4.1 A (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 50
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP SemiconductorsonsemiPanjit International Inc.Vishay SiliconixYAGEO XSEMI
Serie
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®XP3P050A
Embalaje
BolsaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®Granel
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V12 V20 V30 V60 V80 V150 V900 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.7V, 4.5V4.5V4.5V, 10V6V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
32mOhm a 5.3A, 4.5V42mOhm a 4.1A, 10V42mOhm a 5.7A, 10V45mOhm a 2.5A, 4.5V46mOhm a 4.1A, 4.5V47mOhm a 1A, 4.5V48mOhm a 4.3A, 10V50mOhm a 4A, 10V52mOhm a 4.1A, 10V55mOhm a 2.4A, 4.5V55mOhm a 4.1A, 10V56mOhm a 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
900mV a 250µA1V a 250µA1.1V a 5µA1.2V a 250µA1.25V a 250µA1.5V a 250µA2V a 250µA2.1V a 250µA2.4V a 250µA2.7V a 250µA3V a 250µA4V a 250µA-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
2.3 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10.3 nC @ 10 V10.4 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V12.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-6V±8V8V±12V±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
209 pF @ 15 V218 pF @ 10 V290 pF @ 16 V350 pF @ 10 V365 pF @ 10 V452 pF @ 10 V502 pF @ 30 V504 pF @ 40 V520 pF @ 15 V580 pF @ 15 V588 pF @ 30 V650 pF @ 15 V
Disipación de potencia (Máx.)
350mW350mW (Ta)510mW (Ta), 5W (Tc)530mW (Ta), 6.25W (Tc)750mW (Ta)900mW900mW (Ta)960mW (Ta)1W (Ta)1.2W (Ta)1.25W (Ta)1.3W
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP8-SO8-SO FLMP8-SOICDFN2020MD-6Micro3™/SOT-23SC75-6 FLMPSOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)SOT-89SOT-89-3SuperSOT™-6
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, SOT-23-3 variante4-UFBGA, WLBGAPlaca descubierta 6-UDFN8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) placa descubiertaSC-74, SOT-457SC-75-6 FLMPSOT-23-6 delgado, TSOT-23-6TO-220-3 paquete completoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-243AATO-261-4, TO-261AA
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
50Resultados
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de 50
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
48,268
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11408
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Ta)
4.5V, 10V
42mOhm a 4.1A, 10V
2V a 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
209 pF @ 15 V
-
510mW (Ta), 5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
223,655
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09419
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
46mOhm a 4.1A, 4.5V
1.1V a 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-223-3
DMN6068SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Diodes Incorporated
18,807
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.19731
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4.1 A (Ta)
4.5V, 10V
68mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
SOT-23-3
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
49,930
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.31491
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
4.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
32mOhm a 5.3A, 4.5V
1V a 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1100 pF @ 6 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-SOIC
FDS2582
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
5,649
En stock
1 : $1.27000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.52733
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
4.1 A (Ta)
6V, 10V
66mOhm a 4.1A, 10V
4V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SOT 23
SI3407-TP
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
Micro Commercial Co
65,013
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Ta)
10V
87mOhm a 2.9A, 4.5V
3V a 250µA
-
±20V
700 pF @ 15 V
-
1.3W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
SI2305-TP
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Micro Commercial Co
12,267
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08949
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
8 V
4.1 A (Ta)
4.5V
90mOhm a 2A, 1.8V
900mV a 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN2F30FHTA
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Diodes Incorporated
25,132
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11273
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
45mOhm a 2.5A, 4.5V
1.5V a 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±12V
452 pF @ 10 V
-
960mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AP7387Q-30Y-13
DMN6070SY-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Diodes Incorporated
2,523
En stock
62,500
Fábrica
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.12086
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4.1 A (Ta)
4.5V, 10V
85mOhm a 2.5A, 10V
3V a 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
588 pF @ 30 V
-
2.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-89-3
TO-243AA
SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,979
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.34466
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
4.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
32mOhm a 5.3A, 4.5V
1V a 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1100 pF @ 6 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-SOIC
SI9435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Vishay Siliconix
10,697
En stock
1 : $0.86000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.35486
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Ta)
4.5V, 10V
42mOhm a 5.7A, 10V
3V a 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
FDS86242
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
24,294
En stock
1 : $1.10000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.45702
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
4.1 A (Ta)
6V, 10V
67mOhm a 4.1A, 10V
4V a 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 75 V
-
2.5W (Ta), 5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
DMP2047UCB4-7
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
8,933
En stock
420,000
Fábrica
1 : $0.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23098
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
47mOhm a 1A, 4.5V
1.2V a 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
-6V
218 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-WLB1010-4
4-UFBGA, WLBGA
8-SOIC
SI9435BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Vishay Siliconix
2,371
En stock
1 : $0.90000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.33750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Ta)
10V
42mOhm a 5.7A, 10V
3V a 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN48XPAX
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
2,355
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15178
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
55mOhm a 2.4A, 4.5V
1.25V a 250µA
13 nC @ 4.5 V
±12V
1000 pF @ 10 V
-
530mW (Ta), 6.25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
6-TSOP
SC-74, SOT-457
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN48XP,125
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
5,880
En stock
1 : $0.49000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16623
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
55mOhm a 2.4A, 4.5V
1.25V a 250µA
13 nC @ 4.5 V
±12V
1000 pF @ 10 V
-
530mW (Ta), 6.25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSOP
SC-74, SOT-457
SOT-223-3
DMN6068SEQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Diodes Incorporated
2,402
En stock
572,000
Fábrica
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.22735
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4.1 A (Ta)
4.5V, 10V
68mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
ONSONSNUP4301MR6T1
SI3442DV
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Fairchild Semiconductor
32,796
Mercado
2,049 : $0.15000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.7V, 4.5V
60mOhm a 4.1A, 4.5V
1V a 250µA
14 nC @ 4.5 V
8V
365 pF @ 10 V
-
1.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SuperSOT™-6
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
ONSONSNUP4301MR6T1
NDC631N
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Fairchild Semiconductor
11,785
Mercado
1,665 : $0.18000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
2.7V, 4.5V
60mOhm a 4.1A, 4.5V
1V a 250µA
14 nC @ 4.5 V
8V
365 pF @ 10 V
-
1.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SuperSOT™-6
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
GSFKW0202
GSF3407
MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Good-Ark Semiconductor
14,663
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05343
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Ta)
4.5V, 10V
55mOhm a 4.1A, 10V
2.4V a 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
580 pF @ 15 V
-
1.2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT54
GSF0304
MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.1A, -30
Good-Ark Semiconductor
5,955
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05947
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Ta)
4.5V, 10V
65mOhm a 4.1A, 10V
2.1V a 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFKW0202
GSFC0301
MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Good-Ark Semiconductor
6,000
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07070
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Ta)
2.5V, 10V
65mOhm a 4A, 10V
-
11 nC @ 4.5 V
±12V
1175 pF @ 15 V
-
1.56W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
13,943
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05948
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
56mOhm a 4.1A, 4.5V
1.2V a 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
350 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
G6N02L
G3035L
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Goford Semiconductor
2,785
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07427
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Ta)
4.5V, 10V
59mOhm a 2.1A, 10V
2V a 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
28,823
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08443
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
56mOhm a 4.1A, 4.5V
1.2V a 250µA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
350 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 50

4.1 A (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.