FET simple, MOSFET

Resultados : 104
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoleto
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V600 V650 V700 V800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1.7 A (Tc)1.9 A (Tc)2.3 A (Tc)2.4 A (Tc)2.6 A (Tc)2.6 A (Tj)2.8 A (Tc)3.1 A (Tc)3.6 A (Tc)3.7 A (Tc)4 A (Tc)4.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V13V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
190mOhm a 6.2A, 13V280mOhm a 4.2A, 13V310mOhm a 11A, 10V380mOhm a 3.2A, 13V400mOhm a 3.2435A, 10V400mOhm a 3.8A, 10V460mOhm a 3.4A, 10V460mOhm a 7.1A, 10V500mOhm a 2.3A, 13V600mOhm a 1A, 10V650mOhm a 1.8A, 13V650mOhm a 2.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 100µA3.5V a 130µA3.5V a 150µA3.5V a 170µA3.5V a 200µA3.5V a 210µA3.5V a 260µA3.5V a 280µA3.5V a 300µA3.5V a 30µA3.5V a 320µA3.5V a 350µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V8.2 nC @ 10 V9.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12.4 nC @ 10 V13 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
84 pF @ 100 V93 pF @ 100 V124 pF @ 100 V140 pF @ 100 V163 pF @ 100 V178 pF @ 100 V200 pF @ 100 V225 pF @ 100 V231 pF @ 100 V280 pF @ 100 V290 pF @ 100 V328 pF @ 100 V
Disipación de potencia (Máx.)
5W (Tc)18W (Tc)22W (Tc)25W (Tc)25.7W (Tc)26W (Tc)26.4W (Tc)27W (Tc)27.2W (Tc)28W (Tc)29W (Tc)29.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT223PG-SOT223-3PG-TO220-3PG-TO220-3-FPPG-TO220-FPPG-TO251-3PG-TO251-3-341PG-TO251-3-342PG-TO252-2PG-TO252-3PG-TO252-3-11PG-TO252-3-344PG-TO262-3-1TO-251
Paquete / Caja (carcasa)
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AAConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAConductores stub TO-251-3, IPAKTO-220-3TO-220-3 paquete completoTO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63TO-261-4, TO-261AA
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
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de 104
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO252-3
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
12,760
En stock
1 : $0.78000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.19018
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
1.7 A (Tc)
13V
3Ohm a 400mA, 13V
3.5V a 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
26W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Infineon Technologies
4,569
En stock
1 : $2.22000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.64210
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
5.7 A (Tc)
10V
950mOhm a 3.6A, 10V
3.9V a 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Infineon Technologies
8,513
En stock
1 : $0.74000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17415
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
2.6 A (Tc)
10V
3.4Ohm a 500mA, 10V
3.5V a 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
IPN60R1K0CEATMA1
IPN50R2K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Infineon Technologies
10,393
En stock
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17624
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
3.6 A (Tc)
13V
2Ohm a 600mA, 13V
3.5V a 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
124 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
PG-TO252-3
IPD60R3K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Infineon Technologies
3,960
En stock
1 : $0.80000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.19438
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
2.6 A (Tc)
10V
3.4Ohm a 500mA, 10V
3.5V a 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
29W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
2,127
En stock
1 : $0.81000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.19405
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.7 A (Tc)
10V
2.1Ohm a 800mA, 10V
3.5V a 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
IPN60R1K0CEATMA1
IPN50R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Infineon Technologies
11,932
En stock
1 : $0.86000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.20700
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4.8 A (Tc)
13V
1.4Ohm a 900mA, 13V
3.5V a 70µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
178 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
PG-TO252-3
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Infineon Technologies
20,003
En stock
1 : $0.99000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.24971
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 1.1A, 10V
3.5V a 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
49W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD50R500CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Infineon Technologies
38,587
En stock
1 : $1.38000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.36764
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7.6 A (Tc)
13V
500mOhm a 2.3A, 13V
3.5V a 200µA
18.7 nC @ 10 V
±20V
433 pF @ 100 V
-
57W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Infineon Technologies
20,145
En stock
1 : $1.61000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.40625
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
14.1 A (Tc)
13V
380mOhm a 3.2A, 13V
3.5V a 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
98W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
Infineon Technologies
4,470
En stock
1 : $2.16000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.62483
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
13 A (Ta)
13V
280mOhm a 4.2A, 13V
3.5V a 350µA
32.6 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 100 V
-
119W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO247-2-2
IPA50R190CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220
Infineon Technologies
1,007
En stock
1 : $2.78000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
18.5 A (Tc)
13V
190mOhm a 6.2A, 13V
3.5V a 510µA
47.2 nC @ 10 V
±20V
1137 pF @ 100 V
-
32W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-FP
TO-220-3 paquete completo
PG-TO252-3
IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Infineon Technologies
5,015
En stock
1 : $0.82000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.20012
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
2.4 A (Tc)
13V
2Ohm a 600mA, 13V
3.5V a 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
124 pF @ 100 V
-
33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Infineon Technologies
10,136
En stock
1 : $0.90000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.22466
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
2.3 A (Tc)
10V
2.1Ohm a 760mA, 10V
3.5V a 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
38W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Infineon Technologies
5,829
En stock
1 : $0.90000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.21787
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 1.1A, 10V
3.5V a 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
3,865
En stock
1 : $0.97000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.24317
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4.3 A (Tc)
13V
950mOhm a 1.2A, 13V
3.5V a 100µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 100 V
-
53W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Infineon Technologies
14,925
En stock
1 : $1.01000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.25040
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6.8 A (Tc)
10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3.5V a 130µA
13 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Infineon Technologies
7,337
En stock
1 : $1.14000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.29284
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6.8 A (Tc)
10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3.5V a 130µA
13 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 100 V
-
61W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Infineon Technologies
14,900
En stock
1 : $1.17000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.30210
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
5.4 A (Tc)
10V
1.4Ohm a 1A, 10V
3.5V a 130µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 100 V
-
53W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO252-3
IPD50R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Infineon Technologies
1,233
En stock
1 : $1.26000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.32996
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
9 A (Tc)
13V
650mOhm a 1.8A, 13V
3.5V a 150µA
15 nC @ 10 V
±20V
342 pF @ 100 V
-
69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-FP
IPA50R800CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
Infineon Technologies
287
En stock
1 : $1.33000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4.1 A (Tc)
13V
800mOhm a 1.5A, 13V
3.5V a 130µA
12.4 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 100 V
-
26.4W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3-FP
TO-220-3 paquete completo
PG-TO252-3
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Infineon Technologies
563
En stock
1 : $1.47000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.39424
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7 A (Tc)
10V
650mOhm a 2.1A, 10V
3.5V a 210µA
23 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 100 V
-
86W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Infineon Technologies
4,860
En stock
1 : $1.57000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.42651
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
1.9 A (Tc)
10V
2.8Ohm a 1.1A, 10V
3.9V a 120µA
12 nC @ 10 V
±20V
290 pF @ 100 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IPD60R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Infineon Technologies
4,723
En stock
1 : $1.80000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.50233
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
14.7 A (Tc)
10V
400mOhm a 3.8A, 10V
3.5V a 300µA
32 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 100 V
-
112W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-2
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-1
IPP50R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Infineon Technologies
495
En stock
1 : $2.78000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
18.5 A (Tc)
13V
190mOhm a 6.2A, 13V
3.5V a 510µA
47.2 nC @ 10 V
±20V
1137 pF @ 100 V
-
127W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
Demostración
de 104

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.