30.6 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SIR401DP-T1-GE3
SIRA18ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,515
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15642
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
30.6 A (Tc)
4.5V, 10V
8.7mOhm a 10A, 10V
2.4V a 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V, -16V
1000 pF @ 15 V
-
14.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3
MCW105N60FH-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-247
Micro Commercial Co
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $6.73000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
30.6 A (Tc)
10V
105mOhm a 15.3A, 10V
5V a 2.1mA
57 nC @ 10 V
±30V
2240 pF @ 100 V
-
240W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
Demostración
de 2

30.6 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.