3.7A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRLML6402TRPBF MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Infineon Technologies	41,962 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09095 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	2.5V, 4.5V	65mOhm a 3.7A, 4.5V	1.2V a 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	633 pF @ 10 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR2101PT1G MOSFET P-CH 8V SOT23-3 onsemi	10,578 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11701 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	8 V	3.7A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 3.5A, 4.5V	1V a 250µA	15 nC @ 4.5 V	±8V	1173 pF @ 4 V	-	960mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSR802NL6327HTSA1 MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Infineon Technologies	35,138 En stock	1 : $0.77000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17494 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	1.8V, 2.5V	23mOhm a 3.7A, 2.5V	750mV a 30µA	4.7 nC @ 2.5 V	±8V	1447 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SC59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDT3612 MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 onsemi	17,417 En stock	1 : $1.10000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.26511 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.7A (Ta)	6V, 10V	120mOhm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	632 pF @ 50 V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
NTF5P03T3G MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 onsemi	4,384 En stock	1 : $1.12000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.27182 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.7A (Ta)	4.5V, 10V	100mOhm a 5.2A, 10V	3V a 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	950 pF @ 25 V	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
ZXMN3A03E6TA MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 Diodes Incorporated	8,020 En stock 18,000 Fábrica	1 : $1.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.31090 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.7A (Ta)	4.5V, 10V	50mOhm a 7.8A, 10V	1V a 250µA	12.6 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 25 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6	SOT-23-6
ISP650P06NMXTSA1 MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4 Infineon Technologies	2,679 En stock	1 : $1.81000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.55758 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.7A (Ta)	10V	65mOhm a 3.7A, 10V	4V a 1.037mA	39 nC @ 10 V	±20V	1600 pF @ 30 V	-	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223-4	TO-261-4, TO-261AA
IRF7820TRPBF MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Infineon Technologies	4,909 En stock	1 : $2.00000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.52363 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	3.7A (Ta)	10V	78mOhm a 2.2A, 10V	5V a 100µA	44 nC @ 10 V	±20V	1750 pF @ 100 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
PMN52XPX MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP Nexperia USA Inc.	3,238 En stock	1 : $0.51000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10837 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	1.5V, 4.5V	62mOhm a 3.7A, 4.5V	900mV a 250µA	12 nC @ 4.5 V	±12V	763 pF @ 10 V	-	530mW (Ta), 4.46W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSOP	SC-74, SOT-457
DMN6066SSS-13 MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO Diodes Incorporated	4,633 En stock	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.30492 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.7A (Ta)	4.5V, 10V	66mOhm a 4.5A, 10V	3V a 250µA	10.3 nC @ 10 V	±20V	502 pF @ 30 V	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
ZXMN2A03E6TA MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6 Diodes Incorporated	3,081 En stock 3,000 Fábrica	1 : $1.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.31090 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	2.5V, 4.5V	55mOhm a 7.2A, 4.5V	700mV a 250µA (mín.)	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	837 pF @ 10 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6	SOT-23-6
NVF5P03T3G MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223 onsemi	6,105 En stock	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.33544 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.7A (Ta)	4.5V, 10V	100mOhm a 5.2A, 10V	3V a 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	950 pF @ 25 V	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
NVGS4111PT1G MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP onsemi	2,903 En stock 18,000 Fábrica	1 : $1.08000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.26774 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.7A (Ta)	4.5V, 10V	60mOhm a 3.7A, 10V	3V a 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	750 pF @ 15 V	-	630mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
DMN6066SSSQ-13 MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 Diodes Incorporated	2,460 En stock 7,500 Fábrica	1 : $1.13000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.27981 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.7A (Ta)	4.5V, 10V	66mOhm a 4.5A, 10V	3V a 250µA	10.3 nC @ 10 V	±20V	502 pF @ 30 V	-	1.56W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
BSR302NL6327HTSA1 MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59 Infineon Technologies	0 En stock 3,000 Mercado	2,025 : $0.15000 Granel	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.7A (Ta)	4.5V, 10V	23mOhm a 3.7A, 10V	2V a 30µA	6.6 nC @ 5 V	±20V	750 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SC59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTLJS1102PTAG MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN onsemi	0 En stock 36,000 Mercado	3,000 : $0.21916 Cinta y rollo (TR) 1,010 : $0.30000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	µCool™	Cinta y rollo (TR) Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	8 V	3.7A (Ta)	1.2V, 4.5V	36mOhm a 6.2A, 4.5V	720mV a 250µA	25 nC @ 4.5 V	±6V	1585 pF @ 4 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WDFN (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SI2323DS MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 UMW	6,084 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09460 Cinta y rollo (TR)	-	*	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	1.8V, 4.5V	39mOhm a 4.7A, 4.5V	1V a 250µA	-	±8V	-	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMWIRLML6402 20V 3.7A 1.3W 65MR@4.5V,3.7A 950 UMW	5,113 En stock	1 : $0.64000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14644 Cinta y rollo (TR)	-	UMW	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	2.5V, 4.5V	65mOhm a 3.7A, 4.5V	950mV a 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	633 pF @ 10 V	-	1.3W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDZ375P MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP Fairchild Semiconductor	4,885 Mercado	157 : $1.91000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	1.5V, 4.5V	78mOhm a 2A, 4.5V	1.2V a 250µA	15 nC @ 4.5 V	±8V	865 pF @ 10 V	-	1.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-WLCSP (1x1)	4-XFBGA, WLCSP
PMV40UN2R MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB Nexperia USA Inc.	1 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08819 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.7A (Ta)	1.8V, 4.5V	44mOhm a 3.7A, 4.5V	900mV a 250µA	12 nC @ 4.5 V	±12V	635 pF @ 15 V	-	490mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFL4105TRPBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Infineon Technologies	4 En stock	1 : $1.11000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.27524 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	3.7A (Ta)	10V	45mOhm a 3.7A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
TK1K9A60F,S4X MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $1.60000 Tubo	-	U-MOSIX	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	3.7A (Ta)	10V	1.9Ohm a 1.9A, 10V	4V a 400µA	14 nC @ 10 V	±30V	490 pF @ 300 V	-	30W (Tc)	150°C	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
PMV50UPEVL MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB Nexperia USA Inc.	0 En stock	10,000 : $0.08551 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	1.8V, 4.5V	66mOhm a 3.2A, 4.5V	900mV a 250µA	15.7 nC @ 4.5 V	±8V	24 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2109UVT-13 MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26 Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.09076 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7A (Ta)	2.5V, 4.5V	80mOhm a 2.8A, 4.5V	1V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±10V	443 pF @ 10 V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TSOT-26	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
AOSN32338C MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	6,000 : $0.09268 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.7A (Ta)	2.5V, 10V	51mOhm a 3.7A, 10V	1.5V a 250µA	16 nC @ 10 V	±12V	340 pF @ 15 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3	SC-70, SOT-323

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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