FET simple, MOSFET

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Demostración
de 16
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
242
En stock
1 : $7.86000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
18.9H (Tc)
10V
110mOhm a 12A, 10V
4.1V a 1.8mA
14.4 nC @ 10 V
±20V
818 pF @ 400 V
-
65.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
TP65H150G4PS
GAN FET N-CH 650V TO-220
Transphorm
2,575
En stock
1 : $8.02000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
16 A (Tc)
10V
180mOhm a 8.5A, 10V
4.8V a 500µA
8 nC @ 10 V
±20V
598 pF @ 400 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
551
En stock
1 : $14.38000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
34 A (Tc)
10V
60mOhm a 22A, 10V
4.8V a 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TP65H035G4WSQA
TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
428
En stock
1 : $15.97000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
34 A (Tc)
10V
60mOhm a 22A, 10V
4.8V a 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TP65H035G4QS
TP65H035G4QS
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Transphorm
1,703
En stock
1 : $18.71000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $10.37500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
46.5 A (Tc)
10V
41 mOhm a 30A, 10V
4.8V a 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TOLL
8-PowerSFN
TP65H050G4YS
TP65H050G4YS
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Transphorm
323
En stock
1 : $15.97000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
35 A (Tc)
10V
60mOhm a 22A, 10V
4.8V a 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
132W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
2,940
En stock
Activo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
18.9H (Tc)
10V
110mOhm a 12A, 10V
4.1V a 1.8mA
14.4 nC @ 10 V
±20V
818 pF @ 400 V
-
65.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (8x8)
Placa descubierta 8-VDFN
TP65H150G4LSG
TP65H070G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Transphorm
2,484
En stock
3,000 : $5.00000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
29 A (Tc)
10V
85mOhm a 16A, 10V
4.8V a 700µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
3-PQFN (8x8)
3-PowerTDFN
8 PQFN
TP65H150BG4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Transphorm
2,545
En stock
4,000 : $1.85000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
16 A (Tc)
6V
180mOhm a 10A, 6V
2.8V a 500µA
4.9 nC @ 10 V
±10V
400 pF @ 400 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (5x6)
8-PowerTDFN
TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR
650 V 29 A GAN FET
Transphorm
1,725
En stock
2,000 : $4.60000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
29 A (Tc)
10V
85mOhm a 18A, 10V
4.8V a 700µA
9 nC @ 10 V
±20V
638 pF @ 400 V
-
96W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TOLT
Módulo 16-PowerSOP
TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Transphorm
2,487
En stock
3,000 : $5.61250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
29 A (Tc)
10V
85mOhm a 16A, 10V
4.6V a 700µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (8x8)
8-PowerTDFN
TO-220AB
TP65H070G4PS
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Transphorm
341
En stock
Activo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
29 A (Tc)
10V
85mOhm a 18A, 10V
4.7V a 700µA
9 nC @ 10 V
±20V
638 pF @ 400 V
-
96W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
8 VDFN
TP65H300G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Transphorm
2,838
En stock
3,000 : $1.43750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
6.5 A (Tc)
6V
312mOhm a 6.5A, 6V
2.8V a 500µA
8.8 nC @ 10 V
±12V
730 pF @ 400 V
-
21W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (8x8)
Placa descubierta 8-VDFN
8 PQFN
TP65H480G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Transphorm
3,876
En stock
4,000 : $1.22500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
3.6 A (Tc)
6V
560mOhm a 3A, 6V
2.8V a 500µA
5 nC @ 10 V
±10V
414 pF @ 400 V
-
13.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (5x6)
8-PowerTDFN
8 PQFN
TP65H300G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
Transphorm
3,890
En stock
4,000 : $1.50000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
9.2 A (Tc)
6V
312mOhm a 6.5A, 6V
2.8V a 500µA
3.5 nC @ 10 V
±10V
400 pF @ 400 V
-
41.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (5x6)
8-PowerTDFN
MOSFET 650V, 480mOhm
TP65H480G4JSG
MOSFET 650V, 480mOhm
Transphorm
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
4,000 : $1.38750
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
3.6 A (Tc)
8V
560mOhm a 3.4A, 8V
2.8V a 500µA
9 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
13.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
3-PQFN (5x6)
3-PowerTDFN
Demostración
de 16

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.