FET simple, MOSFET

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de 13
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
IPLK60R600PFD7ATMA1
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Infineon Technologies
3,496
En stock
1 : $1.69000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.52528
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
13 A (Tc)
10V
360mOhm a 2.9A, 10V
4.5V a 140µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
534 pF @ 400 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-52
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Infineon Technologies
2,300
En stock
1 : $0.49000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.41650
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
10 A (Tc)
10V
360mOhm a 2.9A, 10V
4.5V a 140µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
534 pF @ 400 V
-
43W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
3,741
En stock
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.29790
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6 A (Tc)
10V
600mOhm a 1.7A, 10V
4.5V a 80µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 400 V
-
7W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Infineon Technologies
3,312
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.22848
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3 A (Tc)
10V
2Ohm a 500mA, 10V
4.5V a 30µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
134 pF @ 400 V
-
20W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO252-3
IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Infineon Technologies
13,328
En stock
1 : $0.79000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.63012
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
16 A (Tc)
10V
210mOhm a 4.9A, 10V
4.5V a 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 400 V
-
64W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
2,007
En stock
1 : $0.85000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24276
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
4.7 A (Tc)
10V
1Ohm a 1A, 10V
4.5V a 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 400 V
-
6W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
2,876
En stock
1 : $1.72000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.52822
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mOhm a 3.6A, 10V
4.5V a 180µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
656 pF @ 400 V
-
51W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
138
En stock
1 : $0.90000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.28351
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
4.7 A (Tc)
10V
1Ohm a 1A, 10V
4.5V a 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 400 V
-
26W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO252-3
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Infineon Technologies
49
En stock
1 : $1.06000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.26950
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.6 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 700mA, 10V
4.5V a 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
169 pF @ 400 V
-
22W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-344
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $1.32000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.33596
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6 A (Tc)
10V
600mOhm a 1.7A, 10V
4.5V a 80µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 400 V
-
31W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPLK60R600PFD7ATMA1
IPLK60R1K5PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Infineon Technologies
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
5,000 : $0.33999
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.8 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 700mA, 10V
4.5V a 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
169 pF @ 400 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-52
8-PowerTDFN
IPLK60R600PFD7ATMA1
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Infineon Technologies
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
5,000 : $0.37632
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.2 A (Tc)
10V
1Ohm a 1A, 10V
4.5V a 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 400 V
-
31.3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-52
8-PowerTDFN
IPLK60R600PFD7ATMA1
IPLK60R600PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Infineon Technologies
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
5,000 : $0.43806
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
7 A (Tc)
10V
600mOhm a 1.7A, 10V
4.5V a 80µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 400 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-52
8-PowerTDFN
Demostración
de 13

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.