30A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRLZ34NPBF MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Infineon Technologies	26,133 En stock	1 : $1.56000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	30A (Tc)	4V, 10V	35mOhm a 16A, 10V	2V a 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
SIR426DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	18,047 En stock	1 : $1.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.41606 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	10.5mOhm a 15A, 10V	2.5V a 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 20 V	-	4.8W (Ta), 41.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SQD70140EL_GE3 MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA Vishay Siliconix	6,222 En stock	1 : $1.75000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.49603 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	15mOhm a 30A, 10V	2.5V a 250µA	40 nC @ 10 V	±20V	2100 pF @ 25 V	-	71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRLR2908TRPBF MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Infineon Technologies	13,884 En stock	1 : $1.86000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.51618 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	28mOhm a 23A, 10V	2.5V a 250µA	33 nC @ 4.5 V	±16V	1890 pF @ 25 V	-	120W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIS890DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	10,743 En stock	1 : $1.95000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.53793 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	23.5mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	29 nC @ 10 V	±20V	802 pF @ 50 V	-	3.7W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
IPD30N10S3L34ATMA1 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Infineon Technologies	21,449 En stock	1 : $1.98000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.54179 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	31mOhm a 30A, 10V	2.4V a 29µA	31 nC @ 10 V	±20V	1976 pF @ 25 V	-	57W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIS892DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	832 En stock	1 : $2.14000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.60033 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	29mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	21.5 nC @ 10 V	±20V	611 pF @ 50 V	-	3.7W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
IRFP250NPBF MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Infineon Technologies	1,166 En stock	1 : $3.75000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	30A (Tc)	10V	75mOhm a 18A, 10V	4V a 250µA	123 nC @ 10 V	±20V	2159 pF @ 25 V	-	214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
SQJ461EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	3,036 En stock	1 : $3.89000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.30625 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	16mOhm a 14.4A, 10V	2.5V a 250µA	140 nC @ 10 V	±20V	4710 pF @ 30 V	-	83W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
FQPF47P06 MOSFET P-CH 60V 30A TO220F onsemi	3,692 En stock	1 : $4.25000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	QFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	30A (Tc)	10V	26mOhm a 15A, 10V	4V a 250µA	110 nC @ 10 V	±25V	3600 pF @ 25 V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
IXFY30N25X3 MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA IXYS	4,103 En stock	1 : $7.86000 Tubo	-	HiPerFET™, Ultra X3	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	30A (Tc)	10V	60mOhm a 15A, 10V	4.5V a 500µA	21 nC @ 10 V	±20V	1450 pF @ 25 V	-	176W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
C3M0075120J SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Wolfspeed, Inc.	3,569 En stock	1 : $12.88000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	30A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	4V a 5mA	51 nC @ 15 V	+19V, -8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0075120D SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	435 En stock	1 : $12.88000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	30A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	4V a 5mA	54 nC @ 15 V	+19V, -8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
C3M0075120J-TR SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7 Wolfspeed, Inc.	283 En stock	1 : $12.88000 Cinta cortada (CT) 800 : $6.01250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	C3M™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	30A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	4V a 5mA	51 nC @ 15 V	+15V, -4V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0075120K SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	537 En stock	1 : $13.71000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	30A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	4V a 5mA	51 nC @ 15 V	+19V, -8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
MCU30N02-TP MOSFET N-CH 20V 30A DPAK MCC (Micro Commercial Components)	3,785 En stock	1 : $0.78000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.18913 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	30A (Tc)	1.8V, 4.5V	7mOhm a 15A, 4.5V	1V a 250µA	29 nC @ 4.5 V	±10V	1700 pF @ 10 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD135N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Infineon Technologies	21,117 En stock	1 : $0.90000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.21656 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	13.5mOhm a 30A, 10V	2.2V a 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 15 V	-	31W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TSM340N06CP ROG MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252 Taiwan Semiconductor Corporation	15,755 En stock	1 : $1.13000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.28936 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	34mOhm a 15A, 10V	2.5V a 250µA	16.6 nC @ 10 V	±20V	1180 pF @ 30 V	-	66W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIS435DNT-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	8,522 En stock	1 : $1.17000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.29524 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	30A (Tc)	1.8V, 4.5V	5.4mOhm a 13A, 4.5V	900mV a 250µA	180 nC @ 8 V	±8V	5700 pF @ 10 V	-	3.7W (Ta), 39W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
IPD220N06L3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Infineon Technologies	7,683 En stock	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.30443 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	22mOhm a 30A, 10V	2.2V a 11µA	10 nC @ 4.5 V	±20V	1600 pF @ 30 V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3-311	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 Infineon Technologies	1,904 En stock	1 : $1.37000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.35018 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	23mOhm a 30A, 10V	2.2V a 10µA	21 nC @ 10 V	±16V	1560 pF @ 25 V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IAUZ30N10S5L240ATMA1 MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 Infineon Technologies	7,431 En stock	1 : $1.43000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.34388 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	24mOhm a 15A, 10V	2.2V a 15µA	14 nC @ 10 V	±20V	832 pF @ 50 V	-	45.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-32	8-PowerTDFN
SIR424DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	3,359 En stock	1 : $1.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.38041 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	5.5mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	1250 pF @ 10 V	-	4.8W (Ta), 41.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
TK30A06N1,S4X MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	250 En stock	1 : $1.49000 Tubo	-	U-MOSVIII-H	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	30A (Tc)	10V	15mOhm a 15A, 10V	4V a 200µA	16 nC @ 10 V	±20V	1050 pF @ 30 V	-	25W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
SQJ415EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	5,488 En stock	1 : $1.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.40304 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	30A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	95 nC @ 10 V	±20V	6000 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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