FET simple, MOSFET

Resultados : 61
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®Tubo
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoleto
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V600 V650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
7 A (Tc)8 A (Tc)10 A (Tc)11 A (Tc)13 A (Tc)14 A (Tc)17 A (Tc)19.5 A (Tc)21 A (Tc)23 A (Tc)25 A (Tc)29 A (Tc)49 A (Tc)51 A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
60mOhm a 25.5A, 10V65mOhm a 24.5A, 10V110mOhm a 14.5A, 10V130mOhm a 12.5A, 10V150mOhm a 11.5A, 10V160mOhm a 10.5A, 10V175mOhm a 10.5A, 10V180mOhm a 10A, 10V220mOhm a 8.5A, 10V290mOhm a 6.5A, 10V299mOhm a 7A, 10V380mOhm a 5.5A, 10V450mOhm a 5A, 10V550mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V24.5 nC @ 10 V30 nC @ 10 V34 nC @ 10 V40 nC @ 10 V54.6 nC @ 10 V60 nC @ 10 V62.5 nC @ 10 V69 nC @ 10 V70 nC @ 10 V80 nC @ 10 V80.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
540 pF @ 50 V560 pF @ 50 V577 pF @ 50 V845 pF @ 50 V850 pF @ 50 V1030 pF @ 50 V1250 pF @ 50 V1800 pF @ 50 V1817 pF @ 100 V2050 pF @ 50 V2090 pF @ 100 V2100 pF @ 50 V2400 pF @ 50 V2785 pF @ 50 V
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta), 150W (Tc)25W (Tc)30W (Tc)35W (Tc)40W (Tc)70W (Tc)90W (Tc)100W (Tc)109W (Tc)110W (Tc)125W (Tc)140W (Tc)150W (Tc)160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
D2PAKDPAKD²PAK (TO-263)I-PAKI2PAKPowerFlat™ (8x8) HVTO-220TO-220FPTO-247-3TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFNTO-220-3 paquete completoTO-220-3TO-247-3TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AATO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AATO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
MFG_DPAK(TO252-3)
STD13NM60ND
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
1,984
En stock
1 : $4.38000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $2.20056
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V11 A (Tc)10V380mOhm a 5.5A, 10V5V a 250µA24.5 nC @ 10 V±25V845 pF @ 50 V-109W (Tc)150°C (TJ)Montaje en superficieDPAKTO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO-220-F
STF13NM60ND
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
672
En stock
1 : $4.38000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V11 A (Tc)10V380mOhm a 5.5A, 10V5V a 250µA24.5 nC @ 10 V±25V845 pF @ 50 V-25W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220FPTO-220-3 paquete completo
TO-220FP
STF11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STMicroelectronics
991
En stock
1 : $4.46000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V10 A (Tc)10V450mOhm a 5A, 10V5V a 250µA30 nC @ 10 V±25V850 pF @ 50 V-25W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220FPTO-220-3 paquete completo
TO-220-F
STF28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
STMicroelectronics
950
En stock
1 : $8.54000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V23 A (Tc)10V150mOhm a 11.5A, 10V5V a 250µA62.5 nC @ 10 V±25V2090 pF @ 100 V-35W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220FPTO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
STMicroelectronics
999
En stock
1 : $11.44000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V29 A (Tc)10V110mOhm a 14.5A, 10V5V a 250µA80.4 nC @ 10 V±25V2785 pF @ 50 V-190W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10NM60ND
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
STMicroelectronics
2,200
En stock
1 : $2.06000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.97586
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V8 A (Tc)10V600mOhm a 4A, 10V5V a 250µA20 nC @ 10 V±25V577 pF @ 50 V-70W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieDPAKTO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO-220-3
STP18NM60ND
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
STMicroelectronics
174
En stock
1 : $5.00000
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V13 A (Tc)10V290mOhm a 6.5A, 10V5V a 250µA34 nC @ 10 V±25V1030 pF @ 50 V-110W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW18NM60ND
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
STMicroelectronics
254
En stock
1 : $5.62000
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V13 A (Tc)10V290mOhm a 6.5A, 10V5V a 250µA34 nC @ 10 V±25V1030 pF @ 50 V-110W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
TO-220FP
STF21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
STMicroelectronics
691
En stock
1 : $6.13000
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V17 A (Tc)10V220mOhm a 8.5A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±25V1800 pF @ 50 V-30W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220FPTO-220-3 paquete completo
D²PAK
STB21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
STMicroelectronics
425
En stock
1 : $6.32000
Cinta cortada (CT)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V17 A (Tc)10V220mOhm a 8.5A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±25V1800 pF @ 50 V-140W (Tc)150°C (TJ)Montaje en superficieD2PAKTO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW15NM60ND
