FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IPT017N10NF2SATMA1 MOSFET Infineon Technologies	2,279 En stock	1 : $3.77000 Cinta cortada (CT) 1,800 : $1.42312 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	33A (Ta), 294A (Tc)	6V, 10V	1.75mOhm a 150A, 10V	3.8V a 216µA	195 nC @ 10 V	±20V	9300 pF @ 50 V	-	3.8W (Ta), 300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HSOF-8-10	8-PowerSFN
IPT015N10NF2SATMA1 MOSFET Infineon Technologies	259 En stock	1 : $4.16000 Cinta cortada (CT) 1,800 : $1.64641 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	35A (Ta), 315A (Tc)	6V, 10V	1.5mOhm a 150A, 10V	3.8V a 267µA	242 nC @ 10 V	±20V	11000 pF @ 50 V	-	3.8W (Ta), 300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HSOF-8-10	8-PowerSFN
IPF016N10NF2SATMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	2,014 En stock	1 : $5.82000 Cinta cortada (CT) 800 : $2.33888 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	274 A (Tc)	6V, 10V	1.6mOhm a 100A, 10V	3.8V a 267µA	241 nC @ 10 V	±20V	11000 pF @ 50 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-14	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPP026N10NF2SAKMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	1,081 En stock	1 : $4.00000 Tubo	-	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	27A (Ta), 184A (Tc)	6V, 10V	2.6mOhm a 100A, 10V	3.8V a 169µA	154 nC @ 10 V	±20V	7300 pF @ 50 V	-	3.8W (Ta), 250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPP016N08NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	248 En stock	Activo	-	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	35A (Ta), 196A (Tc)	6V, 10V	1.6mOhm a 100A, 10V	3.8V a 267µA	255 nC @ 10 V	±20V	12000 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPD130N10NF2SATMA1 MOSFET Infineon Technologies	1,924 En stock	1 : $1.45000 Tubo	-	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	11A (Ta), 52A (Tc)	6V, 10V	13mOhm a 30A, 10V	3.8V a 30µA	28 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 50 V	-	3W (Ta), 71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPB050N10NF2SATMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	548 En stock	1 : $1.92000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.61404 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	103 A (Tc)	6V, 10V	5.05mOhm a 60A, 10V	3.8V a 85µA	76 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 50 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPP050N10NF2SAKMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	910 En stock	1 : $2.16000 Tubo	-	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	19.4A (Ta), 110A (Tc)	6V, 10V	5mOhm a 60A, 10V	3.8V a 84µA	76 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 50 V	-	3.8W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPB055N08NF2SATMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Infineon Technologies	367 En stock	1 : $2.25000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.74460 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	94 A (Tc)	6V, 10V	5.5mOhm a 60A, 10V	3.8V a 55µA	54 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 40 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPD040N08NF2SATMA1 MOSFET Infineon Technologies	1,858 En stock	1 : $2.46000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.81201 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	20 A (Ta), 129 A (Tc)	6V, 10V	4mOhm a 70A, 10V	3.8V a 85µA	81 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 40 V	-	3W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPP024N08NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	216 En stock	1 : $3.01000 Tubo	-	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	28A (Ta), 182A (Tc)	6V, 10V	2.4mOhm a 100A, 10V	3.8V a 139µA	133 nC @ 10 V	±20V	6200 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPP019N08NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	896 En stock	1 : $3.09000 Tubo	-	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	32A (Ta), 191A (Tc)	6V, 10V	1.9mOhm a 100A, 10V	3.8V a 194µA	186 nC @ 10 V	±20V	8700 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPB019N08NF2SATMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Infineon Technologies	141 En stock	1 : $3.63000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.37700 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	166 A (Tc)	6V, 10V	1.95mOhm a 100A, 10V	3.8V a 194µA	186 nC @ 10 V	±20V	8700 pF @ 40 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPF024N10NF2SATMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	163 En stock	1 : $4.37000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.71513 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	227A (Tc)	6V, 10V	2.4mOhm a 100A, 10V	3.8V a 169µA	154 nC @ 10 V	±20V	7300 pF @ 50 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-14	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPF017N08NF2SATMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7 Infineon Technologies	1,355 En stock	1 : $4.38000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.73463 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	259A (Tc)	6V, 10V	1.7mOhm a 100A, 10V	3.8V a 194µA	186 nC @ 10 V	±20V	8700 pF @ 40 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-14	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPB016N08NF2SATMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Infineon Technologies	222 En stock	1 : $4.38000 Cinta cortada (CT) 800 : $2.00900 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	170 A (Tc)	6V, 10V	1.65mOhm a 100A, 10V	3.8V a 267µA	255 nC @ 10 V	±20V	12000 pF @ 40 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPF014N08NF2SATMA1 TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7 Infineon Technologies	911 En stock	1 : $5.09000 Cinta cortada (CT) 800 : $2.14813 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	282A (Tc)	6V, 10V	1.4mOhm a 100A, 10V	3.8V a 267µA	255 nC @ 10 V	±20V	12000 pF @ 40 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-14	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPT012N08NF2SATMA1 MOSFET Infineon Technologies	2,763 En stock	1 : $5.72000 Cinta cortada (CT) 1,800 : $2.46788 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	39A (Ta), 351A (Tc)	6V, 10V	1.23mOhm a 150A, 10V	3.8V a 267µA	255 nC @ 10 V	±20V	12000 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HSOF-8-10	8-PowerSFN
IPP040N08NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	496 En stock	Activo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	22A (Ta), 115A (Tc)	6V, 10V	4mOhm a 80A, 10V	3.8V a 85µA	81 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPP129N10NF2SAKMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	107 En stock	Activo	-	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	12A (Ta), 52A (Tc)	6V, 10V	12.9mOhm a 30A, 10V	3.8V a 30µA	28 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 50 V	-	3.8W (Ta), 71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPF042N10NF2SATMA1 MOSFET Infineon Technologies	281 En stock	1 : $2.16000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.77616 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	21A (Ta), 139A (Tc)	6V, 10V	4.25mOhm a 80A, 10V	3.8V a 93µA	85 nC @ 10 V	±20V	4000 pF @ 50 V	-	3.8W (Ta), 167W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7	TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
IPA082N10NF2SXKSA1 TRENCH >=100V PG-TO220-3 Infineon Technologies	8 En stock 2,430 Mercado	1 : $2.22000 Tubo 412 : $0.73000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	StrongIRFET™ 2	Granel Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	46 A (Tc)	6V, 10V	8.2mOhm a 30A, 10V	3.8V a 46µA	42 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 50 V	-	35W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220 paquete completo	TO-220-3 paquete completo
IPD055N08NF2SATMA1 MOSFET Infineon Technologies	1,240 En stock	1 : $2.25000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.68136 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	17 A (Ta), 98 A (Tc)	6V, 10V	5.5mOhm a 60A, 10V	3.8V a 55µA	54 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 40 V	-	3W (Ta), 107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPP055N08NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	139 En stock	1 : $2.35000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	StrongIRFET™ 2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	18.5A (Ta), 99A (Tc)	6V, 10V	5.5mOhm a 60A, 10V	3.8V a 55µA	54 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPF050N10NF2SATMA1 MOSFET Infineon Technologies	1,311 En stock	1 : $2.57000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.91290 Cinta y rollo (TR)	-	StrongIRFET™ 2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	19A (Ta), 117A (Tc)	6V, 10V	5.05mOhm a 60A, 10V	3.8V a 84µA	76 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 50 V	-	3.8W (Ta), 150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7	TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

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