FET simple, MOSFET

Resultados : 73
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoObsoletoÚltima compra
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V250 V450 V500 V525 V550 V600 V650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2 A (Ta)2.5 A (Ta)2.9 A (Ta)3 A (Ta)3.5 A (Ta)3.7 A (Ta)4 A (Ta)4.5 A (Ta)5 A (Ta)5.5 A (Ta)6 A (Ta)6.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
83mOhm a 1.5A, 10V100mOhm a 10A, 10V250mOhm a 9.5A, 10V270mOhm a 9A, 10V300mOhm a 7.5A, 10V330mOhm a 8A, 10V370mOhm a 7.5A, 10V370mOhm a 7A, 10V400mOhm a 6.5A, 10V430mOhm a 6.5A, 10V460mOhm a 6.5A, 10V470mOhm a 6.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.6V a 1mA3.5V a 1mA4V a 1mA4.4V a 1mA-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
3.3 nC @ 4 V7 nC @ 10 V9 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V16 nC @ 10 V20 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V28 nC @ 10 V38 nC @ 10 V40 nC @ 10 V45 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
180 pF @ 10 V280 pF @ 25 V380 pF @ 25 V490 pF @ 25 V540 pF @ 25 V600 pF @ 25 V700 pF @ 25 V800 pF @ 25 V1050 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1350 pF @ 25 V1550 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V2300 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
700mW (Ta)30W (Tc)35W (Tc)40W (Tc)45W (Tc)50W (Tc)60W (Tc)80W (Tc)100W (Tc)-
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)-
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAKPW-MoldPW-MOLD2TO-220SISTSM
Paquete / Caja (carcasa)
Conductores stub TO-251-3, IPAKTO-220-3 paquete completoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
73Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 73
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
1,988
En stock
1 : $1.91000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.55295
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
525 V
6 A (Ta)
10V
1.3Ohm a 3A, 10V
4.4V a 1mA
12 nC @ 10 V
±30V
600 pF @ 25 V
-
100W (Tc)
150°C (TJ)
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
1,949
En stock
1 : $1.91000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.55295
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7 A (Ta)
10V
1.22Ohm a 3.5A, 10V
4.4V a 1mA
12 nC @ 10 V
±30V
600 pF @ 25 V
-
100W (Tc)
150°C (TJ)
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
112
En stock
1 : $3.60000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
13 A (Ta)
10V
400mOhm a 6.5A, 10V
4V a 1mA
38 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
95
En stock
1 : $2.15000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
8 A (Ta)
10V
850mOhm a 4A, 10V
4V a 1mA
16 nC @ 10 V
±30V
800 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
49
En stock
1 : $3.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
12 A (Ta)
10V
520mOhm a 6A, 10V
4V a 1mA
25 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
88
En stock
1 : $4.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
15 A (Ta)
10V
300mOhm a 7.5A, 10V
4V a 1mA
40 nC @ 10 V
±30V
2300 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
38
En stock
1 : $3.03000
Granel
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
8 A (Ta)
10V
840mOhm a 4A, 10V
4V a 1mA
25 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
40
En stock
1 : $1.28000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4 A (Ta)
10V
2Ohm a 2A, 10V
4.4V a 1mA
9 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
33
En stock
1 : $1.55000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
450 V
4.5 A (Ta)
10V
1.75Ohm a 2.3A, 10V
4.4V a 1mA
9 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
99
En stock
1 : $1.59000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
2 A (Ta)
10V
3.26Ohm a 1A, 10V
4.4V a 1mA
9 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
42
En stock
1 : $1.70000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
2.5 A (Ta)
10V
2.8Ohm a 1.3A, 10V
4.4V a 1mA
9 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
50
En stock
1 : $1.80000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
450 V
9 A (Ta)
10V
770mOhm a 4.5A, 10V
4V a 1mA
16 nC @ 10 V
±30V
800 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
50
En stock
1 : $1.86000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
525 V
5 A (Ta)
10V
1.5Ohm a 2.5A, 10V
4.4V a 1mA
11 nC @ 10 V
±30V
540 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
30
En stock
1 : $1.86000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
6 A (Ta)
10V
1.4Ohm a 3A, 10V
4.4V a 1mA
11 nC @ 10 V
±30V
540 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
41
En stock
1 : $2.05000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5 A (Ta)
10V
1.43Ohm a 2.5A, 10V
4.4V a 1mA
16 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
45
En stock
1 : $2.08000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
550 V
7 A (Ta)
10V
1.25Ohm a 3.5A, 10V
4.4V a 1mA
16 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
36
En stock
1 : $2.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
3 A (Ta)
10V
2.25Ohm a 1.5A, 10V
4.4V a 1mA
11 nC @ 10 V
±30V
540 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
32
En stock
1 : $2.25000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
4.5 A (Ta)
10V
1.67Ohm a 2.3A, 10V
4.4V a 1mA
16 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
28
En stock
1 : $2.27000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
5 A (Ta)
10V
1.43Ohm a 2.5A, 10V
4V a 1mA
16 nC @ 10 V
±30V
800 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
48
En stock
1 : $2.43000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
550 V
7.5 A (Ta)
10V
1.07Ohm a 3.8A, 10V
4V a 1mA
16 nC @ 10 V
±30V
800 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
43
En stock
1 : $2.51000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
450 V
11 A (Ta)
10V
620mOhm a 5.5A, 10V
4V a 1mA
20 nC @ 10 V
±30V
1050 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
50
En stock
1 : $2.67000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
550 V
8.5 A (Ta)
10V
860mOhm a 4.3A, 10V
4V a 1mA
20 nC @ 10 V
±30V
1050 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
36
En stock
1 : $2.67000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
9 A (Ta)
10V
830mOhm a 4.5A, 10V
4V a 1mA
24 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
40
En stock
1 : $2.86000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7 A (Ta)
10V
980mOhm a 3.5A, 10V
4V a 1mA
24 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
32
En stock
1 : $3.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
450 V
13 A (Ta)
10V
460mOhm a 6.5A, 10V
4V a 1mA
25 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
Demostración
de 73

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.