FET simple, MOSFET | FET, MOSFET | Transistores | DigiKey, distribuidor de componentes electrónicos

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
TK750A60F,S4X MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	557 En stock	1 : $2.83000 Tubo	-	U-MOSIX	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	10A (Ta)	10V	750mOhm a 5A, 10V	4V a 1mA	30 nC @ 10 V	±30V	1130 pF @ 300 V	-	40W (Tc)	150°C	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
TK650A60F,S4X MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	52 En stock	1 : $2.14000 Tubo	-	U-MOSIX	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	11A (Ta)	10V	650mOhm a 5.5A, 10V	4V a 1.16mA	34 nC @ 10 V	±30V	1320 pF @ 300 V	-	45W (Tc)	150°C	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
TK1K2A60F,S4X MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $1.78000 Tubo	-	U-MOSIX	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	6A (Ta)	10V	1.2Ohm a 3A, 10V	4V a 630µA	21 nC @ 10 V	±30V	740 pF @ 300 V	-	35W (Tc)	150°C	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
TK1K9A60F,S4X MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $1.60000 Tubo	-	U-MOSIX	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	3.7A (Ta)	10V	1.9Ohm a 1.9A, 10V	4V a 400µA	14 nC @ 10 V	±30V	490 pF @ 300 V	-	30W (Tc)	150°C	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
TK430A60F,S4X(S MOSFET N-CH Toshiba Semiconductor and Storage	0 En stock	Activo	-	U-MOSIX	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	13A (Ta)	10V	430mOhm a 6.5A, 10V	4V a 1.75mA	48 nC @ 10 V	±30V	1940 pF @ 300 V	-	45W (Tc)	150°C	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
TK370A60F,S4X(S MOSFET N-CH Toshiba Semiconductor and Storage	0 En stock	Activo	-	U-MOSIX	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	15 A (Ta)	10V	370mOhm a 7.5A, 10V	4V a 2.04mA	55 nC @ 10 V	±30V	2200 pF @ 300 V	-	45W (Tc)	150°C	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.