FET simple, MOSFET

Resultados : 35
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
35Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 35
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
11,084
En stock
1 : $0.49000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10098
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2.5 A (Ta)
4.5V, 10V
107mOhm a 2A, 10V
2.8V a 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 30 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
9,753
En stock
1 : $0.64000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15402
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
38 V
2 A (Ta)
4V, 10V
150mOhm a 2A, 10V
1.7V a 1mA
3 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
3,783
En stock
1 : $1.67000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.49686
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
8 A (Ta)
6V, 10V
54mOhm a 4A, 10V
3V a 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 10 V
-
25W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8,578
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08505
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
38 V
2 A (Ta)
4V, 10V
340mOhm a 1A, 10V
2.4V a 1mA
2.5 nC @ 10 V
±20V
86 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
5,998
En stock
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09660
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.5 A (Ta)
2V, 4.5V
64mOhm a 1.5A, 4.5V
1.2V a 200µA
-
±10V
800 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
UF6
6-SMD, conductores planos
2,500
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15705
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
34 V
2 A (Ta)
4V, 10V
240mOhm a 1A, 10V
1.7V a 1mA
3 nC @ 10 V
±20V
119 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
UFM
3-SMD, conductores planos
1,550
En stock
1 : $1.90000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.54723
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
35 A (Ta)
6V, 10V
10.3mOhm a 17.5A, 10V
3V a 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 10 V
-
58W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
1,755
En stock
1 : $2.43000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.73245
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
60 A (Ta)
6V, 10V
8mOhm a 30A, 10V
3V a 1mA
60 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 10 V
-
88W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
1,171
En stock
1 : $2.62000
Cinta cortada (CT)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
45 A (Ta)
4.5V, 10V
2.2mOhm a 23A, 10V
2.5V a 1mA
113 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 10 V
-
1.6W (Ta), 45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
2.1Ohm a 500mA, 10V
-
-
±20V
17 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-59
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
0
En stock
3,000 : $0.56185
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
10 A (Ta)
1.8V, 4.5V
10mOhm a 5A, 4.5V
1.2V a 200µA
115 nC @ 5 V
±8V
9130 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6 A (Ta)
4.5V, 10V
27.6mOhm a 4A, 10V
2.5V a 1mA
10.1 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 15 V
-
700mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSM
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
0
En stock
Activo
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4 A (Ta)
1.5V, 4V
38mOhm a 3A, 4V
1V a 1mA
22.3 nC @ 4 V
±8V
1484 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UFM
3-SMD, conductores planos
0
En stock
Activo
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
10 A (Ta)
2.5V, 4.5V
12mOhm a 7A, 4.5V
1.2V a 1mA
9.4 nC @ 4.5 V
±12V
710 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UF6
6-SMD, conductores planos
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
8.3 A (Ta)
4.5V, 10V
8.5mOhm a 4.2A, 10V
2.5V a 1mA
26 nC @ 10 V
±20V
1270 pF @ 10 V
-
840mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PS-8 (2.9x2.4)
8-SMD, conductores planos
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.5 A (Ta)
2V, 4.5V
55mOhm a 2.2A, 4.5V
1.2V a 200µA
9.8 nC @ 5 V
±12V
680 pF @ 10 V
-
700mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VS-6 (2.9x2.8)
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
18 A (Ta)
4.5V, 10V
3.4mOhm a 9A, 10V
2.5V a 1mA
56 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP (5.5x6.0)
8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
0
En stock
Obsoleto
Cinta cortada (CT)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
25 A (Ta)
4.5V, 10V
6.8mOhm a 12.5A, 10V
2.5V a 1A
30 nC @ 10 V
±25V
1600 pF @ 10 V
-
700mW (Ta), 30W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-TSON avanzado (3.3x3.3)
Placa descubierta 8-VDFN
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
10 A (Ta)
6V, 10V
28mOhm a 5A, 10V
3V a 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 10 V
-
25W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
0
En stock
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
18 A (Ta)
-
42mOhm a 9A, 10V
-
33 nC @ 10 V
-
-
-
-
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
20 A (Ta)
6V, 10V
14mOhm a 10A, 10V
3V a 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 10 V
-
38W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
20 A (Ta)
6V, 10V
29mOhm a 10A, 10V
3V a 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
780 pF @ 10 V
-
38W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
0
En stock
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
25 A (Ta)
-
18mOhm a 12.5A, 10V
-
29 nC @ 10 V
-
-
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
30 A (Tc)
6V, 10V
18Ohm a 15A, 10V
3V a 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 10 V
-
58W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
0
En stock
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
40 A (Ta)
-
15mOhm a 20A, 10V
4V a 1mA
84 nC @ 10 V
-
4000 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
Demostración
de 35

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.