3.6 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 84
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SI2333DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
18,567
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13668
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.6 A (Tc)
2.5V, 4.5V
68mOhm a 2.9A, 4.5V
1.5V a 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
320 pF @ 15 V
-
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IPN60R1K0CEATMA1
IPN50R2K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Infineon Technologies
10,308
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13464
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
3.6 A (Tc)
13V
2Ohm a 600mA, 13V
3.5V a 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
124 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
IRFR9220TRLPBF
IRFR9220TRPBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Vishay Siliconix
7,138
En stock
1 : $1.40000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.92500
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFR9220TRLPBF
IRFR9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Vishay Siliconix
374
En stock
1 : $1.68000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TP65H480G4JSG-TR
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Transphorm
1,136
En stock
1 : $4.07000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $1.38750
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)
650 V
3.6 A (Tc)
8V
560mOhm a 3.4A, 8V
2.8V a 500µA
9 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
13.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
3-PQFN (5x6)
3-PowerTDFN
SIHD5N80AE-GE3
SIHFR9220-GE3
MOSFET P-CHANNEL 200V
Vishay Siliconix
2,371
En stock
1 : $1.19000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRFBC30APBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Vishay Siliconix
902
En stock
1 : $1.25000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.6 A (Tc)
10V
2.2Ohm a 2.2A, 10V
4.5V a 250µA
23 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
SIHD5N80AE-GE3
IRFR9220TRPBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Vishay Siliconix
3,132
En stock
1 : $1.39000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.92500
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8PowerVDFN
STL7N80K5
MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,721
En stock
1 : $2.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.92905
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
3.6 A (Tc)
10V
1.2Ohm a 3A, 10V
5V a 100µA
13.4 nC @ 10 V
±30V
360 pF @ 100 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
SIHP23N60E-GE3
IRFBF30PBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Vishay Siliconix
598
En stock
1 : $2.99000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
3.6 A (Tc)
10V
3.7Ohm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFBF30STRLPBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
Vishay Siliconix
1,494
En stock
1 : $4.54000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.66903
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
3.6 A (Tc)
10V
3.7Ohm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO252-3
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Infineon Technologies
149
En stock
Activo
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 700mA, 10V
4.5V a 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
169 pF @ 400 V
-
22W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R1K5PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Infineon Technologies
1,465
En stock
1 : $0.86000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.22589
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 700mA, 10V
4.5V a 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
169 pF @ 400 V
-
6W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
IRFR9220TRLPBF
IRFR9220TRLPBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Vishay Siliconix
2,445
En stock
1 : $1.69000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.92500
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263-3
IRFBC30ASPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Vishay Siliconix
1,769
En stock
1 : $2.26000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.6 A (Tc)
10V
2.2Ohm a 2.2A, 10V
4.5V a 250µA
23 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHP050N60E-GE3
IRFBC30APBF-BE3
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Vishay Siliconix
1,000
En stock
1 : $1.97000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.6 A (Tc)
10V
2.2Ohm a 2.2A, 10V
4.5V a 250µA
23 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
2,920
En stock
1 : $3.02000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.09250
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.2A, 10V
4V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8 PQFN
TP65H480G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Transphorm
3,876
En stock
1 : $3.71000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $1.22500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
3.6 A (Tc)
6V
560mOhm a 3A, 6V
2.8V a 500µA
5 nC @ 10 V
±10V
414 pF @ 400 V
-
13.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (5x6)
8-PowerTDFN
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQP4N25
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Fairchild Semiconductor
2,950
Mercado
841 : $0.36000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
3.6 A (Tc)
10V
1.75Ohm a 1.8A, 10V
5V a 250µA
5.6 nC @ 10 V
±30V
200 pF @ 25 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
GT1003A
G2304
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Goford Semiconductor
8,870
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07994
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.6 A (Tc)
4.5V, 10V
39mOhm a 1.8A, 10V
2.2V a 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
1.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQP4N20
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
Fairchild Semiconductor
10,753
Mercado
728 : $0.41000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.6 A (Tc)
10V
1.4Ohm a 1.8A, 10V
5V a 250µA
6.5 nC @ 10 V
±30V
220 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
ISL9N302AS3
FQI4N20TU
MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
Fairchild Semiconductor
5,000
Mercado
728 : $0.41000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.6 A (Tc)
10V
1.4Ohm a 1.8A, 10V
5V a 250µA
6.5 nC @ 10 V
±30V
220 pF @ 25 V
-
3.13W (Ta), 45W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-262 (I2PAK)
Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
IRG4RC10UTRPBF
SFW9510TM
P-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
8,584
Mercado
662 : $0.45000
Granel
-
-
Granel
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
3.6 A (Tc)
10V
1.2Ohm a 1.8A, 10V
4V a 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
335 pF @ 25 V
-
3.8W (Ta), 32W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQP3N90
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3
Fairchild Semiconductor
22,834
Mercado
384 : $0.78000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
3.6 A (Tc)
10V
4.25Ohm a 1.8A, 10V
5V a 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF6N50
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F
Fairchild Semiconductor
5,884
Mercado
384 : $0.78000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
3.6 A (Tc)
10V
1.3Ohm a 1.8A, 10V
5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±30V
790 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
Demostración
de 84

3.6 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.