FET simple, MOSFET

Resultados : 33
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33Resultados
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Demostración
de 33
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252AA
FDD5N60NZTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
onsemi
35,975
En stock
1 : $1.72000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.47297
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
4A (Tc)
10V
2Ohm a 2A, 10V
5V a 250µA
13 nC @ 10 V
±25V
600 pF @ 25 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220F-3
FDPF12N60NZ
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
onsemi
1,072
En stock
1 : $3.11000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12A (Tc)
10V
650mOhm a 6A, 10V
5V a 250µA
34 nC @ 10 V
±30V
1676 pF @ 25 V
-
39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220F-3
FDPF7N60NZT
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
onsemi
0
En stock
16,758
Mercado
294 : $1.02000
Granel
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Granel
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6.5A (Tc)
10V
1.25Ohm a 3.25A, 10V
5V a 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
730 pF @ 25 V
-
33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220F-3
FDPF12N50NZ
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
onsemi
1,019
En stock
1 : $2.66000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
11.5A (Tc)
10V
520mOhm a 5.75A, 10V
5V a 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
1235 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220F
FDPF7N60NZT
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Fairchild Semiconductor
5,295
Mercado
294 : $1.02000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6.5A (Tc)
10V
1.25Ohm a 3.25A, 10V
5V a 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
730 pF @ 25 V
-
33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FDPF5N50NZU
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
Fairchild Semiconductor
673
Mercado
262 : $1.15000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
3.9A (Tc)
10V
2Ohm a 1.95A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
485 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
Fairchild Semiconductor
551,340
Mercado
240 : $1.25000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4.2A (Tc)
10V
1.75Ohm a 2.1A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
485 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FDPF5N50NZF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
onsemi
8,685
Mercado
240 : $1.25000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4.2A (Tc)
10V
1.75Ohm a 2.1A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
485 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FDPF12N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Fairchild Semiconductor
1,000
Mercado
209 : $1.44000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
11.5A (Tc)
10V
520mOhm a 5.75A, 10V
5V a 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
1235 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Fairchild Semiconductor
3,685
Mercado
195 : $1.54000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
6.5A (Tc)
10V
1.2Ohm a 4A, 10V
5V a 250µA
18 nC @ 10 V
±25V
735 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
I-PAK
FDU7N60NZTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
onsemi
0
En stock
5,040 : $0.49202
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.5A (Tc)
10V
1.25Ohm a 2.75A, 10V
5V a 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
730 pF @ 25 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
IPAK
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
TO-220-3
FDP5N50NZ
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
onsemi
0
En stock
1,000 : $0.58814
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4.5A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.25A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
440 pF @ 25 V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FDP5N60NZ
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
onsemi
0
En stock
800 : $0.61070
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
4.5A (Tc)
10V
2Ohm a 2.25A, 10V
5V a 250µA
13 nC @ 10 V
±25V
600 pF @ 25 V
-
100W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-220F-3
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
onsemi
0
En stock
1,000 : $0.80423
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4.2A (Tc)
10V
1.75Ohm a 2.1A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
485 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220F-3
FDPF8N50NZF
MOSFET N-CH 500V 7A TO220F
onsemi
0
En stock
1,000 : $0.94919
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
7A (Tc)
10V
1Ohm a 3.5A, 10V
5V a 250µA
18 nC @ 10 V
±25V
735 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220F-3
FDPF5N50NZU
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
3.9A (Tc)
10V
2Ohm a 1.95A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
485 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220F-3
FDPF8N50NZU
MOSFET N-CH 500V 6.5A TO220F
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
6.5A (Tc)
10V
1.2Ohm a 4A, 10V
5V a 250µA
18 nC @ 10 V
±25V
735 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220F-3
FDPF5N50NZ
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
4.5A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.25A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
440 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-252AA
FDD3N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
2.5A (Tc)
10V
2.5Ohm a 1.25A, 10V
5V a 250µA
8 nC @ 10 V
±25V
280 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
FDD5N50NZFTM
MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
3.7A (Tc)
10V
1.75Ohm a 1.85A, 10V
5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±25V
485 pF @ 25 V
-
62.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
FDD8N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
6.5A (Tc)
10V
850mOhm a 3.25A, 10V
5V a 250µA
18 nC @ 10 V
±25V
735 pF @ 25 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
FDP10N60NZ
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
10A (Tc)
10V
750mOhm a 5A, 10V
5V a 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
1475 pF @ 25 V
-
185W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FDP12N50NZ
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
11.5A (Tc)
10V
520mOhm a 5.75A, 10V
5V a 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
1235 pF @ 25 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FDP12N60NZ
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12A (Tc)
10V
650mOhm a 6A, 10V
5V a 250µA
34 nC @ 10 V
±30V
1676 pF @ 25 V
-
240W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FDP7N60NZ
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6.5A (Tc)
10V
1.25Ohm a 3.25A, 10V
5V a 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
730 pF @ 25 V
-
147W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
Demostración
de 33

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.