FET simple, MOSFET

Demostración

de 212

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
STP10NM60N MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB STMicroelectronics	1,245 En stock	1 : $2.89000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	10 A (Tc)	10V	550mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±25V	540 pF @ 50 V	-	70W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STD13NM60N MOSFET N-CH 600V 11A DPAK STMicroelectronics	2,669 En stock	1 : $3.06000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.25440 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	11 A (Tc)	10V	360mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	30 nC @ 10 V	±25V	790 pF @ 50 V	-	90W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STD10NM60N MOSFET N-CH 600V 10A DPAK STMicroelectronics	3,572 En stock	1 : $1.69000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.27050 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	10 A (Tc)	10V	550mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±25V	540 pF @ 50 V	-	70W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STF13NM60N MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP STMicroelectronics	1,011 En stock	1 : $2.03000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	11 A (Tc)	10V	360mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	30 nC @ 10 V	±25V	790 pF @ 50 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STD14NM50NAG MOSFET N-CH 500V 12A DPAK STMicroelectronics	2,379 En stock	1 : $2.17000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.82415 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	12 A (Tc)	10V	320mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	27 nC @ 10 V	±25V	816 pF @ 50 V	-	90W	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STP22NM60N MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB STMicroelectronics	881 En stock	1 : $3.58000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	16 A (Tc)	10V	220mOhm a 8A, 10V	4V a 100µA	44 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 50 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STP13NM60N MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 STMicroelectronics	486 En stock	1 : $4.67000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	11 A (Tc)	10V	360mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	30 nC @ 10 V	±25V	790 pF @ 50 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STB14NM50N MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK STMicroelectronics	1,422 En stock	1 : $4.97000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.81500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	12 A (Tc)	10V	320mOhm a 6A, 10V	4V a 100µA	27 nC @ 10 V	±25V	816 pF @ 50 V	-	90W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
STP26NM60N MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB STMicroelectronics	467 En stock	1 : $7.15000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	20 A (Tc)	10V	165mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±30V	1800 pF @ 50 V	-	140W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STW28NM50N MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3 STMicroelectronics	381 En stock	1 : $8.37000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	21 A (Tc)	10V	158mOhm a 10.5A, 10V	4V a 250µA	50 nC @ 10 V	±25V	1735 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
STW34NM60N MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 STMicroelectronics	500 En stock	1 : $10.41000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	29 A (Tc)	10V	105mOhm a 14.5A, 10V	4V a 250µA	80 nC @ 10 V	±25V	2722 pF @ 100 V	-	250W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
STD9NM50N MOSFET N-CH 500V 5A DPAK STMicroelectronics	1,309 En stock	1 : $1.38000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.51714 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	5 A (Tc)	10V	790mOhm a 2.5A, 10V	4V a 250µA	14 nC @ 10 V	±25V	570 pF @ 50 V	-	45W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STP18NM60N MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB STMicroelectronics	1,123 En stock	1 : $1.49000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	13 A (Tc)	10V	285mOhm a 6.5A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1000 pF @ 50 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STD7ANM60N MOSFET N-CH 600V 5A DPAK STMicroelectronics	4,885 En stock	1 : $1.92000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.64348 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	5 A (Tc)	10V	900mOhm a 2.5A, 10V	4V a 250µA	14 nC @ 10 V	±25V	363 pF @ 50 V	-	45W (Tc)	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STP8NM50N MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB STMicroelectronics	803 En stock	1 : $1.94000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	5 A (Tc)	10V	790mOhm a 2.5A, 10V	4V a 250µA	14 nC @ 10 V	±25V	364 pF @ 50 V	-	45W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STD11NM65N MOSFET N CH 650V 11A DPAK STMicroelectronics	4,162 En stock	1 : $2.19000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.54275 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11 A (Tc)	10V	455mOhm a 5.5A, 10V	4V a 250µA	29 nC @ 10 V	±25V	800 pF @ 50 V	-	110W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STD7NM60N MOSFET N-CH 600V 5A DPAK STMicroelectronics	11,139 En stock	1 : $2.49000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.87725 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	5 A (Tc)	10V	900mOhm a 2.5A, 10V	4V a 250µA	14 nC @ 10 V	±25V	363 pF @ 50 V	-	45W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STF14NM50N MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP STMicroelectronics	920 En stock	1 : $2.65000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	12 A (Tc)	10V	320mOhm a 6A, 10V	4V a 100µA	27 nC @ 10 V	±25V	816 pF @ 50 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STD8NM50N MOSFET N-CH 500V 5A DPAK STMicroelectronics	2,940 En stock	1 : $2.98000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.90818 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	5 A (Tc)	10V	790mOhm a 2.5A, 10V	4V a 250µA	14 nC @ 10 V	±25V	364 pF @ 50 V	-	45W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STF18NM60N MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP STMicroelectronics	606 En stock	1 : $3.10000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	13 A (Tc)	10V	285mOhm a 6.5A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1000 pF @ 50 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STL3NM60N MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT STMicroelectronics	7,877 En stock	1 : $3.12000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.96800 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ II	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	650mA (Ta), 2.2A (Tc)	10V	1.8Ohm a 1A, 10V	4V a 250µA	9.5 nC @ 10 V	±25V	188 pF @ 50 V	-	2W (Ta), 22W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (3.3x3.3)	8-PowerVDFN
STF10NM60N MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP STMicroelectronics	476 En stock	1 : $3.69000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	10 A (Tc)	10V	550mOhm a 4A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±25V	540 pF @ 50 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STP14NM50N MOSFET N-CH 500V 12A TO220 STMicroelectronics	797 En stock	1 : $4.09000 Tubo	-	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	12 A (Tc)	10V	320mOhm a 6A, 10V	4V a 100µA	27 nC @ 10 V	±25V	816 pF @ 50 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STF26NM60N MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP STMicroelectronics	430 En stock	1 : $4.56000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	20 A (Tc)	10V	165mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±30V	1800 pF @ 50 V	-	35W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo
STF22NM60N MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP STMicroelectronics	1,939 En stock	1 : $4.78000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	16 A (Tc)	10V	220mOhm a 8A, 10V	4V a 100µA	44 nC @ 10 V	±30V	1300 pF @ 50 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FP	TO-220-3 paquete completo

Demostración

de 212

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

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