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
STMicroelectronics
372
En stock
1 : $6.33000
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V14 A (Tc)10V299mOhm a 7A, 10V5V a 250µA40 nC @ 10 V±25V1250 pF @ 50 V-125W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
TO-220-3
STP28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
STMicroelectronics
137
En stock
1 : $6.76000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V23 A (Tc)10V150mOhm a 11.5A, 10V5V a 250µA62.5 nC @ 10 V±25V2090 pF @ 100 V-190W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A TO247
STMicroelectronics
127
En stock
1 : $7.02000
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V23 A (Tc)10V150mOhm a 11.5A, 10V5V a 250µA62.5 nC @ 10 V±25V2090 pF @ 100 V-190W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
D2Pak
STB28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
STMicroelectronics
427
En stock
1 : $8.54000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $4.84479
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V23 A (Tc)10V150mOhm a 11.5A, 10V5V a 250µA62.5 nC @ 10 V±25V2090 pF @ 100 V-190W (Tc)150°C (TJ)Montaje en superficieD²PAK (TO-263)TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-220-3
STP10NM60ND
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
STMicroelectronics
631
En stock
1 : $1.76000
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V8 A (Tc)10V600mOhm a 4A, 10V5V a 250µA20 nC @ 10 V±25V577 pF @ 50 V-70W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
TO-220-F
STF10NM60ND
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
STMicroelectronics
378
En stock
1 : $2.39000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V8 A (Tc)10V550mOhm a 4A, 10V4V a 250µA19 nC @ 10 V±25V540 pF @ 50 V-25W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220FPTO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP13NM60ND
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STMicroelectronics
92
En stock
1 : $4.02000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V11 A (Tc)10V380mOhm a 5.5A, 10V5V a 250µA24.5 nC @ 10 V±25V845 pF @ 50 V-109W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
D2Pak
STB34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STMicroelectronics
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $11.47000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.50361
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V29 A (Tc)10V110mOhm a 14.5A, 10V5V a 250µA80.4 nC @ 10 V±25V2785 pF @ 50 V-190W (Tc)150°C (TJ)Montaje en superficieD²PAK (TO-263)TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
STMicroelectronics
0
En stock
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1 : $12.36000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V29 A (Tc)10V110mOhm a 14.5A, 10V5V a 250µA80.4 nC @ 10 V±25V2785 pF @ 50 V-190W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
STMicroelectronics
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $3.75000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.88166
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V10 A (Tc)10V450mOhm a 5A, 10V5V a 250µA30 nC @ 10 V±25V850 pF @ 50 V-90W (Tc)150°C (TJ)Montaje en superficieDPAKTO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO-220-3
STP11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STMicroelectronics
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $4.32000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V10 A (Tc)10V450mOhm a 5A, 10V5V a 250µA30 nC @ 10 V±25V850 pF @ 50 V-90W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
TO-220FP
STF23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP
STMicroelectronics
0
En stock
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1,000 : $3.30710
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V19.5 A (Tc)10V180mOhm a 10A, 10V5V a 250µA70 nC @ 10 V±25V2050 pF @ 50 V-35W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220FPTO-220-3 paquete completo
TO-220-F
STF34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
STMicroelectronics
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1,000 : $6.48801
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V29 A (Tc)10V110mOhm a 14.5A, 10V5V a 250µA80.4 nC @ 10 V±25V2785 pF @ 50 V-40W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220FPTO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220AB
STMicroelectronics
0
En stock
Obsoleto
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V19.5 A (Tc)10V180mOhm a 10A, 10V5V a 250µA69 nC @ 10 V±25V2100 pF @ 50 V-150W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
TO-220-3
STP21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
STMicroelectronics
0
En stock
Obsoleto
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V17 A (Tc)10V220mOhm a 8.5A, 10V5V a 250µA60 nC @ 10 V±25V1800 pF @ 50 V-140W (Tc)150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
Demostración
de 61

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.