3.16 A (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 4
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
4Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 4
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SI2333DS-T1-GE3
SI2306BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Vishay Siliconix
9,330
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17748
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.16 A (Ta)
4.5V, 10V
47mOhm a 3.5A, 10V
3V a 250µA
4.5 nC @ 5 V
±20V
305 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2306BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,021
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.19278
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.16 A (Ta)
4.5V, 10V
47mOhm a 3.5A, 10V
3V a 250µA
4.5 nC @ 5 V
±20V
305 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2,356
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07599
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.16 A (Ta)
10V
65mOhm a 2.5A, 4.5V
3V a 250µA
4.5 nC @ 5 V
±20V
305 pF @ 15 V
-
750mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2306BDS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $0.69000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.18870
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.16 A (Ta)
4.5V, 10V
47mOhm a 3.5A, 10V
3V a 250µA
4.5 nC @ 5 V
±20V
305 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 4

3.16 A (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.