FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263AB
IXTA36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Littelfuse Inc.
910
En stock
1 : $5.13000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
36 A (Tc)
10V
110mOhm a 18A, 10V
5.5V a 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-3P
IXTQ36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
Littelfuse Inc.
156
En stock
1 : $4.65000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
36 A (Tc)
10V
110mOhm a 18A, 10V
5.5V a 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-220-3
IXTP36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Littelfuse Inc.
2,358
En stock
1 : $4.92000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
36 A (Tc)
10V
110mOhm a 18A, 10V
5.5V a 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
VMO580-02F
VMO1600-02P
MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
IXYS
0
En stock
2 : $165.97500
Bandeja
Bandeja
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
1900 A (Tc)
10V
1.7mOhm a 1600A, 10V
5V a 5mA
2900 nC @ 10 V
±20V
-
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
Y3-Li
Y3-Li
Demostración
de 4

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.