20V	700 pF @ 15 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC5661N FET 60V 50.0 MOHM SSOT6 onsemi	2,580 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	47mOhm a 4.3A, 10V	3V a 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	763 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSOT-23-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
UMWIRLML2244TR MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 UMW	2,955 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09460 Cinta y rollo (TR)	-	*	Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	2.5V, 4.5V	54mOhm a 4.3A, 4.5V	1.1V a 10µA	-	±12V	-	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMPB33XN,115 MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6 Nexperia USA Inc.	2,785 En stock	1 : $0.54000 Cinta cortada (CT)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.3A (Ta)	2.5V, 4.5V	47mOhm a 4.3A, 4.5V	1.2V a 250µA	7.6 nC @ 4.5 V	±12V	505 pF @ 15 V	-	1.5W (Ta), 8.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN2020MD-6	Placa descubierta 6-UDFN
NDS9405 MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIC Fairchild Semiconductor	14,000 Mercado	505 : $0.59000 Granel	-	-	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	4.5V, 10V	100mOhm a 2A, 10V	3V a 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	1425 pF @ 10 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
UMWIRLML6401 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950 UMW	6,174 En stock	1 : $0.62000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14183 Cinta y rollo (TR)	-	UMW	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	50mOhm a 4.3A, 4.5V	950mV a 250µA	15 nC @ 5 V	±8V	830 pF @ 10 V	-	1.3W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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