37.9A (Tc) FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO220-3-1
IPP60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Infineon Technologies
996
En stock
1 : $6.20000
Tubo
-
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 18.1A, 10V
3.5V a 1.21mA
119 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 100 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO247-3
IPW60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Infineon Technologies
422
En stock
1 : $5.30000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 14.5A, 10V
4.5V a 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
PG-TO263-3
IPB60R099C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
Infineon Technologies
3,360
En stock
1 : $6.40000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.54562
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 18.1A, 10V
3.5V a 1.21mA
119 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 100 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IHW15N120R3FKSA1
IPW60R099C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Infineon Technologies
390
En stock
1 : $6.97000
Tubo
-
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 18.1A, 10V
3.5V a 1.21mA
119 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 100 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-1
TO-247-3
PG-TO220-FP
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Infineon Technologies
208
En stock
1 : $5.07000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 14.5A, 10V
4.5V a 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
34W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-FP
TO-220-3 paquete completo
AIMZA75R016M1HXKSA1
IPZ60R099P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Infineon Technologies
186
En stock
1 : $6.49000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 14.5A, 10V
4.5V a 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4
TO-247-4
PG-TO220-3-1
IPP60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Infineon Technologies
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $5.58000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 14.5A, 10V
4.5V a 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO220-FP
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Infineon Technologies
0
En stock
500 : $4.31866
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 18.1A, 10V
3.5V a 1.21mA
119 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 100 V
-
35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-FP
TO-220-3 paquete completo
AIMZA75R016M1HXKSA1
IPZ60R125P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
37.9A (Tc)
10V
99mOhm a 14.5A, 10V
4.5V a 1.21mA
70 nC @ 10 V
±20V
3330 pF @ 100 V
-
219W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4
TO-247-4
Demostración
de 9

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.