FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS84 MOSFET SOT-23 P Channel 50V MDD	237,000 Mercado	6,000 : $0.04685 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V, 10V	8Ohm a 100mA, 10V	2V a 250µA	1.77 nC @ 10 V	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3400-5.8A MOSFET SOT-23 N Channel 30V MDD	234,000 Mercado	6,000 : $0.04885 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.8 A (Ta)	3.3V, 4.5V	32mOhm a 5.8A, 10V	1.2V a 250µA	10.5 nC @ 15 V	±12V	630 pF @ 15 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K MOSFET SOT-23 N Channel 60V MDD	777,000 Mercado	12,000 : $0.05885 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	500mA (Ta)	4.5V, 10V	900mOhm a 300mA, 10V	2.5V a 250µA	0.31 nC @ 10 V	±20V	23.8 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301S-2.3A MOSFET SOT-23 P Channel 20V MDD	528,000 Mercado	12,000 : $0.11000 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2 A (Ta)	3.3V, 4.5V	90mOhm a 3A, 4.5V	1V a 250µA	6.6 nC @ 10 V	±10V	330 pF @ 10 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS23P05 P-CH MOSFET,-20V,-3.1A,SOT-23 Bruckewell	1,235 Mercado	1 : $0.13000 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.1 A (Ta)	1.8V, 10V	55mOhm a 3A, 10V	1.2V a 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±12V	686 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301-3A MOSFET SOT-23 P Channel 20V MDD	249,000 Mercado	6,000 : $0.22685 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3 A (Ta)	3.3V, 4.5V	90mOhm a 3A, 4.5V	1V a 250µA	6.6 nC @ 10 V	±10V	330 pF @ 10 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS23N06A N-Channel MOSFET,30V,5.8A,SOT-23 Bruckewell	1,530 Mercado	1 : $0.18000 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	-	5.8 A (Ta)	-	30mOhm a 5A, 10V	1.2V a 250µA	-	±12V	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS40N05 N-Channel MOSFET,40V,5A,SOT-23 Bruckewell	1,227 Mercado	1 : $0.19000 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	5 A (Ta)	4.5V, 10V	32mOhm a 4A, 10V	2.5V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±20V	593 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS34N02 N-Channel MOSFET,30V,4.6A,SOT-23 Bruckewell	1,050 Mercado	1 : $0.25000 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	-	4.6 A (Ta)	-	28mOhm a 4.6A, 10V	2.5V a 250µA	-	±20V	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MS60P03 P-Channel MOSFET,60V,-60A,SOT-23 Bruckewell	6,654 Mercado	1 : $0.30000 Cinta y rollo (TR)	SOT-23	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	-	3 A (Ta)	-	140mOhm a 2A, 10V	2.5V a 250µA	-	±20V	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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de 10

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.