FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IMW65R027M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	1,087 En stock	1 : $12.73000 Tubo	-	CoolSIC™ M1	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	47A (Tc)	18V	34mOhm a 38.3A, 18V	5.7V a 11mA	62 nC @ 18 V	+23V, -5V	2131 pF @ 400 V	-	189W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMZA65R107M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	102 En stock	1 : $6.43000 Tubo	-	CoolSIC™ M1	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	20A (Tc)	18V	142mOhm a 8.9A, 18V	5.7V a 3mA	15 nC @ 18 V	+23V, -5V	496 pF @ 400 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMW65R048M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	734 En stock	1 : $8.94000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	CoolSIC™ M1	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	39A (Tc)	18V	64mOhm a 20.1A, 18V	5.7V a 6mA	33 nC @ 18 V	+23V, -5V	1118 pF @ 400 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMBG65R260M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	915 En stock	1 : $4.30000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.49338 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSIC™ M1	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	6A (Tc)	18V	346mOhm a 3.6A, 18V	5.7V a 1.1mA	6 nC @ 18 V	+23V, -5V	201 pF @ 400 V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG65R163M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	530 En stock	1 : $4.98000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.81900 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSIC™ M1	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	17A (Tc)	18V	217mOhm a 5.7A, 18V	5.7V a 1.7mA	10 nC @ 18 V	+23V, -5V	320 pF @ 400 V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG65R107M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	794 En stock	1 : $6.21000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.44700 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSIC™ M1	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	24A (Tc)	18V	141mOhm a 8.9A, 18V	5.7V a 2.6mA	15 nC @ 18 V	+23V, -5V	496 pF @ 400 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG65R072M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	979 En stock	1 : $7.21000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.98775 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSIC™ M1	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	33A (Tc)	18V	94mOhm a 13.3A, 18V	5.7V a 4mA	22 nC @ 18 V	+23V, -5V	744 pF @ 400 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMW65R072M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	220 En stock	1 : $7.21000 Tubo	-	CoolSIC™ M1	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	26A (Tc)	18V	94mOhm a 13.3A, 18V	5.7V a 4mA	22 nC @ 18 V	+23V, -5V	744 pF @ 400 V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMBG65R083M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $6.72000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.71875 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSIC™ M1	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	28A (Tc)	18V	111mOhm a 11.2A, 18V	5.7V a 3.3mA	19 nC @ 18 V	+23V, -5V	624 pF @ 400 V	-	126W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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