390mA (Ta) FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-SOT323
BSS223PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Infineon Technologies
63,332
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03360
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
390mA (Ta)
2.5V, 4.5V
1.2Ohm a 390mA, 4.5V
1.2V a 1.5µA
0.62 nC @ 4.5 V
±12V
56 pF @ 15 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
0
En stock
500,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.02924
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
390mA (Ta)
1.5V, 4.5V
1.4Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 250µA
0.3 nC @ 4.5 V
±8V
17 pF @ 16 V
-
340mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
SOT-23-3
DMN62D2UQ-7
2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Diodes Incorporated
0
En stock
111,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.04444
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
390mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
0.8 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 30 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN62D2UQ-13
2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.04988
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
390mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
0.8 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 30 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN62D2U-13
2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Diodes Incorporated
0
En stock
160,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.05287
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
390mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
41 pF @ 30 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN62D2U-7
2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Diodes Incorporated
0
En stock
60,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.06387
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
390mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
41 pF @ 30 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCR 162T E6327
BSA223SP
MOSFET P-CH 20V 390MA SC75
Infineon Technologies
0
En stock
3,000 : $0.09354
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Discontinuo en Digi-Key
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
390mA (Ta)
2.5V, 4.5V
1.2Ohm a 390mA, 4.5V
1.2V a 1.5µA
0.62 nC @ 4.5 V
±12V
56 pF @ 15 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SC75-3D
SC-75, SOT-416
PG-SOT323
BSS223PW L6327
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
390mA (Ta)
2.5V, 4.5V
1.2Ohm a 390mA, 4.5V
1.2V a 1.5µA
0.62 nC @ 4.5 V
±12V
56 pF @ 15 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
Demostración
de 8

390mA (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.