FET simple, MOSFET

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de 85
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
DPAK
STD2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
STMicroelectronics
5,908
En stock
1 : $2.69000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.80462
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1050 V
1.5 A (Tc)
10V
8Ohm a 750mA, 10V
5V a 100µA
10 nC @ 10 V
±30V
115 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-247-3 HiP
STW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
STMicroelectronics
1,172
En stock
1 : $10.75000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
12 A (Tc)
10V
690mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
STMicroelectronics
879
En stock
1 : $11.03000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
12 A (Tc)
10V
690mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
H2PAK
STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
2,999
En stock
1 : $12.58000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.21350
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
12 A (Tc)
10V
690mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
H2PAK-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
STMicroelectronics
341
En stock
1 : $14.47000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1500 V
14 A (Tc)
10V
900mOhm a 7A, 10V
5V a 100µA
89 nC @ 10 V
±30V
3145 pF @ 100 V
-
446W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW40N90K5
MOSFET N-CH 900V 40A TO247
STMicroelectronics
615
En stock
1 : $17.35000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
40 A (Tc)
10V
99mOhm a 20A, 10V
5V a 100µA
89 nC @ 10 V
±30V
3260 pF @ 100 V
-
446W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-220FP
STF3LN80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
STMicroelectronics
1,774
En stock
1 : $2.10000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
2 A (Tc)
10V
3.25Ohm a 1A, 10V
5V a 100µA
2.63 nC @ 10 V
±30V
102 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
DPAK
STD3N95K5AG
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
STMicroelectronics
5,936
En stock
1 : $2.63000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.78387
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
2 A (Tc)
10V
5Ohm a 1A, 10V
5V a 100µA
3.4 nC @ 10 V
±30V
105 pF @ 100 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DPAK
STD6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
STMicroelectronics
6,689
En stock
1 : $3.15000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.97750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
6 A (Tc)
10V
1.1Ohm a 3A, 10V
5V a 100µA
-
±30V
-
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
H2PAK
STH6N95K5-2
MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
STMicroelectronics
3,743
En stock
1 : $3.60000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.24498
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
6 A (Tc)
10V
1.25Ohm a 3A, 10V
5V a 100µA
13 nC @ 10 V
±30V
450 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
H2PAK-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
DPAK
STD10LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
STMicroelectronics
6,972
En stock
1 : $3.83000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.27650
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
8 A (Tc)
10V
630mOhm a 4A, 10V
5V a 100µA
15 nC @ 10 V
±30V
427 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STB8N90K5
STB8N90K5
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
STMicroelectronics
1,076
En stock
1 : $4.31000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.53526
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
8 A (Tc)
10V
800mOhm a 1.17A, 10V
5V a 100µA
-
±30V
-
-
130W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-263 (D2PAK)
STB14N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
STMicroelectronics
610
En stock
1 : $4.34000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.54636
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
12 A (Tc)
10V
445mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
22 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 100 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-263 (D2PAK)
STB17N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
STMicroelectronics
948
En stock
1 : $5.35000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.00638
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
14 A (Tc)
10V
340mOhm a 7A, 10V
5V a 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
866 pF @ 100 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-263 (D2PAK)
STB16N90K5
MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
STMicroelectronics
1,360
En stock
1 : $6.52000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.61150
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
15 A (Tc)
10V
330 mOhm a 7.5A, 10V
5V a 100µA
29.7 nC @ 10 V
±30V
1027 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW8N120K5
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
STMicroelectronics
17,777
En stock
1 : $6.83000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
6 A (Tc)
10V
2Ohm a 2.5A, 10V
5V a 100µA
13.7 nC @ 10 V
±30V
505 pF @ 100 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247
TO-247-3
TO-220-3
STP8N120K5
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
STMicroelectronics
175
En stock
1 : $7.60000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
6 A (Tc)
10V
2Ohm a 2.5A, 10V
5V a 100µA
13.7 nC @ 10 V
±30V
505 pF @ 100 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-220-3 Type A
STP20N90K5
MOSFET N-CH 900V 20A TO220
STMicroelectronics
677
En stock
1 : $8.01000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
20 A (Tc)
10V
250mOhm a 10A, 10V
5V a 100µA
40 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-263 (D2PAK)
STB30N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
STMicroelectronics
493
En stock
1 : $8.26000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.57875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
24 A (Tc)
10V
180mOhm a 12A, 10V
5V a 100µA
43 nC @ 10 V
±30V
1530 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW40N95K5
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
STMicroelectronics
1,144
En stock
1 : $17.27000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
38 A (Tc)
10V
130mOhm a 19A, 10V
5V a 100µA
93 nC @ 10 V
±30V
3300 pF @ 100 V
-
450W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3 Type A
STP3LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
STMicroelectronics
973
En stock
1 : $1.96000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
2 A (Tc)
10V
3.25Ohm a 1A, 10V
5V a 100µA
2.63 nC @ 10 V
±30V
102 pF @ 100 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
DPAK
STD4LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
STMicroelectronics
2,420
En stock
1 : $2.22000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.64007
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
3 A (Tc)
10V
2.6Ohm a 1A, 10V
5V a 100µA
3.7 nC @ 10 V
±30V
122 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3 Type A
STP4LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
STMicroelectronics
978
En stock
1 : $2.22000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
3 A (Tc)
10V
2.6Ohm a 1A, 10V
5V a 100µA
3.7 nC @ 10 V
±30V
122 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-220FP
STF4LN80K5
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
STMicroelectronics
1,937
En stock
1 : $2.29000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
3 A (Tc)
10V
2.6Ohm a 1A, 10V
5V a 100µA
3.7 nC @ 10 V
±30V
122 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
STMicroelectronics
257
En stock
1 : $2.46000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1050 V
1.5 A (Tc)
10V
8Ohm a 750mA, 10V
5V a 100µA
10 nC @ 10 V
±30V
115 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
Demostración
de 85

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.