295 A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IXFN300N10P MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B Littelfuse Inc.	312 En stock	1 : $46.24000 Tubo	-	HiPerFET™, Polar	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	295 A (Tc)	10V	5.5mOhm a 50A, 10V	5V a 8mA	279 nC @ 10 V	±20V	23000 pF @ 25 V	-	1070W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje de chasis	SOT-227B	SOT-227-4, miniBLOC
MCTL295N06Y-TP N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L MCC (Micro Commercial Components)	3,895 En stock	1 : $4.31000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $1.78275 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	295 A (Tc)	6V, 10V	2mOhm a 20A, 10V	4V a 250µA	108 nC @ 10 V	±20V	8350 pF @ 30 V	-	313W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TOLL-8L	8-PowerSFN
NVCR4LS1D7N08M7A POWER MOSFET, N-CHANNEL, 80 V, 1 onsemi	0 En stock	Discontinuo en Digi-Key	-	-	Granel	Discontinuo en Digi-Key	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	295 A (Tc)	10V	2mOhm a 80A, 10V	4V a 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	10000 pF @ 40 V	-	357W (Tj)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	Molde	Molde

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.