3A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 270

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	90,198 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05231 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	120mOhm a 2.8A, 4.5V	1.2V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2302-TP MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 MCC (Micro Commercial Components)	71,979 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09838 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	72mOhm a 3.6A, 4.5V	1.2V a 50µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	237 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3421E MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	895,437 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07783 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	95mOhm a 3A, 10V	2.5V a 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	215 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variante
CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Texas Instruments	161,590 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09156 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	1.8V, 8V	121mOhm a 500mA, 8V	1.1V a 250µA	2.04 nC @ 8 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
SI2310-TP MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	22,447 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09474 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3A (Ta)	10V	125mOhm a 3A, 4.5V	2V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	247 pF @ 30 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	39,250 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10168 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	98mOhm a 3A, 10V	2.5V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 25 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2123LQ-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	10,471 En stock	1 : $0.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13961 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	72mOhm a 3.5A, 4.5V	1.25V a 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN339AN MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 onsemi	32,048 En stock	1 : $0.75000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17631 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	35mOhm a 3A, 4.5V	1.5V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	700 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC5614P MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 onsemi	10,782 En stock	1 : $0.92000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.22397 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	105mOhm a 3A, 10V	3V a 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	759 pF @ 30 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Diodes Incorporated	12,829 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.27111 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	125mOhm a 2.2A, 10V	1V a 250µA	17.7 nC @ 10 V	±20V	637 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
NTF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 onsemi	17,717 En stock	1 : $1.28000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.37552 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3A (Ta)	5V	120mOhm a 1.5A, 5V	2V a 250µA	15 nC @ 5 V	±15V	440 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
NVF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 onsemi	11,872 En stock	1 : $1.48000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.44451 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3A (Ta)	5V	120mOhm a 1.5A, 5V	2V a 250µA	15 nC @ 5 V	±15V	440 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
EPC2054 TRANS GAN 200V DIE 43MOHM EPC	94,948 En stock	1 : $2.50000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.76000 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	200 V	3A (Ta)	5V	43mOhm a 1A, 5V	2.5V a 1mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	573 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
SI7898DP-T1-E3 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	7,010 En stock	1 : $2.56000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.74492 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	3A (Ta)	6V, 10V	85mOhm a 3.5A, 10V	4V a 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
FDS2734 MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC onsemi	10,229 En stock	1 : $2.81000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.84805 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	UltraFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	3A (Ta)	6V, 10V	117mOhm a 3A, 10V	4V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	2610 pF @ 100 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SI7439DP-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	6,233 En stock	1 : $4.91000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.78750 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	150 V	3A (Ta)	6V, 10V	90mOhm a 5.2A, 10V	4V a 250µA	135 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
DMG2301L-13 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	14,467 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04297 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	120mOhm a 2.8A, 4.5V	1.2V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K336R,LF MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	3,602 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09177 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	95mOhm a 2A, 10V	2.5V a 100µA	1.7 nC @ 4.5 V	±20V	126 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3K344R,LF MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	12,286 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09470 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	1.5V, 4.5V	71mOhm a 3A, 4.5V	1V a 1mA	2 nC @ 4 V	±8V	153 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
PMV90ENER MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Nexperia USA Inc.	1,644 En stock	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10494 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	72mOhm a 3A, 10V	2.5V a 250µA	5.5 nC @ 10 V	±20V	160 pF @ 15 V	-	460mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J135TU,LF MOSFET P-CH 20V 3A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	5,499 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10769 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	1.5V, 4.5V	103mOhm a 1A, 4.5V	1V a 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	±8V	270 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	UFM	3-SMD, conductores planos
RQ5A030APTL MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 Rohm Semiconductor	5,030 En stock	1 : $0.56000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12696 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	3A (Ta)	1.5V, 4.5V	62mOhm a 3A, 4.5V	1V a 1mA	16 nC @ 4.5 V	-8V	2000 pF @ 6 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSMT3	SC-96
DMP2123L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Diodes Incorporated	120,452 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12523 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	72mOhm a 3.5A, 4.5V	1.25V a 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2130L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Diodes Incorporated	6,958 En stock	1 : $0.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13961 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	75mOhm a 3.5A, 4.5V	1.25V a 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP6185SEQ-13 MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223 Diodes Incorporated	1,823 En stock	1 : $0.64000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.14704 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	150mOhm a 2.2A, 10V	3V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	708 pF @ 30 V	-	2.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA

Demostración

de 270

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS