36 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
4,056
En stock
1 : $1.19000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.28726
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
36 A (Tc)
2.5V, 4.5V
4.7mOhm a 18A, 4.5V
1.2V a 1mA
65 nC @ 5 V
±12V
4300 pF @ 10 V
-
42W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
8-PowerVDFN
PowerPak SO-8L
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
23,381
En stock
1 : $1.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.39687
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB PKG
IRF540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Infineon Technologies
11,651
En stock
1 : $1.35000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
36 A (Tc)
10V
26.5mOhm a 22A, 10V
4V a 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1770 pF @ 25 V
-
92W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRL540NPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Infineon Technologies
756
En stock
1 : $1.65000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
36 A (Tc)
4V, 10V
44mOhm a 18A, 10V
2V a 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Infineon Technologies
31,356
En stock
1 : $2.10000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.79663
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
36 A (Tc)
4V, 10V
44mOhm a 18A, 10V
2V a 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
3.8W (Ta), 140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SI9407BDY-T1-GE3
SI4497DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Vishay Siliconix
11,156
En stock
1 : $2.19000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.77832
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
3.3mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
285 nC @ 10 V
±20V
9685 pF @ 15 V
-
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $2.37000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.06471
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
17mOhm a 18A, 10V
2.5V a 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 10 V
-
1.8W (Ta), 56W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TDSON-8-1
BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Infineon Technologies
9,746
En stock
1 : $2.77000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.34260
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
36 A (Tc)
10V
32mOhm a 36A, 10V
4V a 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
772
En stock
1 : $4.74000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $2.06250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
36 A (Tc)
-
-
-
-
±20V
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
TO-252AA
IXFY36N20X3
MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
Littelfuse Inc.
4,425
En stock
1 : $5.54000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
36 A (Tc)
10V
45mOhm a 18A, 10V
4.5V a 500µA
21 nC @ 10 V
±20V
1425 pF @ 25 V
-
176W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-3P
IXTQ36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO3P
Littelfuse Inc.
1,029
En stock
1 : $8.01000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
36 A (Tc)
10V
110mOhm a 18A, 10V
4.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-263-D2PAK
IXTA36P15P-TRL
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Littelfuse Inc.
5,089
En stock
1 : $8.03000
Cinta cortada (CT)
800 : $3.44313
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
36 A (Tc)
10V
110mOhm a 18A, 10V
4.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Infineon Technologies
417
En stock
1 : $8.96000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-4-1
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
322
En stock
1 : $10.30000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-1
TO-247-4
SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
C3M0060065J
SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
3,250
En stock
1 : $14.28000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
36 A (Tc)
15V
79mOhm a 13.2A, 15V
3.6V a 5mA
46 nC @ 15 V
+15V, -4V
1020 pF @ 600 V
-
136W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C2D10120D
C3M0065090D
SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,666
En stock
1 : $20.01000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
36 A (Tc)
15V
78mOhm a 20A, 15V
3.5V a 5mA
30.4 nC @ 15 V
+18V, -8V
660 pF @ 600 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
STL9P4LF6AG
STL8N6F7
MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
STMicroelectronics
3,278
En stock
1 : $1.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.29399
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
36 A (Tc)
10V
25mOhm a 4A, 10V
4V a 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (3.3x3.3)
8-PowerVDFN
TO-220-3
XP9561GI
MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM
YAGEO XSEMI
726
En stock
1 : $1.26000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
16mOhm a 30A, 10V
3V a 250µA
40 nC @ 4.5 V
±20V
2780 pF @ 25 V
-
33.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220CFM
TO-220-3 paquete completo
SQJA80EP-T1_GE3
SQJ457EP-T1_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
8,126
En stock
1 : $1.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.38850
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SI9407BDY-T1-GE3
SI4154DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
Vishay Siliconix
11,337
En stock
1 : $1.53000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.56610
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
3.3mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 20 V
-
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
2,767
En stock
1 : $1.63000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.73039
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
30mOhm a 18A, 10V
-
52 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta), 56W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
9,980
En stock
1 : $1.81000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.74269
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
17mOhm a 18A, 10V
2.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta), 56W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DPAK
STD36P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
STMicroelectronics
4,756
En stock
1 : $1.86000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.51775
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
36 A (Tc)
4.5V, 10V
20.5mOhm a 18A, 10V
2.5V a 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
60W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263AB
IXTA36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Littelfuse Inc.
910
En stock
1 : $5.13000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
36 A (Tc)
10V
110mOhm a 18A, 10V
5.5V a 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
IXTP36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
Littelfuse Inc.
382
En stock
1 : $7.05000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
36 A (Tc)
10V
110mOhm a 18A, 10V
4.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
Demostración
de 191

36 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.