33 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 145
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
96,800
En stock
1 : $1.25000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
33 A (Tc)
10V
44mOhm a 16A, 10V
4V a 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-252AA (DPAK)
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Infineon Technologies
7,392
En stock
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.55664
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
33 A (Tc)
10V
42mOhm a 21A, 10V
5V a 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
1,788
En stock
1 : $1.79000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.56203
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
33 A (Tc)
10V
44mOhm a 16A, 10V
4V a 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TDSON-8-1
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Infineon Technologies
13,116
En stock
1 : $2.39000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.66925
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
33 A (Tc)
8V, 10V
36mOhm a 25A, 10V
4V a 45µA
15 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 75 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
4,241
En stock
1 : $2.61000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.95880
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
33 A (Tc)
10V
94mOhm a 16.5A, 10V
5V a 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220F-3
FDPF33N25T
MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
onsemi
9,986
En stock
1 : $2.81000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
33 A (Tc)
10V
94mOhm a 16.5A, 10V
5V a 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
3,374
En stock
1 : $6.71000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.26339
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
33 A (Tc)
10V
65mOhm a 17.1A, 10V
4.5V a 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3L
UJ3C120080K3S
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
onsemi
4,132
En stock
1 : $17.31000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
1200 V
33 A (Tc)
12V
100mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
254.2W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN40N90P
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
Littelfuse Inc.
259
En stock
1 : $41.34000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
33 A (Tc)
10V
210mOhm a 20A, 10V
6.5V a 1mA
230 nC @ 10 V
±30V
14000 pF @ 25 V
-
695W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y21-40E,115
MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,436
En stock
1 : $0.78000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.22363
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
33 A (Tc)
5V
17mOhm a 10A, 10V
2.1V a 1mA
7 nC @ 5 V
±10V
824 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PowerDI5060 UX
DMTH10H032LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Diodes Incorporated
2,853
En stock
5,000
Fábrica
1 : $0.98000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.23811
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
33 A (Tc)
4.5V, 10V
32mOhm a 5A, 10V
2.5V a 250µA
11.9 nC @ 10 V
±20V
683 pF @ 50 V
-
3.4W (Ta), 68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie, lateral humedecible
PowerDI5060-8 (típico UX)
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Infineon Technologies
1,821
En stock
1 : $1.64000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.71400
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
33 A (Tc)
10V
42mOhm a 21A, 10V
5V a 100µA
40 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP140NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
Infineon Technologies
3,606
En stock
1 : $2.54000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
33 A (Tc)
10V
52mOhm a 16A, 10V
4V a 250µA
94 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
10-PowerSOP Module
IPDD60R090CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Infineon Technologies
526
En stock
1 : $5.00000
Cinta cortada (CT)
1,700 : $1.97959
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
33 A (Tc)
-
90mOhm a 9.3A, 10V
4.5V a 470µA
42 nC @ 10 V
±20V
1747 pF @ 400 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-10-1
Módulo 10-PowerSOP
PG-VSON-4
IPL60R075CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Infineon Technologies
5,113
En stock
1 : $5.02000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $2.30301
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
33 A (Tc)
10V
75mOhm a 15.1A, 10V
4.5V a 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
189W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TO-263-3
SIHB33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Vishay Siliconix
1,086
En stock
1 : $5.41000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
33 A (Tc)
10V
99mOhm a 16.5A, 10V
4V a 250µA
150 nC @ 10 V
±30V
3508 pF @ 100 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-263-3
SIHB33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Vishay Siliconix
1,003
En stock
1 : $7.20000
Granel
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
33 A (Tc)
10V
98mOhm a 16.5A, 10V
4V a 250µA
155 nC @ 10 V
±30V
3454 pF @ 100 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
STP42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
STMicroelectronics
236
En stock
1 : $10.80000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
33 A (Tc)
10V
79mOhm a 16.5A, 10V
5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4650 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-247-3
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
STMicroelectronics
513
En stock
1 : $18.36000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
33 A (Tc)
18V
105mOhm a 20A, 18V
5V a 1mA
63 nC @ 18 V
+22V, -10V
1230 pF @ 800 V
-
290W (Tc)
-55°C ~ 200°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
HiP247™
TO-247-3
2,500
En stock
2,500 : $0.67757
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
33 A (Tc)
5V, 10V
14mOhm a 16.5A, 10V
2.5V a 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 25 V
-
1W (Ta), 97W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-HSON
Placa descubierta 8-SMD con conductor plano
SIR401DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,593
En stock
1 : $0.84000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23154
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
33 A (Tc)
4.5V, 10V
7.5mOhm a 10A, 10V
2.4V a 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V, -16V
1000 pF @ 15 V
-
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PSMNR82-30YLEX
BUK7Y21-40EX
MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,713
En stock
1 : $0.88000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.21930
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
33 A (Tc)
10V
21mOhm a 10A, 10V
4V a 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
617 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
BUK7M6R7-40HX
BUK9M28-80EX
MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,113
En stock
1 : $0.98000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.32436
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
33 A (Tc)
5V
25mOhm a 10A, 10V
2.1V a 1mA
16.7 nC @ 5 V
±10V
2275 pF @ 25 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
PG-VSON-4
IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Infineon Technologies
10,170
En stock
1 : $2.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.66600
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
33 A (Tc)
10V
105mOhm a 10.5A, 10V
4V a 530µA
45 nC @ 10 V
±20V
1952 pF @ 400 V
-
137W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
SI9407BDY-T1-GE3
SI4456DY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Vishay Siliconix
1,792
En stock
1 : $2.50000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.13680
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
33 A (Tc)
4.5V, 10V
3.8mOhm a 20A, 10V
2.8V a 250µA
122 nC @ 10 V
±20V
5670 pF @ 20 V
-
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Demostración
de 145

33 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.