FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 onsemi	218 En stock 4,500 Fábrica	1 : $32.11000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	103 A (Tc)	20V	28mOhm a 60A, 20V	4.3V a 20mA	203 nC @ 20 V	+25V, -15V	2890 pF @ 800 V	-	535W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 onsemi	922 En stock	1 : $34.73000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	103 A (Tc)	20V	28mOhm a 60A, 20V	4.3V a 20mA	203 nC @ 20 V	+25V, -15V	2890 pF @ 800 V	-	535W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVBG020N090SC1 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK onsemi	697 En stock 5,600 Fábrica	1 : $35.25000 Cinta cortada (CT) 800 : $25.48348 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	900 V	9.8A (Ta), 112A (Tc)	15V	28mOhm a 60A, 15V	4.3V a 20mA	200 nC @ 15 V	+19V, -10V	4415 pF @ 450 V	-	3.7W (Ta), 477W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK onsemi	1,223 En stock	1 : $36.41000 Cinta cortada (CT) 800 : $24.07113 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	8.6A (Ta), 98A (Tc)	20V	28mOhm a 60A, 20V	4.3V a 20mA	220 nC @ 20 V	+25V, -15V	2943 pF @ 800 V	-	3.7W (Ta), 468W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
NTHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 onsemi	1,924 En stock 1,800 Fábrica	1 : $28.35000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	900 V	118A (Tc)	15V	28mOhm a 60A, 15V	4.3V a 20mA	196 nC @ 15 V	+19V, -10V	4415 pF @ 450 V	-	503W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVBG020N120SC1 MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK onsemi	1,128 En stock 6,400 Fábrica	1 : $47.34000 Cinta cortada (CT) 800 : $34.63413 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	8.6A (Ta), 98A (Tc)	20V	28mOhm a 60A, 20V	4.3V a 20mA	220 nC @ 20 V	+25V, -15V	2943 pF @ 800 V	-	3.7W (Ta), 468W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
NTHL060N090SC1 SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 onsemi	863 En stock	1 : $11.58000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	900 V	46 A (Tc)	15V	84mOhm a 20A, 15V	4.3V a 5mA	87 nC @ 15 V	+19V, -10V	1770 pF @ 450 V	-	221W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL080N120SC1 SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 onsemi	311 En stock 134,100 Fábrica	1 : $13.49000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	44 A (Tc)	20V	110mOhm a 20A, 20V	4.3V a 5mA	56 nC @ 20 V	+25V, -15V	1670 pF @ 800 V	-	348W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NVHL020N090SC1 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3 onsemi	168 En stock 98,100 Fábrica	1 : $27.89000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	900 V	118A (Tc)	15V	28mOhm a 60A, 15V	4.3V a 20mA	196 nC @ 15 V	+19V, -10V	4415 pF @ 450 V	-	503W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NTBG020N090SC1 SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK onsemi	1,014 En stock	1 : $28.41000 Cinta cortada (CT) 800 : $17.69750 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	900 V	9.8A (Ta), 112A (Tc)	15V	28mOhm a 60A, 15V	4.3V a 20mA	200 nC @ 15 V	+19V, -10V	4415 pF @ 450 V	-	3.7W (Ta), 477W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.