300mA (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
2N7002K-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236 Vishay Siliconix	251,762 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10954 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2005K-7 MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 Diodes Incorporated	479,914 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11434 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	300mA (Ta)	1.8V, 2.7V	1.7Ohm a 200mA, 2.7V	900mV a 100µA	-	±10V	-	-	350mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	34,645 En stock	1 : $0.12000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02240 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.8 nC @ 5 V	±20V	35 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBT7002K MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Diotec Semiconductor	4,486 En stock	1 : $0.14000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02772 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KFS,LF MOSFET N-CH 60V 300MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	64,436 En stock	1 : $0.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03561 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SSM	SC-75, SOT-416
TSM2N7002AKCX RFG 60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE Taiwan Semiconductor Corporation	2,831 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04081 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2.5Ohm a 300mA, 10V	2.5V a 250µA	1.65 nC @ 10 V	±20V	20 pF @ 30 V	-	357mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJC7428_R1_00001 SOT-323, MOSFET Panjit International Inc.	16,965 En stock	1 : $0.21000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04227 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	300mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 300mA, 4.5V	1V a 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±10V	45 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002H6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Infineon Technologies	62,349 En stock	1 : $0.22000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04346 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6 nC @ 10 V	±20V	20 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN53D0U-7 MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 Diodes Incorporated	31,645 En stock 39,000 Fábrica	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05330 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	300mA (Ta)	1.8V, 5V	2Ohm a 50mA, 5V	1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±12V	37.1 pF @ 25 V	-	520mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3428_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	3,995 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04372 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	300mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 300mA, 4.5V	1V a 250µA	0.9 nC @ 10 V	±10V	45 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMBF170,235 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Nexperia USA Inc.	37,856 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05042 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	2V a 1mA	-	±20V	40 pF @ 10 V	-	830mW (Tc)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMBF170,215 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Nexperia USA Inc.	7,778 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06036 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	2V a 1mA	-	±20V	40 pF @ 10 V	-	830mW (Tc)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3439-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	1,884 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05581 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	2.5V, 10V	4Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	1.1 nC @ 4.5 V	±20V	51 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN601WK-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Diodes Incorporated	7,238 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05956 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
MMBF0201NLT1G MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 onsemi	31,655 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06746 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	1Ohm a 300mA, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	45 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3439_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	40,125 En stock	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06990 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	2.5V, 10V	4Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	1.1 nC @ 4.5 V	±20V	51 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1 MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3 Infineon Technologies	15,462 En stock	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06894 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	1.7Ohm a 300mA, 10V	2V a 34µA	1.79 nC @ 10 V	±20V	55 pF @ 30 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN601K-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Diodes Incorporated	98,400 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06882 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RJU003N03T106 MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3 Rohm Semiconductor	24,555 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08229 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	300mA (Ta)	2.5V, 4.5V	1.1Ohm a 300mA, 4.5V	1.5V a 1mA	-	±12V	24 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UMT3	SC-70, SOT-323
DMP32D4S-13 MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23 Diodes Incorporated	34,764 En stock 260,000 Fábrica	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.07603 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2.4Ohm a 300mA, 10V	2.4V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	51.16 pF @ 15 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RJU003N03FRAT106 MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3 Rohm Semiconductor	16,843 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09308 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	300mA (Ta)	2.5V, 4.5V	1.1Ohm a 300mA, 4.5V	1.5V a 1mA	-	±12V	24 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	UMT3	SC-70, SOT-323
RUE003N02TL MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 Rohm Semiconductor	48,519 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09460 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	300mA (Ta)	1.8V, 4V	1Ohm a 300mA, 4V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	EMT3	SC-75, SOT-416
MMBF2201NT1G MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3 onsemi	16,092 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11028 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	1Ohm a 300mA, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	45 pF @ 5 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
DMN601TK-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 Diodes Incorporated	12,134 En stock	1 : $0.51000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11053 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
RUM003N02T2L MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 Rohm Semiconductor	6,718 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.10242 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	300mA (Ta)	1.8V, 4V	1Ohm a 300mA, 4V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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