380mA (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 26
Fabricante
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
Serie
-TrenchFET®TrenchMOS™
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Estado del producto
ActivoObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V50 V60 V200 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V1.8V, 5V2.5V, 10V4.5V, 10V5V, 10V6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
680mOhm a 380mA, 10V900mOhm a 420mA, 10V2Ohm a 100mA, 4.5V2Ohm a 500mA, 10V2Ohm a 50mA, 5V2.3Ohm a 380mA, 10V2.35Ohm a 500mA, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 250µA1.5V a 250µA2V a 10µA2.5V a 1mA2.6V a 250µA4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.3 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 10 V0.36 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
19 pF @ 15 V20 pF @ 30 V23.2 pF @ 25 V28.5 pF @ 30 V30 pF @ 25 V32 pF @ 30 V39 pF @ 25 V47 pF @ 30 V50 pF @ 25 V510 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
400µW200mW (Ta)200mW290mW (Ta)290mW300mW (Ta)310mW (Ta)370mW (Ta)380mW (Ta)380mW (Ta), 2.8W (Tc)400mW (Ta)750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Paquete del dispositivo del proveedor
DFN0606-3SOT-23-3 (TO-236)SOT-23-3SOT-323SOT-883
Paquete / Caja (carcasa)
3-XFDFNSC-101, SOT-883SC-70, SOT-323TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
26Resultados
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Demostración
de 26
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
DMN62D0U-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
180,295
En stock
384,000
Fábrica
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05402
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)1.8V, 4.5V2Ohm a 100mA, 4.5V1V a 250µA0.5 nC @ 4.5 V±20V32 pF @ 30 V-380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
171,316
En stock
1,840,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03073
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V380mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN63D8LW-7
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
38,236
En stock
690,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03995
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V380mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
DFN0606-3
NX138BKHH
MOSFET N-CH 60V 380MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
57,479
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03606
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)-2.3Ohm a 380mA, 10V1.5V a 250µA0.7 nC @ 10 V±20V20 pF @ 30 V-380mW (Ta), 2.8W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieDFN0606-33-XFDFN
SC-101 SOT-883
NX138BKMYL
MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
39,399
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03606
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)-2.3Ohm a 380mA, 10V1.5V a 250µA0.7 nC @ 10 V±20V20 pF @ 30 V-380mW (Ta), 2.8W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-883SC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMN62D0U-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
56,488
En stock
160,000
Fábrica
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04155
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)1.8V, 4.5V2Ohm a 100mA, 4.5V1V a 250µA0.5 nC @ 4.5 V±20V32 pF @ 30 V-380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMP31D7LW-7
MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323
Diodes Incorporated
3,088
En stock
105,000
Fábrica
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06078
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V380mA (Ta)4.5V, 10V900mOhm a 420mA, 10V2.6V a 250µA0.36 nC @ 4.5 V±20V19 pF @ 15 V-290mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
BAS40xW-Ax1XX
BSS138BWAHZGT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Rohm Semiconductor
9,148
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10274
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)2.5V, 10V680mOhm a 380mA, 10V2V a 10µA-±20V47 pF @ 30 V-200mW150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
BAS40xW-Ax1XX
BSS138BKWT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Rohm Semiconductor
11,261
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08404
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)2.5V, 10V680mOhm a 380mA, 10V2V a 10µA-±20V47 pF @ 30 V-200mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMN63D1L-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
9,900
En stock
140,000
Fábrica
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03434
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2.5V a 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03638
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2.5V a 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002KQ-7
2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.05245
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2.5V a 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D1LW-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
0
En stock
160,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.03795
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2.5V a 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-310mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN52D0UW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.04258
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V380mA (Ta)1.8V, 5V2Ohm a 50mA, 5V1V a 250µA1.4 nC @ 10 V±12V39 pF @ 25 V-400µW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN52D0UWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.04756
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V380mA (Ta)1.8V, 5V2Ohm a 50mA, 5V1V a 250µA1.4 nC @ 10 V±12V39 pF @ 25 V-400mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN63D1LW-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
0
En stock
315,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.04933
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2.5V a 1mA0.3 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-310mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMP31D7LW-13
MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323
Diodes Incorporated
0
En stock
90,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.05026
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V380mA (Ta)4.5V, 10V900mOhm a 420mA, 10V2.6V a 250µA0.36 nC @ 4.5 V±20V19 pF @ 15 V-290mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMP31D7LWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.05117
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V380mA (Ta)4.5V, 10V900mOhm a 420mA, 10V2.6V a 250µA0.36 nC @ 10 V±20V19 pF @ 15 V-290mW-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN52D0UW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
174,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.05761
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V380mA (Ta)1.8V, 5V2Ohm a 50mA, 5V1V a 250µA1.4 nC @ 10 V±12V39 pF @ 25 V-400µW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMN52D0UWQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.06435
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V380mA (Ta)1.8V, 5V2Ohm a 50mA, 5V1V a 250µA1.4 nC @ 10 V±12V39 pF @ 25 V-400mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-323
DMP31D7LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
114,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.06652
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V380mA (Ta)4.5V, 10V900mOhm a 420mA, 10V2.6V a 250µA0.36 nC @ 10 V±20V19 pF @ 15 V-290mW-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
SI2327DS-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
Vishay Siliconix
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal PMOSFET (óxido de metal)200 V380mA (Ta)6V, 10V2.35Ohm a 500mA, 10V4.5V a 250µA12 nC @ 10 V±20V510 pF @ 25 V-750mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2327DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
Vishay Siliconix
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal PMOSFET (óxido de metal)200 V380mA (Ta)6V, 10V2.35Ohm a 500mA, 10V4.5V a 250µA12 nC @ 10 V±20V510 pF @ 25 V-750mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN61D9U-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)1.8V, 5V2Ohm a 50mA, 5V1V a 250µA0.4 nC @ 4.5 V±20V28.5 pF @ 30 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN61D9U-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V380mA (Ta)1.8V, 5V2Ohm a 50mA, 5V1V a 250µA0.4 nC @ 4.5 V±20V28.5 pF @ 30 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 26

380mA (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.