FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IPD70R360P7SAUMA1 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 Infineon Technologies	39,622 En stock	1 : $1.36000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.38352 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	12.5A (Tc)	10V	360mOhm a 3A, 10V	3.5V a 150µA	16.4 nC @ 10 V	±16V	517 pF @ 400 V	-	59.4W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPN95R1K2P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 6A SOT223 Infineon Technologies	22,736 En stock	1 : $1.67000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.48015 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	950 V	6A (Tc)	10V	1.2Ohm a 2.7A, 10V	3.5V a 140µA	15 nC @ 10 V	±20V	478 pF @ 400 V	-	7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPD60R360P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Infineon Technologies	11,537 En stock	1 : $1.77000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.52577 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	9A (Tc)	10V	360mOhm a 2.7A, 10V	4V a 140µA	13 nC @ 10 V	±20V	555 pF @ 400 V	-	41W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD60R180P7SAUMA1 MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Infineon Technologies	7,662 En stock	1 : $1.93000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.57867 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	18A (Tc)	10V	180mOhm a 5.6A, 10V	4V a 280µA	25 nC @ 10 V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD95R450P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3 Infineon Technologies	10,450 En stock	1 : $2.79000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.90034 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	950 V	14A (Tc)	10V	450mOhm a 7.2A, 10V	3.5V a 360µA	35 nC @ 10 V	±20V	1053 pF @ 400 V	-	104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPB60R180P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Infineon Technologies	2,045 En stock	1 : $2.91000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.03858 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	18A (Tc)	10V	180mOhm a 5.6A, 10V	4V a 280µA	25 nC @ 10 V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPP60R180P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Infineon Technologies	9,712 En stock	1 : $3.12000 Tubo	-	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	18A (Tc)	10V	180mOhm a 5.6A, 10V	4V a 280µA	25 nC @ 10 V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPB60R120P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK Infineon Technologies	154 En stock	1 : $3.87000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.44588 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	26A (Tc)	10V	120mOhm a 8.2A, 10V	4V a 410µA	36 nC @ 10 V	±20V	1544 pF @ 400 V	-	95W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPL60R105P7AUMA1 MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON Infineon Technologies	3,017 En stock	1 : $4.67000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.67050 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	33A (Tc)	10V	105mOhm a 10.5A, 10V	4V a 530µA	45 nC @ 10 V	±20V	1952 pF @ 400 V	-	137W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-VSON-4	4-PowerTSFN
IPB60R060P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK Infineon Technologies	10,813 En stock	1 : $5.77000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.31509 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	48A (Tc)	10V	60mOhm a 15.9A, 10V	4V a 800µA	67 nC @ 10 V	±20V	2895 pF @ 400 V	-	164W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPW60R045P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41 Infineon Technologies	899 En stock	1 : $8.66000 Tubo	-	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	61A (Tc)	10V	45mOhm a 22.5A, 10V	4V a 1.08mA	90 nC @ 10 V	±20V	3891 pF @ 400 V	-	201W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IPW60R037P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 Infineon Technologies	481 En stock	1 : $10.01000 Tubo	-	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	76A (Tc)	10V	37mOhm a 29.5A, 10V	4V a 1.48mA	121 nC @ 10 V	±20V	5243 pF @ 400 V	-	255W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3	TO-247-3
IPN70R2K0P7SATMA1 MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Infineon Technologies	13,061 En stock	1 : $0.80000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19024 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	3A (Tc)	10V	2Ohm a 500mA, 10V	3.5V a 30µA	3.8 nC @ 10 V	±16V	130 pF @ 400 V	-	6W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPN70R1K4P7SATMA1 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Infineon Technologies	28,890 En stock	1 : $0.86000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20715 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	4A (Tc)	10V	1.4Ohm a 700mA, 10V	3.5V a 40µA	4.7 nC @ 10 V	±16V	158 pF @ 400 V	-	6.2W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPD70R1K4P7SAUMA1 MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 Infineon Technologies	7,540 En stock	1 : $0.92000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.22723 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	4A (Tc)	10V	1.4Ohm a 700mA, 10V	3.5V a 40µA	4.7 nC @ 10 V	±16V	158 pF @ 400 V	-	23W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPN80R4K5P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 Infineon Technologies	18,522 En stock	1 : $0.97000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.23673 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	1.5A (Tc)	10V	4.5Ohm a 400mA, 10V	3.5V a 20µA	4 nC @ 10 V	±20V	80 pF @ 500 V	-	6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPD70R900P7SAUMA1 MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3 Infineon Technologies	4,105 En stock	1 : $0.98000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.24600 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	6A (Tc)	10V	900mOhm a 1.1A, 10V	3.5V a 60µA	6.8 nC @ 10 V	±16V	211 pF @ 400 V	-	30.5W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD60R600P7SAUMA1 MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Infineon Technologies	11,448 En stock	1 : $1.09000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.27686 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6A (Tc)	10V	600mOhm a 1.7A, 10V	4V a 80µA	9 nC @ 10 V	±20V	363 pF @ 400 V	-	30W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPN80R2K4P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 Infineon Technologies	5,938 En stock	1 : $1.13000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28354 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	2.5A (Tc)	10V	2.4Ohm a 800mA, 10V	3.5V a 40µA	7.5 nC @ 10 V	±20V	150 pF @ 500 V	-	6.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPN60R600P7SATMA1 MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 Infineon Technologies	2,312 En stock	1 : $1.14000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28244 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6A (Tc)	10V	600mOhm a 1.7A, 10V	4V a 80µA	9 nC @ 10 V	±20V	363 pF @ 400 V	-	7W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPN95R3K7P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 Infineon Technologies	26,146 En stock	1 : $1.22000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.30933 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	950 V	2A (Tc)	10V	3.7Ohm a 800mA, 10V	3.5V a 40µA	6 nC @ 10 V	±20V	196 pF @ 400 V	-	6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPN70R450P7SATMA1 MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Infineon Technologies	4,280 En stock	1 : $1.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.32259 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	700 V	10A (Tc)	10V	450mOhm a 2.3A, 10V	3.5V a 120µA	13.1 nC @ 10 V	±16V	424 pF @ 400 V	-	7.1W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPN60R360P7SATMA1 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 Infineon Technologies	6,907 En stock	1 : $1.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.32948 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	9A (Tc)	10V	360mOhm a 2.7A, 10V	4V a 140µA	13 nC @ 10 V	±20V	555 pF @ 400 V	-	7W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPD60R360P7SAUMA1 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Infineon Technologies	1,949 En stock	1 : $1.29000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.33904 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	9A (Tc)	10V	360mOhm a 2.7A, 10V	4V a 140µA	13 nC @ 10 V	±20V	555 pF @ 400 V	-	41W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD60R600P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Infineon Technologies	4,368 En stock	1 : $1.52000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.40985 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6A (Tc)	10V	600mOhm a 1.7A, 10V	4V a 80µA	9 nC @ 10 V	±20V	363 pF @ 400 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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