FET simple, MOSFET

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de 16
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
35,522
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03350
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
1.7V a 100µA
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
15,767
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04100
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
1.7V a 100µA
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
USM
SC-70, SOT-323
21,514
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04793
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
3Ohm a 10mA, 4V
1.1V a 100µA
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
USM
SC-70, SOT-323
33,255
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07447
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
400mA (Ta)
3.3V, 10V
700mOhm a 200 MA, 10V
1.8V a 100µA
±20V
20 pF @ 5 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
USM
SC-70, SOT-323
2,105
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.07940
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
4Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
±20V
7.8 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
ESV
SOT-553
SSM3J15CT,L3F
SSM3J35CT,L3F
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
6,186
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04411
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.2V, 4V
8Ohm a 50mA, 4V
1V a 1mA
±10V
12.2 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
2,122
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07678
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
4Ohm a 10mA, 4V
-
±20V
7.8 pF @ 3 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-SSOP
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
0
En stock
10,000 : $0.05836
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
3Ohm a 10mA, 4V
1.1V a 100µA
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
0
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04588
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
4Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
±20V
7.8 pF @ 3 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
0
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05413
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
0
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05836
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
8Ohm a 10mA, 4V
1.1V a 100µA
±10V
11 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
0
En stock
Activo
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
180mA (Ta)
1.2V, 4V
3Ohm a 50mA, 4V
1V a 1mA
±10V
9.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
4Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
±20V
7.8 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
0
En stock
Activo
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
3Ohm a 10mA, 4V
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-SSOP
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.2 A (Ta)
4V, 10V
310mOhm a 600mA, 10V
2.3V a 100µA
±20V
36 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UFM
3-SMD, conductores planos
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.2 A (Ta)
2.5V, 4V
120mOhm a 1.6A, 4V
-
±10V
152 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSM
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 16

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.