FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
STB28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK STMicroelectronics	3,564 En stock	1 : $4.32000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.53870 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20A (Tc)	10V	180mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
STB33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK STMicroelectronics	2,310 En stock	1 : $5.05000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.85486 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24A (Tc)	10V	140mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	41.5 nC @ 10 V	±25V	1790 pF @ 100 V	-	190W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
STN6N60M2 MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2 STMicroelectronics	3,596 En stock	1 : $1.00000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.23617 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	5.5A (Tc)	10V	1.25Ohm a 2A, 10V	4V a 250µA	6.2 nC @ 10 V	±25V	220 pF @ 100 V	-	6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-2	TO-261-3
STL3N65M2 MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT STMicroelectronics	5,660 En stock	1 : $1.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.36950 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	2.3A (Tc)	10V	1.8Ohm a 1A, 10V	4V a 250µA	5 nC @ 10 V	±25V	155 pF @ 100 V	-	22W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (3.3x3.3)	8-PowerVDFN
STD12N50M2 MOSFET N-CH 500V 10A DPAK STMicroelectronics	1,900 En stock	1 : $2.08000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.58151 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	10A (Tc)	10V	380mOhm a 5A, 10V	4V a 250µA	15 nC @ 10 V	±30V	550 pF @ 100 V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STF16N65M2 MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP STMicroelectronics	1,023 En stock	1 : $2.62000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11A (Tc)	10V	360mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	19.5 nC @ 10 V	±25V	718 pF @ 100 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STU16N65M2 MOSFET N-CH 650V 11A IPAK STMicroelectronics	3,000 En stock	1 : $2.86000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11A (Tc)	10V	360mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	19.5 nC @ 10 V	±25V	718 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251 (IPAK)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
STF12N60M2 MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP STMicroelectronics	815 En stock	1 : $1.93000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	9A (Tc)	10V	450mOhm a 4.5A, 10V	4V a 250µA	16 nC @ 10 V	±25V	538 pF @ 100 V	-	25W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STD12N60M2 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK STMicroelectronics	7,217 En stock	1 : $1.94000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.54646 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	9A (Tc)	10V	450mOhm a 4.5A, 10V	4V a 250µA	16 nC @ 10 V	±25V	538 pF @ 100 V	-	85W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STD16N60M2 MOSFET N-CH 600V 12A DPAK STMicroelectronics	3,585 En stock	1 : $2.01000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.56894 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	12A (Tc)	10V	320mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±25V	700 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STD12N65M2 MOSFET N-CH 650V 8A DPAK STMicroelectronics	135 En stock	1 : $2.19000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.60218 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	8A (Tc)	10V	500mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	16.5 nC @ 10 V	±25V	535 pF @ 100 V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STD13N65M2 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK STMicroelectronics	669 En stock	1 : $2.26000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.59816 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	10A (Tc)	10V	430mOhm a 5A, 10V	4V a 250µA	17 nC @ 10 V	±25V	590 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STL13N65M2 MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT STMicroelectronics	1,837 En stock	1 : $2.59000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.74997 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	6.5A (Tc)	10V	475mOhm a 3A, 10V	4V a 250µA	17 nC @ 10 V	±25V	590 pF @ 100 V	-	52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6) HV	8-PowerVDFN
STL16N60M2 MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV STMicroelectronics	2,495 En stock	1 : $3.02000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.92363 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	8A (Tc)	10V	355mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±25V	704 pF @ 100 V	-	52W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6) HV	8-PowerVDFN
STFU24N60M2 MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP STMicroelectronics	978 En stock	1 : $3.19000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	18A (Tc)	10V	190mOhm a 9A, 10V	4V a 250µA	29 nC @ 10 V	±25V	1060 pF @ 100 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STF18N65M2 MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP STMicroelectronics	3,641 En stock	1 : $3.30000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	12A (Tc)	10V	330mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	20 nC @ 10 V	±25V	770 pF @ 100 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STF24N65M2 MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP STMicroelectronics	1,022 En stock	1 : $3.48000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	16A (Tc)	10V	230mOhm a 8A, 10V	4V a 250µA	29 nC @ 10 V	±25V	1060 pF @ 100 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STP28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A TO220 STMicroelectronics	929 En stock	1 : $3.78000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20A (Tc)	10V	180mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STF28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP STMicroelectronics	952 En stock	1 : $3.84000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20A (Tc)	10V	180mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	30W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STW26N60M2 MOSFET N-CH 600V 20A TO247 STMicroelectronics	309 En stock	1 : $4.13000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	20A (Tc)	10V	165mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1360 pF @ 100 V	-	169W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
STF33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP STMicroelectronics	990 En stock	1 : $4.49000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24A (Tc)	10V	140mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	41.5 nC @ 10 V	±25V	1790 pF @ 100 V	-	34W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STP33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A TO220 STMicroelectronics	999 En stock	1 : $4.57000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24A (Tc)	10V	140mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	41.5 nC @ 10 V	±25V	1790 pF @ 100 V	-	190W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STW28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A TO247 STMicroelectronics	845 En stock	1 : $4.88000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20A (Tc)	10V	180mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
STB35N65DM2 MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK STMicroelectronics	866 En stock	1 : $5.49000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.07388 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	28A (Tc)	10V	110mOhm a 14A, 10V	5V a 250µA	54 nC @ 10 V	±25V	2400 pF @ 100 V	-	210W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
STW56N60M2-4 MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L STMicroelectronics	119 En stock	1 : $9.57000 Tubo	-	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	52A (Tc)	10V	55mOhm a 26A, 10V	4V a 250µA	91 nC @ 10 V	±25V	3750 pF @ 100 V	-	350W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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