FET simple, MOSFET

Resultados : 16
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100mA (Ta)180mA (Ta)400mA (Ta)1.2 A (Ta)3.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.2V, 4V1.5V, 4V2.5V, 4V3.3V, 10V4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
120mOhm a 1.6A, 4V310mOhm a 600mA, 10V700mOhm a 200 MA, 10V3Ohm a 10mA, 4V3Ohm a 50mA, 4V4Ohm a 10mA, 4V8Ohm a 10mA, 4V8Ohm a 50mA, 4V12Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 1mA1.1V a 100µA1.5V a 100µA1.7V a 100µA1.8V a 100µA2.3V a 100µA-
Vgs (máx.)
±10V±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
7.8 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V9.5 pF @ 3 V11 pF @ 3 V12.2 pF @ 3 V20 pF @ 5 V36 pF @ 10 V152 pF @ 10 V
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)150mW (Ta)200mW (Ta)500mW (Ta)1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)150°C
Paquete del dispositivo del proveedor
5-SSOPCST3ESVSSMTSMUFMUSMVESM
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, conductores planos5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SC-101, SOT-883SC-70, SOT-323SC-75, SOT-416SOT-553SOT-723TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Opciones ambientales
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Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
VESM
SSM3J15FV,L3F
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Toshiba Semiconductor and Storage
55,389
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03434
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V12Ohm a 10mA, 4V1.7V a 100µA±20V9.1 pF @ 3 V-150mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieVESMSOT-723
USM
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Toshiba Semiconductor and Storage
43,663
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04181
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V12Ohm a 10mA, 4V1.7V a 100µA±20V9.1 pF @ 3 V-150mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieUSMSC-70, SOT-323
USM
SSM3K16FU,LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Toshiba Semiconductor and Storage
18,582
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05115
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.5V, 4V3Ohm a 10mA, 4V1.1V a 100µA±10V9.3 pF @ 3 V-150mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieUSMSC-70, SOT-323
USM
SSM3K09FU,LF
MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Toshiba Semiconductor and Storage
73,386
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1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08859
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V400mA (Ta)3.3V, 10V700mOhm a 200 MA, 10V1.8V a 100µA±20V20 pF @ 5 V-150mW (Ta)150°CMontaje en superficieUSMSC-70, SOT-323
CST3
SSM3J35CT,L3F
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
6,583
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1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04293
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4V8Ohm a 50mA, 4V1V a 1mA±10V12.2 pF @ 3 V-100mW (Ta)150°CMontaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
SOT-553
SSM5N15FE(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Toshiba Semiconductor and Storage
2,765
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.08080
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V4Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA±20V7.8 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieESVSOT-553
USV
SSM5N15FU,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA USV
Toshiba Semiconductor and Storage
2,976
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08080
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V4Ohm a 10mA, 4V-±20V7.8 pF @ 3 V-200mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficie5-SSOP5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
CST3
SSM3K16CT(TPL3)
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
0
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10,000 : $0.05494
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.5V, 4V3Ohm a 10mA, 4V1.1V a 100µA±10V9.3 pF @ 3 V-100mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
UFM
SSM3K106TU(TE85L)
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Toshiba Semiconductor and Storage
0
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Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V1.2 A (Ta)4V, 10V310mOhm a 600mA, 10V2.3V a 100µA±20V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieUFM3-SMD, conductores planos
CST3
SSM3K15CT(TPL3)
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
0
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Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V4Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA±20V7.8 pF @ 3 V-100mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
SSM3K15FS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Toshiba Semiconductor and Storage
0
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Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V4Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA±20V7.8 pF @ 3 V-200mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieSSMSC-75, SOT-416
VESM
SSM3K35MFV(TPL3)
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Toshiba Semiconductor and Storage
0
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Activo
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V180mA (Ta)1.2V, 4V3Ohm a 50mA, 4V1V a 1mA±10V9.5 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVESMSOT-723
USV
SSM5N16FUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
Toshiba Semiconductor and Storage
0
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Activo
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.5V, 4V3Ohm a 10mA, 4V-±10V9.3 pF @ 3 V-200mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficie5-SSOP5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
CST3
SSM3J15CT(TPL3)
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
0
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Activo
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V12Ohm a 10mA, 4V-±20V9.1 pF @ 3 V-100mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
CST3
SSM3J16CT(TPL3)
MOSFET P-CH 20V 100MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
0
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Activo
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.5V, 4V8Ohm a 10mA, 4V1.1V a 100µA±10V11 pF @ 3 V-100mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
SC59
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Toshiba Semiconductor and Storage
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V3.2 A (Ta)2.5V, 4V120mOhm a 1.6A, 4V-±10V152 pF @ 10 V-1.25W (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieTSMTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 16

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.