32A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SQJ479EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	62,579 En stock	1 : $1.77000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.48052 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	33mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQJ469EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	9,425 En stock	1 : $3.89000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.30625 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	32A (Tc)	6V, 10V	25mOhm a 10.2A, 10V	2.5V a 250µA	155 nC @ 10 V	±20V	5100 pF @ 40 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IXTX32P60P MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3 IXYS	348 En stock	1 : $22.44000 Tubo	-	PolarP™	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	600 V	32A (Tc)	10V	350mOhm a 16A, 10V	4V a 1mA	196 nC @ 10 V	±20V	11100 pF @ 25 V	-	890W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PLUS247™-3	TO-247-3 variante
SQJ479EP-T1_BE3 P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Vishay Siliconix	5,698 En stock	1 : $1.77000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.48052 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	33mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	4500 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
IRFR3411TRPBF MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Infineon Technologies	3,253 En stock	1 : $1.84000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.50913 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	32A (Tc)	10V	44mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PSMN034-100BS,118 MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK Nexperia USA Inc.	1,520 En stock	1 : $2.04000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.65920 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	32A (Tc)	10V	34.5mOhm a 15A, 10V	4V a 1mA	23.8 nC @ 10 V	±20V	1201 pF @ 50 V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SQJ402EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	6,959 En stock	1 : $2.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.65437 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	11mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	51 nC @ 10 V	±20V	2289 pF @ 40 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
BSZ300N15NS5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON Infineon Technologies	4,699 En stock	1 : $2.79000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.83012 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	32A (Tc)	8V, 10V	30mOhm a 16A, 10V	4.6V a 32µA	13 nC @ 10 V	±20V	950 pF @ 75 V	-	62.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
IXTP32P05T MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB IXYS	2,866 En stock	1 : $3.47000 Tubo	-	TrenchP™	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	32A (Tc)	10V	39mOhm a 500mA, 10V	4.5V a 250µA	46 nC @ 10 V	±15V	1975 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
IXTA32P05T MOSFET P-CH 50V 32A TO263 IXYS	801 En stock 1,600 Fábrica	1 : $3.80000 Tubo	-	TrenchP™	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	32A (Tc)	10V	39mOhm a 500mA, 10V	4.5V a 250µA	46 nC @ 10 V	±15V	1975 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263AA	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHH080N60E-T1-GE3 E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 Vishay Siliconix	3,598 En stock	1 : $5.93000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.30125 Cinta y rollo (TR)	-	E	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	32A (Tc)	10V	80mOhm a 17A, 10V	5V a 250µA	63 nC @ 10 V	±30V	2557 pF @ 100 V	-	184W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 8 x 8	8-PowerTDFN
STW40N65M2 MOSFET N-CH 650V 32A TO247 STMicroelectronics	1,067 En stock	1 : $6.55000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	32A (Tc)	10V	99mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	56.5 nC @ 10 V	±25V	2355 pF @ 100 V	-	250W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
SPW32N50C3FKSA1 MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3 Infineon Technologies	524 En stock	1 : $8.64000 Tubo	-	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	560 V	32A (Tc)	10V	110mOhm a 20A, 10V	3.9V a 1.8mA	170 nC @ 10 V	±20V	4200 pF @ 25 V	-	284W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-1	TO-247-3
IXTA32P20T MOSFET P-CH 200V 32A TO263 IXYS	1,076 En stock	1 : $9.99000 Tubo	-	TrenchP™	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	200 V	32A (Tc)	10V	130mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	185 nC @ 10 V	±15V	14500 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263AA	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
AON7422G MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	2,455 En stock	1 : $0.86000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.19348 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	4.6mOhm a 20A, 10V	2.4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	2300 pF @ 15 V	-	28W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN
PSMN013-30YLC,115 MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	4,298 En stock	1 : $0.89000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.23401 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	32A (Tc)	10V	13.6mOhm a 10A, 10V	1.95V a 1mA	8.3 nC @ 10 V	±20V	521 pF @ 15 V	-	26W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
SQJ464EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	7,832 En stock	1 : $1.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.40470 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	17mOhm a 7.1A, 10V	2.5V a 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	2086 pF @ 30 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
NTD6414ANT4G MOSFET N-CH 100V 32A DPAK onsemi	1,690 En stock	1 : $1.61000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.43719 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	32A (Tc)	10V	37mOhm a 32A, 10V	4V a 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	1450 pF @ 25 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STL8N6LF6AG MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT STMicroelectronics	2,429 En stock	1 : $1.68000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.45248 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	STripFET™ F6	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	27mOhm a 9.6A, 10V	2.5V a 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	1340 pF @ 25 V	-	4.8W (Ta), 55W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6)	8-PowerVDFN
SQJ460AEP-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	1,332 En stock	1 : $2.05000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.57275 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	9.6mOhm a 18A, 10V	2.5V a 250µA	106 nC @ 10 V	±20V	4795 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQ4182EY-T1_GE3 MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC Vishay Siliconix	7,032 En stock	1 : $2.19000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.59400 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	3.8mOhm a 14A, 10V	2.5V a 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5400 pF @ 15 V	-	7.1W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SQ4182EY-T1_BE3 MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC Vishay Siliconix	5,341 En stock	1 : $2.19000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.62903 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	3.8mOhm a 14A, 10V	2.5V a 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	5400 pF @ 15 V	-	7.1W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SQJ402EP-T1_BE3 N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE Vishay Siliconix	6,054 En stock	1 : $2.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.65437 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	32A (Tc)	4.5V, 10V	11mOhm a 10.7A, 10V	2.5V a 250µA	51 nC @ 10 V	±20V	2286 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQJ456EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	3,382 En stock	1 : $6.00000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.33750 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	32A (Tc)	6V, 10V	26mOhm a 9.3A, 10V	3.5V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	3342 pF @ 25 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
STW35N65DM2 MOSFET N-CH 650V 32A TO247 STMicroelectronics	449 En stock	1 : $6.33000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ DM2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	32A (Tc)	10V	110mOhm a 16A, 10V	5V a 250µA	56.3 nC @ 10 V	±25V	2540 pF @ 100 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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