3.1 A (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 46
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.BruckewellDiodes IncorporatedHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorTexas Instruments
Serie
-FemtoFET™HEXFET®NexFET™PowerTrench®SOT-23TrenchFET®
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V40 V55 V60 V75 V100 V350 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.5V, 4.5V1.8V, 10V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V4V, 10V4.5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
36mOhm A 3.1A, 10V46mOhm a 3.6A, 4.5V53mOhm a 4A, 10V55mOhm a 3A, 10V56mOhm a 2A, 4.5V60mOhm a 3.1A, 10V65mOhm a 3.1A, 10V65mOhm a 3.9A, 4.5V65mOhm a 4.4A, 4.5V75mOhm a 4.2A, 10V85mOhm a 3.1A, 4.5V88mOhm a 3.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
600mV a 250µA (mín.)900mV a 250µA1V a 250µA1.1V a 250µA1.2V a 250µA1.25V a 250µA1.3V a 250µA1.5V a 250µA2V a 250µA2.5V a 1mA2.5V a 250µA2.7V a 250µA3V a 250µA4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.35 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V4 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 5 V5.4 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 10 V5.7 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 10 V7.4 nC @ 10 V7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V±12V12V±16V±20V±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
195 pF @ 15 V275 pF @ 30 V303 pF @ 10 V330 pF @ 10 V330 pF @ 15 V330 pF @ 40 V350 pF @ 25 V350 pF @ 37.5 V400 pF @ 10 V416 pF @ 10 V443 pF @ 15 V460 pF @ 10 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (Máx.)
380mW (Ta)478mW (Ta), 8.36W (Tc)500mW (Ta)520mW (Ta)530mW (Ta), 4.46W (Tc)700mW (Ta)750mW (Ta)780mW (Ta)1W (Ta)1.15W (Ta)1.25W (Ta)1.3W (Ta)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PICOSTAR6-MicroFET (2x2)6-TSOP8-SO8-SOIC8-SOP1206-8 ChipFET™DFN1616-6WSC-70-6SOT-223SOT-223-3SOT-23SOT-23 (TO-236AB)SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)
3-XFDFN6-PowerWFDFN6-TSSOP, SC-88, SOT-363Placa descubierta 6-VDFN8-SMD, conductores planos8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)SC-70, SOT-323SC-74, SOT-457SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6TO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63TO-261-4, TO-261AA
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
46Resultados
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Demostración
de 46
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
CSD25483F4
CSD17381F4
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
48,820
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08695
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
109mOhm a 500mA, 8 A
1.1V a 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT-23-3
SI2343DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,454
En stock
1 : $1.03000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.25511
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
4.5V, 10V
53mOhm a 4A, 10V
3V a 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT223-3L
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
105,584
En stock
1 : $1.20000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.27000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
3.1 A (Ta)
4V, 10V
65mOhm a 3.1A, 10V
2V a 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
59,922
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08849
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
100mOhm a 3.1A, 4.5V
1.2V a 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
57,712
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09521
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
3.1 A (Ta)
4.5V, 10V
88mOhm a 3.1A, 10V
2.5V a 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN2065UWQ-7
MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Diodes Incorporated
50,191
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08571
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
1.5V, 4.5V
56mOhm a 2A, 4.5V
1V a 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
TSOT-26
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Diodes Incorporated
16,465
En stock
111,000
Fábrica
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08906
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
2.5V, 10V
75mOhm a 4.2A, 10V
1.5V a 250µA
19.8 nC @ 10 V
±12V
839 pF @ 15 V
-
1.15W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSOT-26
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
17,849
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10063
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
3.1 A (Ta)
4.5V, 10V
88mOhm a 3.1A, 10V
2.5V a 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
PMV55ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
2,723
En stock
1 : $0.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13930
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3.1 A (Ta)
4.5V, 10V
60mOhm a 3.1A, 10V
2.7V a 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 30 V
-
478mW (Ta), 8.36W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-223-3
ZXMN6A11GTA
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Diodes Incorporated
4,393
En stock
322,000
Fábrica
1 : $1.09000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.28375
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3.1 A (Ta)
4.5V, 10V
120mOhm a 2.5A, 10V
3V a 250µA
5.7 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 40 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
29,866
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08416
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
100mOhm a 3.1A, 4.5V
1.2V a 250µA
5.4 nC @ 10 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN70XPX
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
9,858
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09838
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
1.5V, 4.5V
88mOhm a 3.1A, 4.5V
900mV a 250µA
7.5 nC @ 4.5 V
±12V
550 pF @ 10 V
-
530mW (Ta), 4.46W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSOP
SC-74, SOT-457
DFN1616-6W
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Rohm Semiconductor
5,601
En stock
1 : $1.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.30884
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
-
105mOhm a 3.1A, 10V
2.5V a 1mA
4.8 nC @ 5 V
±20V
460 pF @ 10 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie, lateral humedecible
DFN1616-6W
6-PowerWFDFN
SOT-323
DMN2055UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
3,960
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06816
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
46mOhm a 3.6A, 4.5V
1V a 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMP2170U-7
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
Diodes Incorporated
1,118
En stock
1,911,000
Fábrica
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07867
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
90mOhm a 3.5A, 4.5V
1.25V a 250µA
7.8 nC @ 10 V
±12V
303 pF @ 10 V
-
780mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSDxxxxF4T
CSD17381F4T
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
35,014
En stock
1 : $1.38000
Cinta cortada (CT)
250 : $0.35688
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
109mOhm a 500mA, 8V
1.1V a 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
3-PICOSTAR
3-XFDFN
MS23P05
MS23P05
P-CH MOSFET,-20V,-3.1A,SOT-23
Bruckewell
1,235
Mercado
1 : $0.13000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
1.8V, 10V
55mOhm a 3A, 10V
1.2V a 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
686 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-VDFN Exposed Pad
FDFMA2P029Z
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
onsemi
0
En stock
56,231
Mercado
2,500 : $0.23000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
95mOhm a 3.1A, 4.5V
1.5V a 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
720 pF @ 10 V
Diodo Schottky (aislado)
1.4W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-MicroFET (2x2)
Placa descubierta 6-VDFN
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3403_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,489
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07916
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
2.5V, 10V
98mOhm a 3.1A, 10V
1.3V a 250µA
11 nC @ 10 V
±12V
443 pF @ 15 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRG4RC10UTRPBF
IRFR321
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
1,802
Mercado
761 : $0.39000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
350 V
3.1 A (Ta)
10V
1.8Ohm a 1.7A, 10V
4V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SOT223-3L
AUIRLL024NTR
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Infineon Technologies
0
En stock
6,003
Mercado
484 : $0.62000
Granel
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
3.1 A (Ta)
4V, 10V
65mOhm a 3.1A, 10V
2V a 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
3,529
Mercado
484 : $0.62000
Granel
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
3.1 A (Ta)
4V, 10V
65mOhm a 3.1A, 10V
2V a 250µA
15.6 nC @ 5 V
±16V
510 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
SI2333DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
4,233
En stock
1 : $1.00000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24544
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
10V
53mOhm a 4A, 10V
3V a 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
SI2343DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
2,810
En stock
1 : $1.00000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24544
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
4.5V, 10V
53mOhm a 4A, 10V
3V a 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-WDFN
FDFMA2P029Z-F106
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
onsemi
0
En stock
63,469
Mercado
1 : $1.08000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.40000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
95mOhm a 3.1A, 4.5V
1.5V a 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
720 pF @ 10 V
Diodo Schottky (aislado)
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-MicroFET (2x2)
Placa descubierta 6-VDFN
Demostración
de 46

3.1 A (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.