31A (Tj) FET simple, MOSFET

Demostración

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	SCT4045DW7TL 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	424 En stock	1 : $11.79000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $7.16002 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	31A (Tj)	18V	59mOhm a 17A, 18V	4.8V a 8.89mA	63 nC @ 18 V	+21V, -4V	1460 pF @ 500 V	-	93W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
	SCT3080KRC15 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	350 En stock	1 : $13.25000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	31A (Tj)	18V	104mOhm a 10A, 18V	5.6V a 5mA	60 nC @ 18 V	+22V, -4V	785 pF @ 800 V	-	165W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.