FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
FCMT199N60 MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 onsemi	8,030 En stock	1 : $5.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.40925 Cinta y rollo (TR)	-	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	20.2A (Tc)	10V	199mOhm a 10A, 10V	3.5V a 250µA	74 nC @ 10 V	±20V	2950 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Power88	4-PowerTSFN
FCH041N60E MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3 onsemi	733 En stock 101,700 Fábrica	1 : $14.12000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	77A (Tc)	10V	41mOhm a 39A, 10V	3.5V a 250µA	380 nC @ 10 V	±20V	13700 pF @ 100 V	-	592W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
FCD2250N80Z MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK onsemi	9,463 En stock	1 : $1.33000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.67757 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	2.6A (Tc)	10V	2.25Ohm a 1.3A, 10V	4.5V a 260µA	14 nC @ 10 V	±20V	585 pF @ 100 V	-	39W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FCD380N60E MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK onsemi	5,631 En stock	1 : $1.86000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.98200 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	10.2A (Tc)	10V	380mOhm a 5A, 10V	3.5V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	106W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STD60NF55LAT4 MOSFET N-CH 55V 60A DPAK STMicroelectronics	2,538 En stock	1 : $2.07000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.70266 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	60A (Tc)	5V, 10V	15mOhm a 30A, 10V	2V a 250µA	40 nC @ 5 V	±15V	1950 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FCPF400N80Z MOSFET N-CH 800V 11A TO220F onsemi	1,084 En stock	1 : $4.24000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	11A (Tc)	10V	400mOhm a 5.5A, 10V	4.5V a 1.1mA	56 nC @ 10 V	±20V	2350 pF @ 100 V	-	35.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FCH070N60E MOSFET N-CH 600V 52A TO247 onsemi	619 En stock	1 : $8.72000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	52A (Tc)	10V	70mOhm a 26A, 10V	3.5V a 250µA	166 nC @ 10 V	±20V	4925 pF @ 380 V	-	481W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
FCH041N60F MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 onsemi	348 En stock	1 : $11.39000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	76A (Tc)	10V	41mOhm a 38A, 10V	5V a 250µA	360 nC @ 10 V	±20V	14365 pF @ 100 V	-	595W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
FCD850N80Z MOSFET N-CH 800V 6A DPAK onsemi	18,156 En stock	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.01012 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	6A (Tc)	10V	850mOhm a 3A, 10V	4.5V a 600µA	29 nC @ 10 V	±20V	1315 pF @ 100 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FCD900N60Z MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 onsemi	1,542 En stock 10,000 Fábrica	1 : $1.57000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.75656 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	4.5A (Tc)	10V	900mOhm a 2.3A, 10V	3.5V a 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	720 pF @ 25 V	-	52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FCP165N60E MOSFET N-CH 600V 23A TO220 onsemi	1,044 En stock 15 Stock alternativo	1 : $2.27000 Tubo 1 : $4.39000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	23A (Tc)	10V	165mOhm a 11.5A, 10V	3.5V a 250µA	75 nC @ 10 V	±20V	2434 pF @ 380 V	-	227W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
FCD600N60Z MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK onsemi	15,265 En stock	1 : $2.35000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.82338 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	7.4A (Tc)	10V	600mOhm a 3.7A, 10V	3.5V a 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	1120 pF @ 25 V	-	89W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FCPF260N60E MOSFET N CH 600V 15A TO-220F onsemi	1,772 En stock 1,000 Fábrica	1 : $2.92000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	15A (Tj)	10V	260mOhm a 7.5A, 10V	3.5V a 250µA	62 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 25 V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
FCPF190N60E MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F onsemi	1,328 En stock	1 : $3.71000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	20.6A (Tc)	10V	190mOhm a 10A, 10V	3.5V a 250µA	82 nC @ 10 V	±20V	3175 pF @ 25 V	-	39W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FCPF220N80 MOSFET N-CH 800V 23A TO220F onsemi	768 En stock 4,000 Fábrica	1 : $6.01000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	23A (Tc)	10V	220mOhm a 11.5A, 10V	4.5V a 2.3mA	105 nC @ 10 V	±20V	4560 pF @ 100 V	-	44W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FCH47N60-F133 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 onsemi	407 En stock	1 : $9.87000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	47A (Tc)	10V	70mOhm a 23.5A, 10V	5V a 250µA	270 nC @ 10 V	±30V	8000 pF @ 25 V	-	417W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
FCD1300N80Z MOSFET N-CH 800V 4A DPAK onsemi	1,911 En stock	1 : $2.26000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.84868 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	4A (Tc)	10V	1.3Ohm a 2A, 10V	4.5V a 400µA	21 nC @ 10 V	±20V	880 pF @ 100 V	-	52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FCPF650N80Z MOSFET N-CH 800V 8A TO220F onsemi	976 En stock	1 : $2.37000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	8A (Tc)	10V	650mOhm a 4A, 10V	4.5V a 800µA	35 nC @ 10 V	±20V	1565 pF @ 100 V	-	30.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FCPF850N80Z MOSFET N-CH 800V 6A TO220F onsemi	880 En stock	1 : $2.37000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	6A (Tc)	10V	850mOhm a 3A, 10V	4.5V a 600µA	29 nC @ 10 V	±20V	1315 pF @ 100 V	-	28.4W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FCPF1300N80Z MOSFET N-CH 800V 4A TO220F onsemi	242 En stock	1 : $2.71000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	4A (Tc)	10V	1.3Ohm a 2A, 10V	4.5V a 400µA	21 nC @ 10 V	±20V	880 pF @ 100 V	-	24W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FCP850N80Z MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 onsemi	720 En stock	1 : $3.19000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	8A (Tc)	10V	850mOhm a 3A, 10V	4.5V a 600µA	29 nC @ 10 V	±20V	1315 pF @ 100 V	-	136W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
FCPF380N60E MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F onsemi	1,914 En stock	1 : $3.27000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	10.2A (Tc)	10V	380mOhm a 5A, 10V	3.5V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	31W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FCP400N80Z MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3 onsemi	830 En stock 800 Fábrica	1 : $3.62000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	14A (Tc)	10V	400mOhm a 5.5A, 10V	4.5V a 1.1mA	56 nC @ 10 V	±20V	2350 pF @ 1000 V	-	195W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
FCPF190N60 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F onsemi	582 En stock	1 : $4.00000 Tubo	-	SuperFET® II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	20.2A (Tc)	10V	199mOhm a 10A, 10V	3.5V a 250µA	74 nC @ 10 V	±20V	2950 pF @ 25 V	-	39W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FCB290N80 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK onsemi	1,447 En stock	1 : $4.16000 Cinta cortada (CT) 800 : $3.19480 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	17A (Tc)	10V	290mOhm a 8.5A, 10V	4.5V a 1.7mA	75 nC @ 10 V	±20V	3205 pF @ 100 V	-	212W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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