FET simple, MOSFET

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de 74
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
DPAK
STD11N50M2
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
STMicroelectronics
2,148
En stock
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.40438
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
8A (Tc)
10V
530mOhm a 4A, 10V
4V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
395 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DPAK
STD9N40M2
MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
STMicroelectronics
295
En stock
1 : $1.51000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.40680
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
6A (Tc)
10V
800mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
270 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220FP
STF7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STMicroelectronics
1,881
En stock
1 : $1.71000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5A (Tc)
10V
950mOhm a 2.5A, 10V
4V a 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
271 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
DPAK
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
9,227
En stock
1 : $1.73000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.47581
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11A (Tc)
10V
380mOhm a 5.5A, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
STP7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
STMicroelectronics
1,075
En stock
1 : $1.79000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5A (Tc)
10V
950mOhm a 2.5A, 10V
4V a 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
271 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-220FP
STF10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
STMicroelectronics
628
En stock
1 : $1.83000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
7.5A (Tc)
10V
600mOhm a 4A, 10V
4V a 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
DPAK
STD7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
8,014
En stock
1 : $1.84000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.51167
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5A (Tc)
10V
950mOhm a 2.5A, 10V
4V a 250µA
8.8 nC @ 10 V
±25V
271 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220FP
STF13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
1,748
En stock
1 : $1.93000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11A (Tc)
10V
380mOhm a 5.5A, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
STMicroelectronics
411
En stock
1 : $2.02000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
7.5A (Tc)
10V
600mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
D²PAK
STB6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
STMicroelectronics
4,579
En stock
1 : $2.16000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.68616
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
4.5A (Tc)
10V
1.2Ohm a 2.25A, 10V
4V a 250µA
8 nC @ 10 V
±25V
232 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220FP
STF18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STMicroelectronics
853
En stock
1 : $2.59000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
13A (Tc)
10V
280mOhm a 6.5A, 10V
4V a 250µA
21.5 nC @ 10 V
±25V
791 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-263 (D2PAK)
STB28N60M2
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
STMicroelectronics
1,344
En stock
1 : $2.62000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.85723
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
22A (Tc)
10V
150mOhm a 11A, 10V
4V a 250µA
36 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
8 PowerVDFN
STL18N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
593
En stock
1 : $3.06000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.94213
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
9A (Tc)
10V
308mOhm a 4.5A, 10V
4V a 250µA
21.5 nC @ 10 V
±25V
791 pF @ 100 V
-
57W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6) HV
8-PowerVDFN
TO-220FP
STF24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
STMicroelectronics
896
En stock
1 : $3.33000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
18A (Tc)
10V
190mOhm a 9A, 10V
4V a 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1060 pF @ 100 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
STMicroelectronics
621
En stock
1 : $3.47000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
18A (Tc)
10V
190mOhm a 9A, 10V
4V a 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
1060 pF @ 100 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-263 (D2PAK)
STB40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
STMicroelectronics
1,368
En stock
1 : $5.89000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.28100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
34A (Tc)
10V
88mOhm a 17A, 10V
4V a 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2500 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW70N60M2
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STMicroelectronics
354
En stock
1 : $9.72000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
68A (Tc)
10V
40mOhm a 34A, 10V
4V a 250µA
118 nC @ 10 V
±25V
5200 pF @ 100 V
-
450W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247
TO-247-3
DPAK
STD10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STMicroelectronics
3,656
En stock
1 : $1.67000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.43659
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
7.5A (Tc)
10V
600mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
13.5 nC @ 10 V
±25V
400 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DPAK
STD9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
STMicroelectronics
3,616
En stock
1 : $1.68000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.45939
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.5A (Tc)
10V
780mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220FP
STF6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
STMicroelectronics
1,766
En stock
1 : $1.97000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
4.5A (Ta)
10V
1.2Ohm a 2.25A, 10V
4V a 250µA
8 nC @ 10 V
±25V
232 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220FP
STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
STMicroelectronics
1,955
En stock
1 : $1.98000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.5A (Tc)
10V
780mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220FP
STF12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
STMicroelectronics
327
En stock
1 : $2.11000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
10A (Tc)
10V
380mOhm a 5A, 10V
4V a 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
560 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
STMicroelectronics
1,311
En stock
1 : $2.20000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
10A (Tc)
10V
380mOhm a 5A, 10V
4V a 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
560 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
STMicroelectronics
1,763
En stock
1 : $2.30000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7A (Tc)
10V
670mOhm a 3.5A, 10V
4V a 250µA
12.5 nC @ 10 V
±25V
410 pF @ 100 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STMicroelectronics
594
En stock
1 : $2.33000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11A (Tc)
10V
380mOhm a 5.5A, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
Demostración
de 74

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.