FET simple, MOSFET

Resultados : 136
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®Tubo
Estado del producto
ActivoObsoletoÚltima compra
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V250 V300 V550 V650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1.4 A (Ta), 7 A (Tc)1.8 A (Ta), 10 A (Tc)2.3 A (Ta), 12.5 A (Tc)2.4 A (Ta), 13 A (Tc)2.8 A (Ta), 15 A (Tc)3.5 A (Ta), 22.5 A (Tc)3.8 A (Ta), 22.5 A (Tc)4 A (Ta), 34 A (Tc)4.3 A (Ta), 22.5 A (Tc)7 A (Tc)8.5 A (Tc)9 A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
15mOhm a 69A, 10V17mOhm a 65A, 10V22mOhm a 47A, 10V23mOhm a 30.5A, 10V29mOhm a 42A, 10V32mOhm a 34.5A, 10V38mOhm a 34.5A, 10V40mOhm a 26.5A, 10V45mOhm a 29A, 10V49mOhm a 23A, 10V59mOhm a 23A, 10V63mOhm a 21A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 100µA5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
15 nC @ 10 V17 nC @ 10 V22 nC @ 10 V31 nC @ 10 V36 nC @ 10 V44 nC @ 10 V45 nC @ 10 V47 nC @ 10 V50 nC @ 10 V62 nC @ 10 V62.5 nC @ 10 V64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V±25V25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
620 pF @ 100 V644 pF @ 100 V690 pF @ 100 V810 pF @ 100 V816 pF @ 100 V900 pF @ 100 V1240 pF @ 100 V1250 pF @ 100 V1260 pF @ 100 V1345 pF @ 100 V1352 pF @ 100 V1434 pF @ 100 V
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta), 110W (Tc)2.5W (Ta), 70W (Tc)2.8W (Ta), 110W (Tc)2.8W (Ta), 125W (Tc)2.8W (Ta), 150W (Tc)2.8W (Ta), 160W (Tc)2.8W (Ta), 189W (Tc)2.8W (Ta), 70W (Tc)2.8W (Ta), 90W (Tc)3W (Ta), 125W (Tc)3W (Ta), 208W (Tc)3W (Ta), 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje de chasisMontaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
D2PAKDPAKI2PAKISOTOPISOTOP®MAX247™PowerFLAT™ (5x5)PowerFlat™ (5x6)PowerFLAT™ (8x8)PowerFlat™ (8x8) HVTO-220TO-220FPTO-247TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN14-PowerVQFNConductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AAConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAISOTOPPaquete completo TO-262-3, I2PAKTO-220-3TO-220-3 paquete completoTO-220-5, paquete completoTO-247-3TO-247-4TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263ABTO-3P-3 paquete completo
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
136Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 136
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
DPAK
STD11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
STMicroelectronics
1,776
En stock
1 : $2.61000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.77577
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
9 A (Tc)
10V
480mOhm a 4.5A, 10V
5V a 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
620 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8PowerVDFN
STL15N65M5
MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,970
En stock
1 : $3.54000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.14975
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
10 A (Tc)
10V
375mOhm a 5A, 10V
5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 100 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
DPAK
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
7,826
En stock
1 : $3.93000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.32078
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
12 A (Tc)
10V
299mOhm a 6A, 10V
5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DPAK
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STMicroelectronics
4,331
En stock
1 : $3.97000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.34250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
550 V
16 A (Tc)
10V
192mOhm a 8A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1260 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DPAK
STD18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
STMicroelectronics
461
En stock
1 : $3.97000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.33900
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
15 A (Tc)
10V
220mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8PowerVDFN
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
STMicroelectronics
15,173
En stock
1 : $4.06000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.38225
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
15 A (Tc)
10V
240mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
57W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
D²PAK
STB21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
STMicroelectronics
4,863
En stock
1 : $5.72000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.19300
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
17 A (Tc)
10V
190mOhm a 8.5A, 10V
5V a 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1950 pF @ 100 V
-
125W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
D²PAK
STB80N20M5
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
STMicroelectronics
631
En stock
1 : $6.84000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.78625
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
61 A (Tc)
10V
23mOhm a 30.5A, 10V
5V a 250µA
104 nC @ 10 V
±25V
4329 pF @ 50 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220FP
STF45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
STMicroelectronics
106
En stock
1 : $8.60000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mOhm a 19.5A, 10V
5V a 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-263 (D2PAK)
STB45N65M5
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STMicroelectronics
3,753
En stock
1 : $8.75000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.86150
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mOhm a 19.5A, 10V
5V a 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
1,765
En stock
1 : $8.93000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mOhm a 19.5A, 10V
5V a 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STMicroelectronics
2,230
En stock
1 : $9.39000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mOhm a 19.5A, 10V
5V a 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-263 (D2PAK)
STB46N30M5
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
STMicroelectronics
1,415
En stock
1 : $10.18000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $4.71150
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
53 A (Tc)
10V
40mOhm a 26.5A, 10V
5V a 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-263 (D2PAK)
STB57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STMicroelectronics
9,720
En stock
1 : $11.38000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $5.45312
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
42 A (Tc)
10V
63mOhm a 21A, 10V
5V a 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
4200 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 Max EP
STY139N65M5
MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
STMicroelectronics
369
En stock
1 : $33.25000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
130 A (Tc)
10V
17mOhm a 65A, 10V
5V a 250µA
363 nC @ 10 V
±25V
15600 pF @ 100 V
-
625W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
MAX247™
TO-247-3
TO-247-3 Max EP
STY145N65M5
MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
STMicroelectronics
386
En stock
1 : $37.81000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
138 A (Tc)
10V
15mOhm a 69A, 10V
5V a 250µA
414 nC @ 10 V
±25V
18500 pF @ 100 V
-
625W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
MAX247™
TO-247-3
DPAK
STD15N65M5
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
STMicroelectronics
1,367
En stock
1 : $2.98000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.90818
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
11 A (Tc)
10V
340mOhm a 5.5A, 10V
5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263 (D2PAK)
STB18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
STMicroelectronics
1,000
En stock
1 : $3.70000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.28341
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
15 A (Tc)
10V
220mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-263 (D2PAK)
STB8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
STMicroelectronics
720
En stock
1 : $3.74000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.29816
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7 A (Tc)
10V
600mOhm a 3.5A, 10V
5V a 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
690 pF @ 100 V
-
70W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
STP16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
STMicroelectronics
372
En stock
1 : $4.13000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
12 A (Tc)
10V
299mOhm a 6A, 10V
5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO220
STMicroelectronics
1,680
En stock
1 : $10.25000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
42 A (Tc)
10V
63mOhm a 21A, 10V
5V a 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
4200 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
STMicroelectronics
295
En stock
1 : $11.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
33 A (Tc)
10V
79mOhm a 16.5A, 10V
5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4650 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
D²PAK
STB42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
STMicroelectronics
2,397
En stock
1 : $12.12000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $5.91488
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
33 A (Tc)
10V
79mOhm a 16.5A, 10V
5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4650 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW88N65M5
MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
STMicroelectronics
637
En stock
1 : $13.11000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
84 A (Tc)
10V
29mOhm a 42A, 10V
5V a 250µA
204 nC @ 10 V
±25V
8825 pF @ 100 V
-
450W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
DPAK
STD8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
STMicroelectronics
4,523
En stock
1 : $3.34000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.06238
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7 A (Tc)
10V
600mOhm a 3.5A, 10V
5V a 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
690 pF @ 100 V
-
70W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Demostración
de 136

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.