28 A (Ta), 203 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NTMFS6H800NT1G MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN onsemi	2,599 En stock	1 : $3.88000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $1.35650 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	28 A (Ta), 203 A (Tc)	6V, 10V	2.1mOhm a 50A, 10V	4V a 330µA	85 nC @ 10 V	±20V	5530 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS6H800NWFT1G MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN onsemi	1,500 En stock 25,500 Fábrica	1 : $5.18000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $2.00013 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	28 A (Ta), 203 A (Tc)	10V	2.1mOhm a 50A, 10V	4V a 330µA	85 nC @ 10 V	±20V	5530 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie, lateral humedecible	5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)	8-PowerTDFN, 5 conductores
NVMFS6H800NT1G MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN onsemi	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $5.77000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $2.31213 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	28 A (Ta), 203 A (Tc)	10V	2.1mOhm a 50A, 10V	4V a 330µA	85 nC @ 10 V	±20V	5530 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	8-PowerTDFN, 5 conductores

Demostración

de 3

28 A (Ta), 203 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.