37 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TSDSON-8
BSZ240N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
Infineon Technologies
7,645
En stock
1 : $2.18000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.61725
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
120 V
37 A (Tc)
10V
24mOhm a 20A, 10V
4V a 35µA
27 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 60 V
-
66W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
SIR401DP-T1-GE3
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
14,302
En stock
1 : $2.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.67475
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
37 A (Tc)
10V
47.5mOhm a 10A, 10V
4V a 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1805 pF @ 75 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5 DFN
NTMFS5C468NLT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
onsemi
1,249
En stock
1 : $0.93000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.24798
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
37 A (Tc)
4.5V, 10V
10.3mOhm a 20A, 10V
2V a 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 20 V
-
3.5W (Ta), 28W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN011-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
11,086
En stock
1 : $1.02000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.22060
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
37 A (Tc)
4.5V, 10V
11.6mOhm a 10A, 10V
1.95V a 1mA
10.3 nC @ 10 V
±20V
641 pF @ 15 V
-
29W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PG-TO247-3
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Infineon Technologies
634
En stock
1 : $5.87000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37 A (Tc)
10V
80mOhm a 11.8A, 10V
4V a 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3
MSC080SMA120B
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Microchip Technology
186
En stock
1 : $12.80000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
37 A (Tc)
20V
100mOhm a 15A, 20V
2.8V a 1mA
64 nC @ 20 V
+23V, -10V
838 pF @ 1000 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C3M0060065D
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
560
En stock
1 : $14.28000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
37 A (Tc)
15V
79mOhm a 13.2A, 15V
3.6V a 5mA
46 nC @ 15 V
+15V, -4V
1020 pF @ 600 V
-
150W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0060065K
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
309
En stock
1 : $17.84000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
37 A (Tc)
15V
79mOhm a 13.2A, 15V
3.6V a 5mA
46 nC @ 15 V
+15V, -4V
1020 pF @ 600 V
-
150W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
LFPAK33
BUK9M17-30EX
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,931
En stock
1 : $1.08000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.29403
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
37 A (Tc)
5V
14mOhm a 10A, 10V
2.1V a 1mA
8 nC @ 5 V
±10V
725 pF @ 25 V
-
44W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y25-80E,115
MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,910
En stock
1 : $1.46000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.41659
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
37 A (Tc)
5V, 10V
27mOhm a 10A, 5V
2.1V a 1mA
17.1 nC @ 5 V
±10V
2703 pF @ 25 V
-
95W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR606DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,082
En stock
1 : $2.07000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.57943
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
37 A (Tc)
6V, 10V
16.2mOhm a 15A, 10V
3.6V a 250µA
22 nC @ 6 V
±20V
1360 pF @ 50 V
-
44.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SQJA72EP-T1_GE3
SQJA72EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,466
En stock
1 : $2.09000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.58644
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
37 A (Tc)
4.5V, 10V
19mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1390 pF @ 25 V
-
55W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB Full Pack
IRFIZ48GPBF
MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3
Vishay Siliconix
2,442
En stock
1 : $3.23000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
37 A (Tc)
10V
18mOhm a 22A, 10V
4V a 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
PG-TO263-3
IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Infineon Technologies
1,655
En stock
1 : $5.19000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.00688
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37 A (Tc)
10V
80mOhm a 11.8A, 10V
4V a 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO220-3-1
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Infineon Technologies
287
En stock
1 : $5.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
37 A (Tc)
10V
80mOhm a 11.8A, 10V
4V a 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
FCP104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
onsemi
215
En stock
4,000
Fábrica
1 : $6.66000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37 A (Tc)
10V
104mOhm a 18.5A, 10V
3.5V a 250µA
82 nC @ 10 V
±20V
4165 pF @ 380 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
3,694
En stock
1 : $6.82000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37 A (Tc)
10V
99mOhm a 21A, 10V
3.8V a 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
2154 pF @ 100 V
-
417W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
HU3PAK
STHU32N65DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
STMicroelectronics
547
En stock
1 : $7.68000
Cinta cortada (CT)
600 : $4.62965
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
37 A (Tc)
10V
97mOhm a 18.5A, 10V
4.75V a 250µA
52.6 nC @ 10 V
±25V
2211 pF @ 100 V
-
320W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
HU3PAK
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0065100K
E3M0060065K
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Wolfspeed, Inc.
450
En stock
1 : $17.42000
Tubo
-
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
37 A (Tc)
15V
79mOhm a 13.2A, 15V
3.6V a 3.6mA
49 nC @ 15 V
+19V, -8V
1170 pF @ 600 V
-
131W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SOT-227-4, miniBLOC
APT10021JFLL
MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
Microchip Technology
60
En stock
1 : $101.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
37 A (Tc)
10V
210mOhm a 18.5A, 10V
5V a 5mA
395 nC @ 10 V
±30V
9750 pF @ 25 V
-
694W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
ISOTOP®
SOT-227-4, miniBLOC
LFPAK33
BUK9M23-80EX
MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
4,340
En stock
1 : $1.42000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.40033
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
37 A (Tc)
5V
20mOhm a 10A, 10V
2.1V a 1mA
20 nC @ 5 V
±10V
2808 pF @ 25 V
-
79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
LFPAK33
BUK7M22-80EX
MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
11,462
En stock
1 : $1.44000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.33445
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
37 A (Tc)
10V
22mOhm a 10A, 10V
4V a 1mA
23.9 nC @ 10 V
±20V
1643 pF @ 25 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
SQJA80EP-T1_GE3
SQJA72EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
9,000
En stock
1 : $1.95000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.54021
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
37 A (Tc)
4.5V, 10V
19mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1390 pF @ 25 V
-
55W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C468NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 37A 5DFN
onsemi
1,205
En stock
1 : $2.05000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.61772
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
37 A (Tc)
4.5V, 10V
10.3mOhm a 20A, 10V
2V a 250µA
7.3 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 25 V
-
28W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie, lateral humedecible
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN, 5 conductores
TO-247-3 AD EP
FCH104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
onsemi
760
En stock
1 : $5.65000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37 A (Tc)
10V
104mOhm a 18.5A, 10V
5V a 250µA
139 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 100 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
Demostración
de 79

37 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.