3-SMD, sin conductor FET simple, MOSFET

Demostración

de 29

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
GS66504BMRXUSA1 GS66504B-MR Infineon Technologies	177 En stock	1 : $14.26000 Cinta cortada (CT) 250 : $7.31048 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	15A (Tc)	6V	130mOhm a 4.5A, 6V	1.3V a 3.5mA	3 nC @ 6 V	+7V, -10V	130 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	-	3-SMD, sin conductor
RV1C002UNT2CL MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806 Rohm Semiconductor	726,336 En stock	1 : $0.18000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03876 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	150mA (Ta)	1.2V, 4.5V	2Ohm a 150mA, 4.5V	1V a 100µA	-	±8V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VML0806	3-SMD, sin conductor
CSD18541F5 MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Texas Instruments	6,721 En stock	1 : $0.39000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11016 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	2.2A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 1A, 10V	2.2V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	777 pF @ 30 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD17585F5 MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR Texas Instruments	2,649 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13622 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.9A (Ta)	4.5V, 10V	27mOhm a 900mA, 10V	1.7V a 250µA	5.1 nC @ 10 V	20V	380 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD13385F5 MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	23,534 En stock	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12913 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	19mOhm a 900mA, 4.5V	1.2V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	8V	674 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD13385F5T MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	26,509 En stock	1 : $1.50000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.46724 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	19mOhm a 900mA, 4.5V	1.2V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	8V	674 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
GS66502BMRXUSA1 GS66502B-MR Infineon Technologies	242 En stock	1 : $11.67000 Cinta cortada (CT) 250 : $5.63100 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	7.5A (Tc)	6V	260mOhm a 2.25A, 6V	2.6V a 1.75mA	1.6 nC @ 6 V	+7V, -10V	60 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	-	3-SMD, sin conductor
RV1C001ZPT2L MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806 Rohm Semiconductor	18,128 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.04935 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	100mA (Ta)	1.2V, 4.5V	3.8Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 100µA	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VML0806	3-SMD, sin conductor
CSD17585F5T MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR Texas Instruments	7,107 En stock	1 : $0.98000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.55232 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.9A (Ta)	4.5V, 10V	27mOhm a 900mA, 10V	1.7V a 250µA	5.1 nC @ 10 V	20V	380 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD18541F5T MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Texas Instruments	17,879 En stock	1 : $1.17000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.49164 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	2.2A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 1A, 10V	2.2V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	777 pF @ 30 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD23285F5T MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR Texas Instruments	2,392 En stock	1 : $1.55000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.63556 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	5.4A (Ta)	1.5V, 4.5V	35mOhm a 1A, 4.5V	950mV a 250µA	4.2 nC @ 4.5 V	-6V	628 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
HCT7000M MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD TT Electronics/Optek Technology	0 En stock 38 Mercado Consultar el plazo de entrega	160 : $24.42006 Granel 3 : $25.67000 Granel	-	-	Granel Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±40V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-SMD	3-SMD, sin conductor
GS61004BMRXUSA1 GS61004B-MR Infineon Technologies	0 En stock	1 : $5.54000 Cinta cortada (CT) 250 : $2.37480 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	45A (Tc)	6V	20mOhm a 13.5A, 6V	1.3V a 7mA	6.2 nC @ 6 V	+7V, -10V	295 pF @ 50 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	-	3-SMD, sin conductor
SSM3K59CTB,L3F MOSFET N-CH 40V 2A CST3B Toshiba Semiconductor and Storage	0 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.10469 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	2A (Ta)	1.8V, 8V	215mOhm a 1A, 8V	1.2V a 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	CST3B	3-SMD, sin conductor
GS61004BTRXUMA1 GS61004B-TR Infineon Technologies	0 En stock	3,000 : $2.10125 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	45A (Tc)	6V	20mOhm a 13.5A, 6V	1.3V a 7mA	6.2 nC @ 6 V	+7V, -10V	295 pF @ 50 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	-	3-SMD, sin conductor
GS66502BTRXUMA1 GS66502B-TR Infineon Technologies	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $5.63100 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	7.5A (Tc)	6V	260mOhm a 2.25A, 6V	2.6V a 1.75mA	1.6 nC @ 6 V	+7V, -10V	60 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	-	3-SMD, sin conductor
GS66504BTRXUMA1 GS66504B-TR Infineon Technologies	0 En stock	1 : $14.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $7.31050 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	15A (Tc)	6V	130mOhm a 4.5A, 6V	1.3V a 3.5mA	3 nC @ 6 V	+7V, -10V	130 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	-	3-SMD, sin conductor
HCT7000MTX MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD TT Electronics/Optek Technology	0 En stock Consultar el plazo de entrega	100 : $33.27000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±40V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Usos militares	MIL-PRF-19500	Montaje en superficie	3-SMD	3-SMD, sin conductor
JANSR2N7268U MOSFET N-CH 100V 34A U1 Microsemi Corporation	0 En stock	50 : $433.90000 Bandeja	-	-	Bandeja	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	34A (Tc)	12V	70mOhm a 34A, 12V	4V a 1mA	160 nC @ 12 V	±20V	-	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C	Usos militares	MIL-PRF-19500/603	Montaje en superficie	U1 (SMD-1)	3-SMD, sin conductor
JANSR2N7269U MOSFET N-CH 200V 26A U1 Microsemi Corporation	0 En stock	50 : $442.75000 Bandeja	-	-	Bandeja	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	26A (Tc)	12V	110mOhm a 26A, 12V	4V a 1mA	170 nC @ 12 V	±20V	-	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C	Usos militares	MIL-PRF-19500/603	Montaje en superficie	U1 (SMD-1)	3-SMD, sin conductor
JANSR2N7593U3 RH MOSFET _ U3 Microchip Technology	0 En stock	Activo	-	-	Bandeja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	12.4A (Tc)	12V	210mOhm a 7.8A, 12V	4V a 1mA	50 nC @ 12 V	±20V	-	-	75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Usos militares	MIL-PRF-19500	Montaje en superficie	U3 (SMD-0.5)	3-SMD, sin conductor
JANSR2N7587U3 RH MOSFET 100V U3 Microchip Technology	0 En stock	Activo	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	22A (Tc)	12V	38mOhm a 19A, 12V	4.48V a 1mA	34 nC @ 12 V	±20V	2165 pF @ 25 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Usos militares	MIL-PRF-19500/746	Montaje en superficie	U3 (SMD-0.5)	3-SMD, sin conductor
MRH15N19U3SR RH MOSFET 150V U3 Microchip Technology	0 En stock	Activo	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	19A (Tc)	12V	88mOhm a 12A, 12V	4V a 1mA	50 nC @ 12 V	±20V	2140 pF @ 25 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U3 (SMD-0.5)	3-SMD, sin conductor
MRH10N22U3SR RH MOSFET 100V U3 Microchip Technology	0 En stock	Activo	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	22A (Tc)	12V	38mOhm a 19A, 12V	4.48V a 1mA	34 nC @ 12 V	±20V	2165 pF @ 25 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U3 (SMD-0.5)	3-SMD, sin conductor
JANSR2N7589U3 RH MOSFET 150V U3 Microchip Technology	0 En stock	Activo	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	19A (Tc)	12V	88mOhm a 12A, 12V	4V a 1mA	50 nC @ 12 V	±20V	2140 pF @ 25 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Usos militares	MIL-STD-750	Montaje en superficie	U3 (SMD-0.5)	3-SMD, sin conductor

Demostración

de 29

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS