FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	522,337 En stock	1 : $0.15000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04606 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K56FS,LF MOSFET N-CH 20V 800MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	5,050,256 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06666 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.5V, 4.5V	235mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SSM	SC-75, SOT-416
SSM3K339R,LF MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	28,990 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08080 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	2 A (Ta)	1.8V, 8V	185mOhm a 1A, 8V	1.2V a 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	412,752 En stock	1 : $0.16000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02833 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K7002CFU,LF MOSFET N-CH 60V 170MA USM Toshiba Semiconductor and Storage	28,402 En stock	1 : $0.17000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03012 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	170mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	USM	SC-70, SOT-323
SSM3K72KFS,LF MOSFET N-CH 60V 300MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	154,509 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03348 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	Montaje en superficie	SSM	SC-75, SOT-416
SSM3K72CFS,LF MOSFET N-CH 60V 170MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	137,987 En stock	1 : $0.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03348 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	170mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SSM	SC-75, SOT-416
SSM3K7002KF,LF MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI Toshiba Semiconductor and Storage	30,270 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05575 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	270mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	S-Mini	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K56MFV,L3F MOSFET N-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	43,770 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.07272 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.5V, 4.5V	235mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3K376R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	47,521 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07427 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4 A (Ta)	1.8V, 4.5V	56mOhm a 2A, 4.5V	1V a 1mA	2.2 nC @ 4.5 V	+12V, -8V	200 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3K324R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	18,676 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08080 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4 A (Ta)	1.8V, 4.5V	55mOhm a 4A, 4.5V	-	-	±12V	190 pF @ 30 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3K336R,LF MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	30,044 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09039 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3 A (Ta)	4.5V, 10V	95mOhm a 2A, 10V	2.5V a 100µA	1.7 nC @ 4.5 V	±20V	126 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3K344R,LF MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	32,165 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09401 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3 A (Ta)	1.5V, 4.5V	71mOhm a 3A, 4.5V	1V a 1mA	2 nC @ 4 V	±8V	153 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM6K217FE,LF MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	24,820 En stock	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.09484 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	1.8 A (Ta)	1.8V, 8V	195mOhm a 1A, 8V	1.2V a 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	ES6	SOT-563, SOT-666
SSM3K333R,LF MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A Toshiba Semiconductor and Storage	74,628 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09635 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6 A (Ta)	4.5V, 10V	28mOhm a 5A, 10V	2.5V a 100µA	3.4 nC @ 4.5 V	±20V	436 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3K335R,LF MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	94,300 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09999 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6 A (Ta)	4.5V, 10V	38mOhm a 4A, 10V	2.5V a 100µA	2.7 nC @ 4.5 V	±20V	340 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN Toshiba Semiconductor and Storage	69,918 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10166 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	2 A (Ta)	1.8V, 8V	185mOhm a 1A, 8V	1.2V a 1mA	2.2 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	6-UDFN (2x2)	Placa descubierta 6-UDFN
SSM3K72CTC,L3F MOSFET N-CH 60V 150MA CST3C Toshiba Semiconductor and Storage	10,005 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03777 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	150mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	CST3C	SC-101, SOT-883
SSM3K56CT,L3F MOSFET N-CH 20V 800MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	46,406 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06626 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.5V, 4.5V	235mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TA)	Montaje en superficie	CST3	SC-101, SOT-883
SSM3K56ACT,L3F MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	187,661 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06787 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.4 A (Ta)	1.5V, 4.5V	235mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	CST3	SC-101, SOT-883
SSM3K7002KFU,LF MOSFET N-CH 60V 400MA USM Toshiba Semiconductor and Storage	5,029 En stock	1 : $0.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03263 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	Montaje en superficie	USM	SC-70, SOT-323
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	19,496 En stock	1 : $0.24000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03091 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	CST3	SC-101, SOT-883
SSM3K72KFS,LXHF AUTO AEC-Q LOW RDSON SS MOS N-CH Toshiba Semiconductor and Storage	5,820 En stock	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05863 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	1.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	Montaje en superficie	SSM	SC-75, SOT-416
SSM3K62TU,LF MOSFET N-CH 20V 800MA UFM Toshiba Semiconductor and Storage	8,670 En stock	1 : $0.39000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10590 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.2V, 4.5V	57mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	2 nC @ 4.5 V	±8V	177 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	Montaje en superficie	UFM	3-SMD, conductor plano
SSM3K59CTB,L3F MOSFET N-CH 40V 2A CST3B Toshiba Semiconductor and Storage	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.09408 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	2 A (Ta)	1.8V, 8V	215mOhm a 1A, 8V	1.2V a 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	CST3B	3-SMD, sin conductor

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

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