320mA (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 29

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	65,870 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03914 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 onsemi	136,403 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06484 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT7G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	48,268 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,500 : $0.03815 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2V7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23 onsemi	45,987 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05220 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	2.3V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D0UT-7 MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523 Diodes Incorporated	19,908 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05707 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	1.8V, 2.5V, 4.5V	2Ohm a 50mA, 4.5V	1V a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	230mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
ZVN2110A MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Diodes Incorporated	3,552 En stock 8,000 Fábrica	1 : $1.09000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	320mA (Ta)	10V	4Ohm a 1A, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVNL110A MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Diodes Incorporated	2,038 En stock	1 : $1.16000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	320mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.5V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVNL120GTA MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Diodes Incorporated	2,459 En stock	1 : $1.37000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.39470 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	320mA (Ta)	3V, 5V	10Ohm a 250mA, 5V	1.5V a 1mA	-	±20V	85 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
DMN62D0UT-13 MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523 Diodes Incorporated	3,047 En stock 160,000 Fábrica	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05030 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	1.8V, 2.5V, 4.5V	2Ohm a 50mA, 4.5V	1V a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	230mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
DMN63D1LT-13 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523 Diodes Incorporated	8,195 En stock 160,000 Fábrica	1 : $0.66000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.12609 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	392 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
ZVNL110ASTZ MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	1,945 En stock 12,000 Fábrica	2,000 : $0.30687 Cinta y caja 1 : $1.19000 Cinta cortada (CT)	-	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	320mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.5V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVN2120GTA MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Diodes Incorporated	191 En stock	1 : $1.42000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.41172 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	320mA (Ta)	10V	10Ohm a 250mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	85 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
ZVN2110ASTZ MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	1,812 En stock 4,000 Fábrica	2,000 : $0.28706 Cinta y caja 1 : $1.12000 Cinta cortada (CT)	-	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	320mA (Ta)	10V	4Ohm a 1A, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
TQM2N7002KCU RFG 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA Taiwan Semiconductor Corporation	2,980 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05835 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	4.5V, 10V	1.6Ohm a 320mA, 10V	2.5V a 250µA	1.7 nC @ 10 V	±20V	27.5 pF @ 30 V	-	316mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
IRFDC20PBF MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP Vishay Siliconix	5,395 En stock	1 : $2.99000 Tubo	-	-	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	320mA (Ta)	10V	4.4Ohm a 190mA, 10V	4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	4-HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
BSS138BKW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	106 En stock	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05151 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	10V	1.6Ohm a 320mA, 10V	1.6V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	56 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN62D1LFB-7B MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN Diodes Incorporated	609 En stock 320,000 Fábrica	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06053 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	1.5V, 4V	2Ohm a 100mA, 4V	1V a 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±20V	64 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
VTN138KWA 60V, Single N MOSFET, RDS(ON) 16 VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD	300 Mercado	1 : $0.08000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	2.5V, 10V	1.6Ohm a 320mA, 10V	1.6V a 250µA	1.3 nC @ 10 V	±20V	35 pF @ 25 V	-	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04062 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	10V	1.6Ohm a 300mA, 10V	1.5V a 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TA)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMN63D1LT-7 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523 Diodes Incorporated	0 En stock 306,000 Fábrica Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.14677 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	320mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	392 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
ZVN2110ASTOA MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16,000 : $0.27625 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	320mA (Ta)	10V	4Ohm a 1A, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVN2110ASTOB MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16,000 : $0.27625 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	320mA (Ta)	10V	4Ohm a 1A, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVNL110ASTOA MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16,000 : $0.27625 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	320mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.5V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVN2120GTC MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Diodes Incorporated	0 En stock	4,000 : $0.32083 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	320mA (Ta)	10V	10Ohm a 250mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	85 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
ZVNL120GTC MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 Diodes Incorporated	0 En stock	4,000 : $0.32083 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	320mA (Ta)	3V, 5V	10Ohm a 250mA, 5V	1.5V a 1mA	-	±20V	85 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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