FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
STD15N50M2AG MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK STMicroelectronics	1,735 En stock	1 : $2.12000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.77910 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	10 A (Tc)	10V	380mOhm a 5A, 10V	4V a 250µA	13 nC @ 10 V	±30V	530 pF @ 100 V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STB33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK STMicroelectronics	751 En stock	1 : $5.05000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.85488 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24 A (Tc)	10V	140mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	41.5 nC @ 10 V	±25V	1790 pF @ 100 V	-	190W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
STL3N65M2 MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT STMicroelectronics	5,444 En stock	1 : $0.93000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.37026 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	2.3 A (Tc)	10V	1.8Ohm a 1A, 10V	4V a 250µA	5 nC @ 10 V	±25V	155 pF @ 100 V	-	22W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (3.3x3.3)	8-PowerVDFN
STN6N60M2 MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2 STMicroelectronics	879 En stock	1 : $1.05000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.24423 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	5.5 A (Tc)	10V	1.25Ohm a 2A, 10V	4V a 250µA	6.2 nC @ 10 V	±25V	220 pF @ 100 V	-	6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-2	TO-261-3
STW26N60M2 MOSFET N-CH 600V 20A TO247 STMicroelectronics	335 En stock	1 : $3.80000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	20 A (Tc)	10V	165mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	34 nC @ 10 V	±25V	1360 pF @ 100 V	-	169W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
STI33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK STMicroelectronics	1,770 En stock	1 : $4.24000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24 A (Tc)	10V	140mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	41.5 nC @ 10 V	±25V	1790 pF @ 100 V	-	190W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	I2PAK	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
STW40N65M2 MOSFET N-CH 650V 32A TO247 STMicroelectronics	334 En stock	1 : $6.09000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	32 A (Tc)	10V	99mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	56.5 nC @ 10 V	±25V	2355 pF @ 100 V	-	250W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
STW56N60M2 MOSFET N-CH 600V 52A TO247 STMicroelectronics	351 En stock	1 : $7.22000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	52 A (Tc)	10V	55mOhm a 26A, 10V	4V a 250µA	91 nC @ 10 V	±25V	3750 pF @ 100 V	-	350W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
STW48N60M2-4 MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L STMicroelectronics	108 En stock	1 : $9.14000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	42 A (Tc)	10V	70mOhm a 21A, 10V	4V a 250µA	70 nC @ 10 V	±25V	3060 pF @ 100 V	-	300W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
STW56N60M2-4 MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L STMicroelectronics	149 En stock	1 : $9.72000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	52 A (Tc)	10V	55mOhm a 26A, 10V	4V a 250µA	91 nC @ 10 V	±25V	3750 pF @ 100 V	-	350W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
STD16N60M2 MOSFET N-CH 600V 12A DPAK STMicroelectronics	4,917 En stock	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.59058 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	12 A (Tc)	10V	320mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±25V	700 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STD12N65M2 MOSFET N-CH 650V 8A DPAK STMicroelectronics	1,237 En stock	1 : $1.80000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.62925 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	8 A (Tc)	10V	500mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	16.5 nC @ 10 V	±25V	535 pF @ 100 V	-	85W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STF12N60M2 MOSFET N-CH 600V 9A TO220FP STMicroelectronics	942 En stock	1 : $1.80000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	9 A (Tc)	10V	450mOhm a 4.5A, 10V	4V a 250µA	16 nC @ 10 V	±25V	538 pF @ 100 V	-	25W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STD13N65M2 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK STMicroelectronics	1,509 En stock	1 : $2.09000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.64974 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	10 A (Tc)	10V	430mOhm a 5A, 10V	4V a 250µA	17 nC @ 10 V	±25V	590 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STF16N65M2 MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP STMicroelectronics	984 En stock	1 : $2.24000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11 A (Tc)	10V	360mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	19.5 nC @ 10 V	±25V	718 pF @ 100 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STF33N65M2 MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP STMicroelectronics	133 En stock	1 : $2.41000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24 A (Tc)	10V	140mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	41.5 nC @ 10 V	±25V	1790 pF @ 100 V	-	34W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STU16N65M2 MOSFET N-CH 650V 11A IPAK STMicroelectronics	10,477 En stock	1 : $2.46000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11 A (Tc)	10V	360mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	19.5 nC @ 10 V	±25V	718 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251 (IPAK)	Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
STL13N65M2 MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT STMicroelectronics	2,443 En stock	1 : $2.69000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.79114 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	6.5 A (Tc)	10V	475mOhm a 3A, 10V	4V a 250µA	17 nC @ 10 V	±25V	590 pF @ 100 V	-	52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6) HV	8-PowerVDFN
STF18N65M2 MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP STMicroelectronics	3,654 En stock	1 : $2.84000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	12 A (Tc)	10V	330mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	20 nC @ 10 V	±25V	770 pF @ 100 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STL18N65M2 MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV STMicroelectronics	2,827 En stock	1 : $2.87000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.09163 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	8 A (Tc)	10V	365mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	21.5 nC @ 10 V	±25V	764 pF @ 100 V	-	57W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6) HV	8-PowerVDFN
STL16N60M2 MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV STMicroelectronics	2,500 En stock	1 : $3.14000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.00940 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	8 A (Tc)	10V	355mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±25V	704 pF @ 100 V	-	52W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6) HV	8-PowerVDFN
STF28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP STMicroelectronics	961 En stock	1 : $3.40000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20 A (Tc)	10V	180mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	30W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STP28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A TO220 STMicroelectronics	945 En stock	1 : $3.68000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20 A (Tc)	10V	180mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STB28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK STMicroelectronics	4,512 En stock	1 : $4.53000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.63718 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20 A (Tc)	10V	180mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
STW28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A TO247 STMicroelectronics	375 En stock	1 : $4.80000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ M2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20 A (Tc)	10V	180mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

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