FET simple, MOSFET

Resultados : 24
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Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
24Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 24
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,521
En stock
1 : $7.21000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
9 A (Tc)
15V
585mOhm a 4A, 15V
2.7V a 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,275
En stock
1 : $10.50000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
871
En stock
1 : $10.77000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
526
En stock
1 : $12.24000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
21 A (Tc)
15V
208mOhm a 12A, 15V
2.7V a 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
799
En stock
1 : $17.42000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
71 A (Tc)
15V
48mOhm a 35A, 15V
2.69V a 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R40MT12K
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,831
En stock
1 : $17.67000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
71 A (Tc)
15V
48mOhm a 35A, 15V
2.69V a 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,251
En stock
1 : $22.53000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
90 A (Tc)
15V
36mOhm a 50A, 15V
2.69V a 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
292
En stock
1 : $33.07000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
61 A (Tc)
15V
58mOhm a 40A, 15V
2.7V a 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
768
En stock
1 : $36.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
128 A (Tc)
15V
24mOhm a 60A, 15V
2.69V a 15mA
219 nC @ 15 V
±15V
5873 pF @ 800 V
-
542W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
GA100JT12-227
G3R20MT12N
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
GeneSiC Semiconductor
63
En stock
1 : $56.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
105 A (Tc)
15V
24mOhm a 60A, 15V
2.69V a 15mA
219 nC @ 15 V
+20V, -10V
5873 pF @ 800 V
-
365W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227
SOT-227-4, miniBLOC
TO-247-4 Top
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
371
En stock
1 : $107.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
124 A (Tc)
15V
26mOhm a 75A, 15V
2.7V a 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
809W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
GA100JT12-227
G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
GeneSiC Semiconductor
146
En stock
1 : $135.46000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
100 A (Tc)
15V
26mOhm a 75A, 15V
2.7V a 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
523W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227
SOT-227-4, miniBLOC
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
7,988
En stock
1 : $4.74000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
11 A (Tc)
15V
420mOhm a 4A, 15V
2.69V a 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,810
En stock
1 : $6.52000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
22 A (Tc)
15V
192mOhm a 10A, 15V
2.69V a 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R60MT07K
750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
1,069
En stock
1 : $10.40000
Tubo
Tubo
Activo
-
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
-
-
-
-
-
+20V, -10V
-
-
-
-
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
869
En stock
1 : $32.73000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
61 A (Tc)
15V
58mOhm a 40A, 15V
2.7V a 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R60MT07D
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
1,816
En stock
1 : $10.14000
Tubo
Tubo
Activo
-
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
-
-
-
-
-
+20V, -10V
-
-
-
-
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-263-8
G3R450MT17J
SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
5,077
En stock
1 : $8.04000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
9 A (Tc)
15V
585mOhm a 4A, 15V
2.7V a 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
91W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R60MT07J
750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
198
En stock
1 : $10.70000
Tubo
Tubo
Activo
-
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
-
-
-
-
-
+20V, -10V
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
321
En stock
1 : $17.98000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
75 A (Tc)
15V
48mOhm a 35A, 15V
2.7V a 18mA (típico)
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
374W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1,000 : $3.91002
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
11 A (Tc)
15V
420mOhm a 4A, 15V
2.69V a 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R160MT12J
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1,000 : $5.27003
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
19 A (Tc)
15V
208mOhm a 10A, 15V
2.7V a 5mA (típico)
23 nC @ 15 V
+20V, -10V
724 pF @ 800 V
-
128W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R75MT12J
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
2
En stock
1 : $11.03000
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
42 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
±15V
1560 pF @ 800 V
-
224W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R30MT12J
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1,000 : $17.45500
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
96 A (Tc)
15V
36mOhm a 50A, 15V
2.69V a 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
459W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Demostración
de 24

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.