FET simple, MOSFET

Demostración

de 26

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NVLJS053N12MCLTAG PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0 onsemi	1,487 En stock	1 : $1.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.30019 Cinta y rollo (TR)	-	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	120 V	4.8A (Ta)	4.5V, 10V	53mOhm a 5.2A, 10V	3V a 30µA	7.8 nC @ 10 V	±20V	520 pF @ 60 V	-	620mW (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-UDFN (2x2)	Placa descubierta 6-UDFN
NTMT150N65S3HF POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE onsemi	1,850 En stock 21,000 Fábrica	1 : $7.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $3.06087 Cinta y rollo (TR)	-	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24A (Tc)	10V	150mOhm a 12A, 10V	5V a 540µA	43 nC @ 10 V	±30V	1985 pF @ 400 V	-	192W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-PQFN (8x8)	4-PowerTSFN
NTMT090N65S3HF POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE onsemi	3,010 En stock	1 : $9.17000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $4.10513 Cinta y rollo (TR)	-	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	36A (Tc)	10V	90mOhm a 18A, 10V	5V a 860µA	66 nC @ 10 V	±30V	2930 pF @ 400 V	-	272W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-PQFN (8x8)	4-PowerTSFN
NVHL110N65S3F MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3 onsemi	311 En stock 57,150 Fábrica	1 : $7.11000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	30A (Tc)	10V	110mOhm a 15A, 10V	5V a 3mA	58 nC @ 10 V	±30V	2560 pF @ 400 V	-	240W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVB072N65S3 MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3 onsemi	1,787 En stock	1 : $9.20000 Cinta cortada (CT) 800 : $4.12488 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	44A (Tc)	10V	72mOhm a 24A, 10V	4.5V a 1mA	82 nC @ 10 V	±30V	3300 pF @ 400 V	-	312W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
NVB082N65S3F MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 onsemi	3,983 En stock	1 : $9.74000 Cinta cortada (CT) 800 : $4.44500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	40A (Tc)	10V	82mOhm a 20A, 10V	5V a 4mA	81 nC @ 10 V	±30V	3410 pF @ 400 V	-	313W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
NVB150N65S3F MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3 onsemi	1,373 En stock	1 : $5.22000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.96466 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	24A (Tc)	10V	150mOhm a 12A, 10V	5V a 540µA	43 nC @ 10 V	±30V	1999 pF @ 400 V	-	192W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
NVB110N65S3F MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3 onsemi	1,454 En stock	1 : $7.10000 Cinta cortada (CT) 800 : $2.92725 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	30A (Tc)	10V	110mOhm a 15A, 10V	5V a 3mA	58 nC @ 10 V	±30V	2560 pF @ 400 V	-	240W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
NTMT190N65S3HF POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE onsemi	2,935 En stock	1 : $7.16000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.95963 Cinta y rollo (TR)	-	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20A (Tc)	10V	190mOhm a 10A, 10V	5V a 430µA	34 nC @ 10 V	±30V	1610 pF @ 400 V	-	162W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-PQFN (8x8)	4-PowerTSFN
NVH4L110N65S3F SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO onsemi	403 En stock	1 : $7.52000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	30A (Tc)	10V	110mOhm a 15A, 10V	5V a 740µA	59 nC @ 10 V	±30V	2530 pF @ 400 V	-	240W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
NVHL110N65S3HF SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO onsemi	328 En stock 2,700 Fábrica	1 : $7.69000 Tubo	-	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	30A (Tc)	10V	110mOhm a 15A, 10V	5V a 740µA	58 nC @ 10 V	±30V	2753 pF @ 400 V	-	240W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL095N65S3F SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247 onsemi	404 En stock	1 : $8.22000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	36A (Tc)	10V	95mOhm a 18A, 10V	5V a 860µA	66 nC @ 10 V	±30V	3020 pF @ 400 V	-	272W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL095N65S3HF SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH onsemi	445 En stock 2,250 Fábrica	1 : $8.28000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	36A (Tc)	10V	95mOhm a 18A, 10V	5V a 860µA	66 nC @ 10 V	±30V	3105 pF @ 400 V	-	272W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NTMT110N65S3HF POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE onsemi	2,500 En stock 3,000 Fábrica	1 : $8.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $3.72537 Cinta y rollo (TR)	-	SuperFET® III, FRFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	30A (Tc)	10V	110mOhm a 15A, 10V	5V a 740µA	62 nC @ 10 V	±30V	2635 pF @ 400 V	-	240W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-PQFN (8x8)	4-PowerTSFN
NVHL082N65S3HF SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH onsemi	408 En stock 5,850 Fábrica	1 : $9.13000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	40A (Tc)	10V	82mOhm a 20A, 10V	5V a 1mA	78 nC @ 10 V	±30V	3627 pF @ 400 V	-	313W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVH082N65S3F SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH onsemi	432 En stock 2,250 Fábrica	1 : $9.36000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	40A (Tc)	10V	82mOhm a 20A, 10V	5V a 1mA	81 nC @ 10 V	±30V	3410 pF @ 400 V	-	313W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL065N65S3F SUPERFET3 650V TO247 onsemi	398 En stock 900 Fábrica	1 : $9.44000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	46A (Tc)	10V	65mOhm a 23A, 10V	5V a 1.3mA	98 nC @ 10 V	±30V	4075 pF @ 400 V	-	337W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL082N65S3F MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3 onsemi	450 En stock 1,350 Fábrica	1 : $10.03000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	40A (Tc)	10V	82mOhm a 20A, 10V	5V a 4mA	81 nC @ 10 V	±30V	3410 pF @ 400 V	-	313W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVH4L050N65S3F SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L onsemi	405 En stock 450 Fábrica	1 : $12.56000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	58A (Tc)	10V	50mOhm a 29A, 10V	5V a 1.7mA	123.8 nC @ 10 V	±30V	4855 pF @ 400 V	-	403W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
NVHL050N65S3F SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247 onsemi	450 En stock 450 Fábrica	1 : $12.60487 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	58A (Tc)	10V	50mOhm a 29A, 10V	5V a 1.7mA	123 nC @ 10 V	±30V	5404 pF @ 400 V	-	403W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL040N65S3HF SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH onsemi	430 En stock 2,250 Fábrica	1 : $13.71000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	65A (Tc)	10V	40mOhm a 32.5A, 10V	5V a 2.1mA	157 nC @ 10 V	±30V	6655 pF @ 400 V	-	446W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVH4L040N65S3F MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4 onsemi	448 En stock	1 : $15.16000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	65A (Tc)	-	40mOhm a 32.5A, 10V	5V a 2.1mA	160 nC @ 10 V	±30V	5665 pF @ 400 V	-	446W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
NVHL040N65S3F MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 onsemi	553 En stock 900 Fábrica	1 : $15.53126 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	65A (Tc)	10V	40mOhm a 32.5A, 10V	5V a 2.1mA	153 nC @ 10 V	±30V	5875 pF @ 400 V	-	446W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL027N65S3F MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 onsemi	405 En stock	1 : $20.70000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	75A (Tc)	10V	27.4mOhm a 35A, 10V	5V a 3mA	227 nC @ 10 V	±30V	7780 pF @ 400 V	-	595W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVH4L027N65S3F SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L onsemi	764 En stock 7,200 Fábrica	1 : $21.01000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	75A (Tc)	10V	27.4mOhm a 35A, 10V	5V a 3mA	227 nC @ 10 V	±30V	7780 pF @ 400 V	-	595W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4

Demostración

de 26

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS