FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
CSD15380F3 MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Texas Instruments	48,383 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06632 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	500mA (Ta)	2.8V, 8V	1190mOhm a 100mA, 8V	1.35V a 2.5µA	0.281 nC @ 10 V	10V	10.5 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Texas Instruments	161,590 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09156 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	1.8V, 8V	121mOhm a 500mA, 8V	1.1V a 250µA	2.04 nC @ 8 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD23382F4 MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	2,263 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09308 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	3.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	76mOhm a 500mA, 4.5V	1.1V a 250µA	1.35 nC @ 6 V	±8V	235 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD25480F3T MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Texas Instruments	9,235 En stock	1 : $1.35000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.48664 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.7A (Ta)	1.8V, 8V	132mOhm a 400mA, 8V	1.2V a 250µA	0.91 nC @ 10 V	-12V	155 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD17483F4T MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	7,314 En stock	1 : $1.39000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.50088 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	240mOhm a 500mA, 8V	1.1V a 250µA	1.3 nC @ 4.5 V	12V	190 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD25480F3 MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Texas Instruments	44,165 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07119 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.7A (Ta)	1.8V, 8V	132mOhm a 400mA, 8V	1.2V a 250µA	0.91 nC @ 4.5 V	-12V	155 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD23280F3 MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR Texas Instruments	43,112 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07140 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	1.8A (Ta)	1.5V, 4.5V	116mOhm a 400mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.23 nC @ 4.5 V	-6V	234 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD25501F3 MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA Texas Instruments	2,673 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08145 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	76mOhm a 400mA, 4.5V	1.05V a 250µA	1.33 nC @ 4.5 V	-20V	385 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-LGA (0.73x0.64)	3-XFLGA
CSD17382F4 MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	7,016 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09004 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	2.3A (Ta)	1.8V, 8V	64mOhm a 500mA, 8V	1.2V a 250µA	2.7 nC @ 4.5 V	10V	347 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD25484F4 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	7,988 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10096 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.5A (Ta)	1.8V, 8V	94mOhm a 500mA, 8V	1.2V a 250µA	1.42 nC @ 4.5 V	-12V	230 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD13383F4 MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Texas Instruments	982,645 En stock	1 : $0.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09186 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	2.9A (Ta)	2.5V, 4.5V	44mOhm a 500mA, 4.5V	1.25V a 250µA	2.6 nC @ 4.5 V	±10V	291 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD18541F5 MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR Texas Instruments	15,571 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11541 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	2.2A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 1A, 10V	2.2V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	777 pF @ 30 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD17585F5 MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR Texas Instruments	2,355 En stock	1 : $0.56000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12265 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.9A (Ta)	4.5V, 10V	27mOhm a 900mA, 10V	1.7V a 250µA	5.1 nC @ 10 V	20V	380 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD13385F5 MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	22,523 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12913 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	19mOhm a 900mA, 4.5V	1.2V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	8V	674 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD23285F5 MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR Texas Instruments	20,083 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13124 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	5.4A (Ta)	1.5V, 4.5V	35mOhm a 1A, 4.5V	950mV a 250µA	4.2 nC @ 4.5 V	-6V	628 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD25485F5 MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR Texas Instruments	26,177 En stock	1 : $0.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14281 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.2A (Ta)	1.8V, 8V	35mOhm a 900mA, 8V	1.3V a 250µA	3.5 nC @ 4.5 V	-12V	533 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD13380F3T MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Texas Instruments	22,406 En stock	1 : $1.33000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.48032 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	3.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	76mOhm a 400mA, 4.5V	1.3V a 250µA	1.2 nC @ 4.5 V	8V	156 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD15380F3T MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Texas Instruments	6,944 En stock	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.48188 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	500mA (Ta)	2.5V, 8V	1190mOhm a 100mA, 8V	1.35V a 2.5µA	0.281 nC @ 10 V	10V	10.5 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD17381F4T MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR Texas Instruments	30,233 En stock	1 : $1.40000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.50560 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.1A (Ta)	1.8V, 4.5V	109mOhm a 500mA, 8V	1.1V a 250µA	1.35 nC @ 4.5 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD17484F4T MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Texas Instruments	3,250 En stock	1 : $1.40000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.50716 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	1.8V, 8V	121mOhm a 500mA, 8V	1.1V a 250µA	2.04 nC @ 8 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD13385F5T MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	25,509 En stock	1 : $1.50000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.54460 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	19mOhm a 900mA, 4.5V	1.2V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	8V	674 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-SMD, sin conductor
CSD23280F3T MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR Texas Instruments	11,494 En stock	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.48188 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	1.8A (Ta)	1.5V, 4.5V	116mOhm a 400mA, 4.5V	950mV a 250µA	1.23 nC @ 4.5 V	-6V	234 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD23381F4T MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR Texas Instruments	4,057 En stock 750 Mercado	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.48188 Cinta y rollo (TR) 587 : $0.51000 Granel	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	2.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	175mOhm a 500mA, 4.5V	1.2V a 250µA	1.14 nC @ 6 V	-8V	236 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD13381F4T MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Texas Instruments	1,904 En stock	1 : $1.35000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.48508 Cinta y rollo (TR)	-	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	2.1A (Ta)	1.8V, 4.5V	180mOhm a 500mA, 4.5V	1.1V a 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	8V	200 pF @ 6 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD25483F4T MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Texas Instruments	2,390 En stock	1 : $1.39000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.35160 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	205mOhm a 500mA, 8V	1.2V a 250µA	0.96 nC @ 4.5 V	-12V	198 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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