4.2A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	88,540 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06049 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-13 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	55,623 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05057 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2075U-7 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	2,507 En stock 2,811,000 Fábrica	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07186 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	38mOhm a 3.6A, 4.5V	1V a 250µA	7 nC @ 4.5 V	±8V	594.3 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2502TRPBF MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Infineon Technologies	40,434 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11336 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	45mOhm a 4.2A, 4.5V	1.2V a 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	740 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3414U-7 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	106,193 En stock	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16761 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	25mOhm a 8.2A, 4.5V	900mV a 250µA	9.6 nC @ 4.5 V	±8V	829.9 pF @ 10 V	-	780mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP6110SFDF-7 MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN Diodes Incorporated	29,126 En stock 807,000 Fábrica	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16761 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	110mOhm a 4.5A, 10V	3V a 250µA	17.2 nC @ 10 V	±20V	969 pF @ 30 V	-	1.97W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMP2305U-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	17,880 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07341 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	60mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	7.6 nC @ 4.5 V	±8V	727 pF @ 20 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UXQ-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	6,014 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07510 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3404L-7 MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	15,839 En stock 384,000 Fábrica	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09703 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	25mOhm a 5.8A, 10V	2V a 250µA	13.2 nC @ 10 V	±20V	641 pF @ 15 V	-	780mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302U-7 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	37,712 En stock 162,000 Fábrica	1 : $0.51000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11053 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	90mOhm a 3.6A, 4.5V	1V a 50µA	7 nC @ 4.5 V	±8V	594.3 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3414UQ-7 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	3,000 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12523 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	25mOhm a 8.2A, 4.5V	900mV a 250µA	9.6 nC @ 4.5 V	±8V	829.9 pF @ 10 V	-	780mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K123TU,LF MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	19,105 En stock	1 : $0.61000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13417 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.5V, 4V	28mOhm a 3A, 4V	1V a 1mA	13.6 nC @ 4 V	±10V	1010 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UFM	3-SMD, conductores planos
AO6420 MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP Alpha & Omega Semiconductor Inc.	163,215 En stock	1 : $0.77000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15489 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	60mOhm a 4.2A, 10V	3V a 250µA	11.5 nC @ 10 V	±20V	540 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSOP	SC-74, SOT-457
ZXMN7A11KTC MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3 Diodes Incorporated	3,673 En stock	1 : $1.36000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.34768 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	70 V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	130mOhm a 4.4A, 10V	1V a 250µA	7.4 nC @ 10 V	±20V	298 pF @ 40 V	-	2.11W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AO4486 MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	7,101 En stock	1 : $1.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.35880 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	79mOhm a 3A, 10V	2.7V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	942 pF @ 50 V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
DMP2305UQ-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	3,970 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11392 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	60mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	7.6 nC @ 4.5 V	±8V	727 pF @ 20 V	-	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN3070SSN-7 MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 Diodes Incorporated	1,376 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11434 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	40mOhm a 4.2A, 10V	2.1V a 250µA	13.2 nC @ 10 V	±20V	697 pF @ 15 V	-	780mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UQ-7 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	1,824 En stock	1 : $0.67000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14959 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	90mOhm a 3.6A, 4.5V	1V a 50µA	7 nC @ 4.5 V	±8V	594.3 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2043UCA3-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3 Diodes Incorporated	1,358 En stock 510,000 Fábrica	1 : $0.70000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.14799 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	45mOhm a 1A, 4.5V	1.2V a 250µA	1.9 nC @ 4.5 V	-20V	425 pF @ 10 V	-	650mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DSN1010-3	3-XFDFN
DMP6110SFDF-13 MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN Diodes Incorporated	9,683 En stock	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.14459 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.2A (Ta)	4.5V, 10V	110mOhm a 4.5A, 10V	3V a 250µA	17.2 nC @ 10 V	±20V	969 pF @ 30 V	-	1.97W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico F)	Placa descubierta 6-UDFN
DMG2302UQ-13 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	14,994 En stock	1 : $0.67000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.12859 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	90mOhm a 3.6A, 4.5V	1V a 50µA	7 nC @ 4.5 V	±8V	594.3 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN10H099SFG-7 MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 Diodes Incorporated	1,611 En stock 18,000 Fábrica	1 : $1.06000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.26714 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4.2A (Ta)	6V, 10V	80mOhm a 3.3A, 10V	3V a 250µA	25.2 nC @ 10 V	±20V	1172 pF @ 50 V	-	980mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
NVGS3130NT1G MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP onsemi	2,881 En stock 9,000 Fábrica	1 : $1.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.46158 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	2.5V, 4.5V	24mOhm a 5.6A, 4.5V	1.4V a 250µA	20.3 nC @ 4.5 V	±8V	935 pF @ 16 V	-	600mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
ZXMN10A25KTC MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 Diodes Incorporated	4,509 En stock 2,500 Fábrica	1 : $1.92000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.52278 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4.2A (Ta)	6V, 10V	125mOhm a 2.9A, 10V	4V a 250µA	17.16 nC @ 10 V	±20V	859 pF @ 50 V	-	2.11W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMP2305UVT-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 Diodes Incorporated	1,650 En stock 24,000 Fábrica	1 : $0.60000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13253 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	60mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	7.6 nC @ 4.5 V	±8V	727 pF @ 20 V	-	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSOT-26	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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