380mA (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 29
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Demostración
de 29
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
45,705
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03652
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
194,951
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05164
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
1.8V, 4.5V
2Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
380mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
38,087
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03373
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
380mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
14,915
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04297
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
1.8V, 4.5V
2Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
380mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323
Diodes Incorporated
1,843
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06290
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
380mA (Ta)
4.5V, 10V
900mOhm a 420mA, 10V
2.6V a 250µA
0.36 nC @ 4.5 V
±20V
19 pF @ 15 V
-
290mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
BSS138BKWT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Rohm Semiconductor
33,944
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08385
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
2.5V, 10V
680mOhm a 380mA, 10V
2V a 10µA
-
±20V
47 pF @ 30 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
BSS138BKWT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Rohm Semiconductor
4,475
En stock
1 : $0.52000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11686
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
2.5V, 10V
680mOhm a 380mA, 10V
2V a 10µA
-
±20V
47 pF @ 30 V
-
200mW
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
8,829
En stock
40,000
Fábrica
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03686
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
2,785
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02546
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23
60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Taiwan Semiconductor Corporation
2,925
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05168
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 380mA, 10V
2.5V a 250µA
1.7 nC @ 10 V
±20V
35 pF @ 30 V
-
806mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
384
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04083
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
380mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
BC847A
60V, Single N MOSFET, RDS(ON) 30
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
300
Mercado
1 : $0.05000
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-883
MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
0
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.02922
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
-
2.3Ohm a 380mA, 10V
1.5V a 250µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
380mW (Ta), 2.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
NX138AKHH
MOSFET N-CH 60V 380MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
0
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.02922
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
-
2.3Ohm a 380mA, 10V
1.5V a 250µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
380mW (Ta), 2.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN0606-3
3-XFDFN
SOT-23-3
2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Diodes Incorporated
3
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05855
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.03994
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
310mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.04383
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
380mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
1.4 nC @ 10 V
±12V
39 pF @ 25 V
-
400µW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.04793
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
380mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
1.4 nC @ 10 V
±12V
39 pF @ 25 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
0
En stock
312,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.04810
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
310mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.05085
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
380mA (Ta)
4.5V, 10V
900mOhm a 420mA, 10V
2.6V a 250µA
0.36 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 15 V
-
290mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
En stock
10,000 : $0.05105
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
123,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.05264
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
380mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
1.4 nC @ 10 V
±12V
39 pF @ 25 V
-
400µW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323
Diodes Incorporated
0
En stock
20,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
10,000 : $0.05265
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
380mA (Ta)
4.5V, 10V
900mOhm a 420mA, 10V
2.6V a 250µA
0.36 nC @ 4.5 V
±20V
19 pF @ 15 V
-
290mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
En stock
171,000
Fábrica
Consultar el plazo de entrega
3,000 : $0.05741
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
380mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
1.4 nC @ 10 V
±12V
39 pF @ 25 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
0
En stock
3,000 : $0.05985
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1V a 250µA
0.4 nC @ 4.5 V
±20V
28.5 pF @ 30 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 29

FET y MOSFET simples


Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.