350mA (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 54
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
Excluir
54Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 54
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
476,189
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02958
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
213,312
En stock
66,000
Fábrica
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02815
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX138AKHH
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
15,487
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.02908
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
4.5V, 10V
2.8Ohm a 200mA, 10V
2.1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
22.2 pF @ 30 V
-
380mW (Ta), 2.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN0606-3
3-XFDFN
SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
79,349
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.02754
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2.8Ohm a 200mA, 10V
2.1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
TL431BFDT-QR
2N7002BKVL
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
20,953
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.02958
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
18,574
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.04182
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
1.5V a 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
223mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523 conductores planos
SC-89, SOT-490
BC856BMBYL
NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
9,108
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03626
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2.8Ohm a 200mA, 10V
2.1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN1006B-3
3-XFDFN
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
682,868
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04830
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
1.8V, 4.5V
1.4Ohm a 350mA, 4.5V
1.1V a 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
PG-SOT223-4
BSP89H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
4,475
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.18054
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
240 V
350mA (Ta)
4.5V, 10V
6Ohm a 350mA, 10V
1.8V a 108µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223-4
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
7,608
En stock
1 : $0.63000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.18768
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
240 V
350mA (Ta)
2.8V, 10V
6Ohm a 350mA, 10V
1.4V a 108µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
95 pF @ 25 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223-4
BSP129H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
11,911
En stock
1 : $0.74000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.26520
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N, modo de implementación
MOSFET (óxido de metal)
240 V
350mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm a 350mA, 10V
1V a 108µA
5.7 nC @ 5 V
±20V
108 pF @ 25 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
SOT-883
NX5008NBKMYL
MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
28,865
En stock
1 : $0.11000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03889
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
350mA (Ta)
-
2.8Ohm a 200mA, 4.5V
900mV a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
29 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 2.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
NX138AKHH
NX5008NBKHH
MOSFET N-CH 50V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
26,747
En stock
1 : $0.11000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03959
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
350mA (Ta)
-
2.8Ohm a 200mA, 4.5V
900mV a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
30 pF @ 25 V
-
380mW (Ta), 2.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN0606-3
3-XFDFN
SOT-523
DMN52D0LT-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
5,650
En stock
96,000
Fábrica
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04794
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
350mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1.2V a 250µA
1.5 nC @ 10 V
±12V
40 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
SOT-523
DMN52D0LT-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Diodes Incorporated
9,650
En stock
300,000
Fábrica
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04918
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
350mA (Ta)
1.8V, 5V
2Ohm a 50mA, 5V
1.2V a 250µA
1.5 nC @ 10 V
±12V
40 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
DMN63D8L-13
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3
Diodes Incorporated
7,015
En stock
480,000
Fábrica
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03373
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
DMN31D6UT-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
Diodes Incorporated
2,368
En stock
957,000
Fábrica
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04196
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 4.5V
1.5Ohm a 100mA, 4.5V
1.4V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±12V
13.6 pF @ 15 V
-
320mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
27,872
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.08976
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
1.5V a 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
223mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-523 conductores planos
SC-89, SOT-490
PG-SOT223-4
BSP88E6327
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
En stock
259,952
Mercado
1,000 : $0.29381
Cinta y rollo (TR)
1,217 : $0.25000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
240 V
350mA (Ta)
2.8V, 4.5V
6Ohm a 350mA, 10V
1.4V a 108µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
95 pF @ 25 V
-
1.7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
INFINFBCP49H6419XTMA1
BSP129L6906
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
16,000
Mercado
775 : $0.39000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N, modo de implementación
MOSFET (óxido de metal)
240 V
350mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm a 350mA, 10V
1V a 108µA
5.7 nC @ 5 V
±20V
108 pF @ 25 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT223-4-21
TO-261-4, TO-261AA
SOT-223-4
BSP129L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
En stock
237,893
Mercado
656 : $0.46000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N, modo de implementación
MOSFET (óxido de metal)
240 V
350mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm a 350mA, 10V
1V a 108µA
5.7 nC @ 5 V
±20V
108 pF @ 25 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT223-4-21
TO-261-4, TO-261AA
0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
IRFD310
0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
Harris Corporation
3,189
Mercado
199 : $1.51000
Granel
-
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
350mA (Ta)
10V
3.6Ohm a 210mA, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
4-DIP (0.300", 7.62mm)
4-DIP
IRFD310PBF
MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
Vishay Siliconix
2,002
En stock
Obsoleto
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
350mA (Ta)
10V
3.6Ohm a 210mA, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
4-HVMDIP
4-DIP (0.300", 7.62mm)
INFINFBFR843EL3E6327XTSA1
NX7002BKMBYL
NEXPERIA NX7002B - 60V, N-CHANNE
NXP Semiconductors
31,002
Mercado
8,904 : $0.03000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2.8Ohm a 200mA, 10V
2.1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN1006B-3
3-XFDFN
AMNX138BKMN
AMNX138BKMN
MOSFET N-CH 60V 0.35A SOT-883
Analog Power Inc.
19,000
Mercado
1 : $0.10000
Granel
-
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
1.8V, 10V
1.44Ohm a 500mA, 10V
1V a 250µA
440 pC @ 4.5 V
±20V
22.8 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
Demostración
de 54

350mA (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.